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      英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了？

      QjeK_yflgybdt • 来源：未知 • 作者：胡薇 • 2018-06-21 10:10 • 次阅读

      基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200V TRENCHSTOP™ IGBT7，同时采用最新EmCon 7二极管芯片与之搭配成IGBT开关，带来功率器件领域的革命性变革。

      想先人一步领略新品魅力？敬请莅临6月25日举行的2018 英飞凌功率半导体技术研讨会上海站，我们将在下午变频驱动分会场上进行IGBT7技术特性的首次国内宣讲，揭开英飞凌下一代IGBT的神秘面纱。

      IGBT7和EmCon7 针对工业电机驱动应用进行芯片优化设计，进一步减少器件稳态损耗，可实现更高功率密度，同时兼顾了芯片的软特性。此外，过载条件下允许的最高工作结温将提升至175 °C，实现同等封装下输出电流能力增大40%。

      突出特性

      • 最低的通态压降Vce(sat)和Vf

      • 过载条件下支持175 °C最高虚拟结温

      • 在满足dv/dt=5kV/us的前提下，优化器件开关损耗

      • 满足8us短路耐受时间

      • 续流二极管FWD可靠性增强

      客户收益

      • 低损耗满足系统提高效率的需求

      • 优化的设计同时兼顾低损耗与EMI 需求

      首发型号

      首批推出10A至100A的EasyPIM™ 与EasyPACK™ 产品

      •FP10R12W1T7_B11

      •FP25R12W1T7_B11

      •FS100R12W2T7_B11

      TRENCHSTOP™ IGBT7 EASY1B

      TRENCHSTOP™ IGBT7 EASY2B

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      原文标题：首发| TRENCHSTOP™ IGBT7将亮相2018英飞凌功率半导体应用技术研讨会

      文章出处：【微信号：yflgybdt，微信公众号：英飞凌工业半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

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