STM32片内FLASH被异常改写的问题分享
某STM32客户反馈，当STM32F407V芯片频繁的正常通断电的时候，FLASH 会被非法改写，出现各种各样的异常（整片被擦除、中断向量表被改写、写保护被清除等等）。
经过与跟客户沟通了解到:
1、他们是延续之前的项目，进行的一些软硬件简单修改。之前的项目没有出现过类似的问题。
2、确认通断电的时间是足够，即断电后所有的VDD都回到0；上电的时序也正常。
3、原理图参考了ST相关开发板的参考设计。
4、测量工作电压，除了发觉上电时会有些许抖动外，其它一切正常。尝试让他们改善上电电路，去掉这一抖动。再次实验，仍然出现类似的问题。
根据现象初步判断，异常似乎跟硬件没关联了， 接着对客户代码进行删减又做了如下实验：
1，去掉APP 部分代码，仅仅留下IAP代码。做相同的实验，问题再现。
2，进一步删减程序，去掉程序中所有跟flash以及OPTION BYTE 相关的部分，做相同的实验，问题依旧。
3，没招，再删代码，或者屏蔽代码。做基于不同STM32库的代码替换。问题始终依旧。
到此问题毫无进展，只好求助ST芯片设计人员做进一步确认，看看芯片是否真的坏了。同时，又请客户的硬件工程师再次确认他们的硬件线路和原理图的一致性，我们怀疑他们的硬件是否有装错的元器件，特别是MCU周边。
后来客户工程师反馈，STM32F407的PDR_ON脚，板子上装的元件跟原理图不一致。他们把R47和R48都装了【如下图】，那么相当于在PDR_ON上是一个0.6v的电压，也就是关断了MCU内部复位。
可谓山穷水尽疑无路，柳暗花明又一村，看来问题应该跟内部复位有关。
查看STM32F407数据手册，可以看到相关信息。
从上面规格书来看，STM32F407V的内部复位电路可以选择性地开启或关闭，如果选择关闭mcu内部的复位电路，需要在外部接一个复位监测电路保证VDD达到正常工作电压之前一直使MCU处于复位状态。而这里，客户本意并不想关闭内部复位，而且外部也没有相应的电源监测复位电路。既然这样,根据手册描述，PDR_ON脚接到VDD即可。具体到这里，去掉R48这个1k欧姆的电阻。重做实验反复验证，异常消失。
对于STM32来说，这个PDR_ON引脚有的封装是被引出来了，有的封装没有被引出。如果没有引出的就默认使能内部复位功能，如果引出的话，大家也要注意有的型号是拉低使能内部复位，有的是拉高使能内部复位，设计和使用时请注意这点。
类似小细节，容易被忽视，原因在被忽视情况下去查找原因往往是件非常折腾、曲折而痛苦的事。这种情况对于工程师来说，也没法完全避免，毕竟我们是人。所以平时多留意、多积累，遇到问题时保持冷静分析、理性判断尤为重要，不要动不动就怀疑芯片质量问题而使开发调试停滞不前。
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原文标题：STM32片内FLASH被异常改写的问题分享
文章出处：【微信号：stmcu832，微信公众号：茶话MCU】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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