产品简述
MS8551/8552/8554 是输入输出轨到轨的高精度运算放大器,它
有极低的输入失调电压和偏置电流,单电源电压范围为 1.8V 到 5V。
轨到轨的输入输出范围使 MS8551/8552/8554 可以轻松地放大高
电平和低电平的传感信号。所有特性使得 MS8551/8552/8554 成为温
度、位置和压力传感器,医疗设备以及应变计放大器的理想选择,其
他工作在 1.8V 到 5V 的需要高精度和长期稳定性的应用也同样适合。
MS8551/8552/8554 可以适用于工业级的温度范围(-40°C 到
+125°C)。
主要特点
◼低失调电压:1μV (TYP)
◼轨到轨的输入输出摆幅
◼单电源 1.8V 到 5.5V 的工作范围
◼电压增益:145dB(TYP)(工作电压 5V)
◼电源抑制比:120dB(TYP)
◼共模抑制比:120dB(TYP)
◼极低输入偏置电流:10pA
◼低的工作电流:每个通道 800μA(TYP)
◼过载恢复时间:50μs(工作电压 5V)
◼不需要额外的外部电容
应用
◼ 温度测量
◼ 压力传感器
◼高精度电流传感
◼电子称
◼ 应变计放大器
◼ 医疗仪器
◼ 热偶放大器
◼ 手持测试设备
产品规格分类
产品分档信息
管脚图
管脚说明
极限参数
芯片使用中,任何超过极限参数的应用方式会对器件造成永久的损坏,芯片长时间处于极限工作
状态可能会影响器件的可靠性。极限参数只是由一系列极端测试得出,并不代表芯片可以正常工作在
此极限条件下。
电气参数(5V)
若无特别说明,Vs=+5V, VCM=+2.5V, Vo=+2.5V, TA=25°C。
电气参数(2.7V)
若无特别说明,Vs=+2.7V, VCM=+1.35V, Vo=+1.35V, TA=25°C。
典型性能参数
如有需求请联系——三亚微科技 王子文(16620966594)
典型应用
5V 高精度应变计电路
极低的输入失调电压使得 MS8551/8552/8554 成为需要高精度和高增益应用的理想选择,例如电
子称或者应变计,图 1 展示了一个单电源高精度的应变计测量系统。
REF192 为放大器 A2 提供一个 2.5V 的高精度参考电压,A2 把参考电压提高到 4.0V,提供给应变计
电阻桥的定电压,Q1 为 350Ω 的桥式网络提供电流。A1 通常用来放大电阻桥的满幅输出,这个输出电
压等于 2×(R1+R2)/RB,其中 RB 为桥式网络的负载阻抗。
使用图 1 中的值,输出电压从没有形变的 0V 线性变化到完全形变的 4.0V。
在图 3 所示的三运放仪表放大器电路中,如果四个电阻值相同,差分放大器输出电压为单位增
益。如果使用的电阻的容差为 δ,那么最差情况下仪表放大器的 CMRR 为:CMRRMIN=1/2δ。
使用 1%容差的电阻,系统最差情况下 CMRR 为 0.02 或 34dB,所以电路中使用了高精度的电阻,
还附加了一个修调电阻,这样可以达到很高的共模抑制。修调电阻的值应该等于电阻值 R 乘以容差。
例如,使用容差为 1%的 10kΩ 电阻,需要串联一个 100Ω 的修调电阻。
高精度的热偶放大器
图 4 展示了使用冷结补偿的 K-type 热偶放大器电路。即使使用 5V 的电源,MS855x 也可以为 0°C
到 500°C 范围内低于 0.02°C 的分辨率提供足够的精度。D1 用作温度测量器件,来矫正耦合的冷结误
差,所以 D1 应该离两个终止结尽可能近。当热偶测量端浸在 0℃的冰水时,调节 R6 直到系统输出
0V。
使用图 4 中的值,那么输出电压与温度比例为 10mV/℃。如果为了达到更大的温度测量范围,R8
可以减小到 62kΩ。这样在输出端产生 5mV/°C 的变化,允许的测量范围增加到 1000°C。
高精度的电流表
单电源下低输入偏置电流以及极低失调电压让 MS8551/8552/8554 成为高精度电流测量的理想放
大器。轨到轨的输入可以监测电流源和电流沉,一颗 MS8552 就可以完成这样的工作。
图 5 是监测电流源的电路图。在这个电路中,放大器的输入共模电压在正的电源电压附近,轨到
轨的输入使得即使共模电压在电源电压附近也可以得到精确的放大,CMOS 的输入结构不吸取任何输
入偏置电流,保证了测量的最小误差。
0.1Ω 的电阻在 MS8551/8552/8554 的反向端产生一个压降,只有在反向端有一个压降时,放大器
的输出才正常,就会有一个电流通过 R1,同时流过 R2,监测输出电压为:
如有需求请联系——三亚微科技 王子文(16620966594)
高精度电压比较器
MS8551/8552/8554 可以工作在开环条件下,被用作一个高精度电压比较器。在这种条件下,
MS8551/8552/8554 的失调电压小于 50μV。失调电压的微小增加是因为自动校正结构只有在闭环(有
一个负反馈)时才能保持低失调,由于有 50mV 的过驱动电压,芯片在上升沿有 15μs 的延时,下降沿
有 8μs 的延时。确保芯片的差分输入电压不超过过驱动电压。
封装外形图
SOT23-5
——爱研究芯片的小王
审核编辑 黄宇
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