低功耗SiC二极管实现最高功率密度
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
安森美半导体扩展了其650伏（V） SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑战。
自从16多年前第一款SiC二极管问市以来，这一技术已经日益成熟，质量/可靠性测试和现场测试都已充分证明其高品质水平。
在基板处理、外延生长和制造方面的进步显着地降低缺陷密度，我们将看到持续的工艺改进和更高的量。安森美半导体在整个工艺周期采用了独特的方法，以确保客户获得最高品质的产品。
另一重要考量是SiC二极管/ MOSFET的设计。SiC能够应对高场应力，因此很多设计都是为了应对这些高应力条件。例如，终端结构需要很多心思，才能确保器件的耐用性。
利用宽带隙（WBG）材料的独特特性，SiC技术比硅提供实在的优势，其强固的结构为严苛环境中的应用提供可靠的方案。我们的客户将受益于这些简化的、性能更佳、尺寸设计更小的新器件。
SiC为系统提供显著好处。SiC更高的开关频率可以使用更小的磁性元件和无源元件，使整体系统缩小50％以上，从而大大节省整体元件和制造成本。
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