1 耐威科技强推第三代半导体材料,氮化镓材料项目落户青岛-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

耐威科技强推第三代半导体材料,氮化镓材料项目落户青岛

MWol_gh_030b761 来源:德赢Vwin官网 网 作者:工程师谭军 2018-07-10 11:13 次阅读

7月5日,耐威科技公告称,公司与青岛市即墨区人民政府、青岛城市建设投资(集团)有限责任公司在2018年国际集成电路产业投资(青岛)峰会上签署《合作框架协议书》。

首先回顾一下这次合作背景。今年5月24日,耐威科技宣布与袁理先生、青岛海丝民和半导体投资中心(有限合伙)、青岛民芯投资中心(有限合伙)共同投资设立两家控股子公司——聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司与青岛聚能创芯微电子有限公司,耐威科技分别持股35%、40%。

两家控股子公司业务均与氮化镓(GaN)相关:聚能创芯主要从事功率与微波器件,尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发;聚能晶源主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产。

随后,耐威科技将聚能晶源项目落地青岛市即墨区,青岛城投拟通过青岛海丝民出资参与聚能晶源项目,因此有了这次耐威科技、青岛城投与青岛即墨政府签署合作协议。

协议内容包括:

(1)为帮助和尽快形成产能,占领国内第三代半导体材料市场份额,青岛即墨同意与聚能晶源另行签署正式项目合作协议,为聚能晶源提供一系列项目支持;

(2)为支持聚能晶源吸纳骨干尖端人才,各方互相协助使得聚能晶源为本项目引进的优秀人才切实享受到青岛市、区等各项人才优惠政策。

(3)聚能晶源预计本项目投资总额不少于约2亿元人民币:2018年年底前投资总额不低于 5000 万元人民币,2020年底前投资总额不低于1.5 亿元人民币;

(4)聚能晶源未来产品线将覆盖功率与微波器件应用,打造世界级氮化镓(GaN)材料公司,项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓(GaN)外延片,以及面向微波器件应用的氮化镓(GaN)外延片等。

耐威科技表示,这次合作有利于公司加快第三代半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产进度;有利于公司把握产业发展机遇,尽快拓展相关材料在国防装备、航空电子、5G 通信物联网等领域的推广应用;有利于公司以传感为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局。

耐威科技紧密围绕军工电子、物联网两大产业链,一方面大力发展导航、MEMS、航空电子三大核心业务,一方面积极布局无人系统、智能制造等潜力业务,主要产品及业务包括军/民用导航系统及器件、MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、航空电子系统等。

2016年耐威科技全资收购瑞典纯MEMS代工企业Silex(赛莱克斯),正式切入MEMS领域并作为其重点发展及投资方向。2016年11月,耐威科技宣布在北京投资建设“8英寸MEMS国际代工线建设项目”,该项目获得国家集成电路产业基金的支持,目前项目建设正在高速推进中。

目前国内在氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)材料及器件方面的发展起步较晚,与国际水平仍有较大差距,正在积极布局中。

氮化镓(GaN)方面,除了正在入局的耐威科技外,相关企业还有苏州能讯、中稼半导体、三安光电、海特高新、英诺赛科、江西晶能等。

其中,苏州能讯已自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术,是国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业;海特高新控股子公司海威华芯的氮化镓已成功突破6英寸GaN晶圆键合技术;英诺赛科(珠海)科技有限公司8英寸硅基氮化镓(GaN)生产线也已实现量产......

随着全球半导体第三次产业转移,中国作为全球最大的半导体市场,在第三代半导体材料领域机遇与挑战共存,需脚踏实地努力实现弯道超车。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27285

    浏览量

    218021
  • 耐威科技
    +关注

    关注

    2

    文章

    24

    浏览量

    7301

原文标题:耐威科技发力第三代半导体材料,其氮化镓材料项目宣布签约青岛

文章出处:【微信号:gh_030b7610d46c,微信公众号:GaN世界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    第三代半导体产业高速发展

    当前,第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率器件产业高速发展。其中,新能源汽车市场的快速发展是第三代
    的头像 发表于 12-16 14:19 192次阅读

    第三代宽禁带半导体:碳化硅和氮化介绍

      第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势,且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅(SiC)和氮化(GaN)为代表的宽禁
    的头像 发表于 12-05 09:37 270次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b>宽禁带<b class='flag-5'>半导体</b>:碳化硅和<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>介绍

    第三代半导体氮化(GaN)基础知识

    第三代半导体氮化(GaN)。它以其卓越的性能和广泛的应用领域,在科技界掀起了一阵热潮。   今天我要和你们聊一聊半导体领域的一颗“新星”—
    的头像 发表于 11-27 16:06 376次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>(GaN)基础知识

    第三代半导体的优势和应用

    随着科技的发展,半导体技术经历了多次变革,而第三代半导体材料的出现,正在深刻改变我们的日常生活和工业应用。
    的头像 发表于 10-30 11:24 505次阅读

    第三代半导体半导体区别

    半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,具有独特的电学性质,是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展,半导体
    的头像 发表于 10-17 15:26 1011次阅读

    纳微半导体发布第三代快速碳化硅MOSFETs

    纳微半导体作为GaNFast™氮化和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者,近日正式推出了其最新研发的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的头像 发表于 06-11 16:24 957次阅读

    一、二、三代半导体的区别

    在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下,第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求,碳化硅和氮化
    发表于 04-18 10:18 3021次阅读
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>的区别

    深圳第三代半导体材料产业园揭牌 重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线

    2月27日,深圳市第三代半导体材料产业园揭牌仪式在宝安石岩街道举行。
    的头像 发表于 03-07 16:48 775次阅读

    深圳第三代半导体碳化硅材料生产基地启用

    总计投资32.7亿元人民币的第三代半导体碳化硅材料生产基地是中共广东省委和深圳市委重点关注的项目之一,同时也是深圳全球招商大会的重点签约项目
    的头像 发表于 02-28 16:33 885次阅读

    新华锦第三代半导体材料产业园选址平度市

    据悉,新华锦集团计划将该公司在山东平度市经济开发区内投入的20亿元资金用于建立新华锦第三代半导体材料产业园区,该项目将涵盖年产量达5000吨的半导
    的头像 发表于 02-22 13:52 720次阅读

    基于第三代半导体射频微系统芯片研究国家重点研发计划项目启动

    据云塔科技消息,1月15日,中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化氮化
    的头像 发表于 01-23 09:56 965次阅读

    氮化半导体属于金属材料

    氮化半导体并不属于金属材料,它属于半导体材料。为了满足你的要求,我将详细介绍
    的头像 发表于 01-10 09:27 2146次阅读

    2023年第三代半导体融资超62起,碳化硅器件及材料成投资焦点

    。   第三代半导体是以碳化硅、氮化等为代表的宽禁带半导体材料。某机构数据显示,2022年,国
    的头像 发表于 01-09 09:14 2286次阅读
    2023年<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>融资超62起,碳化硅器件及<b class='flag-5'>材料</b>成投资焦点

    基于高温退火非极性面氮化铝单晶薄膜实现高性能声学谐振器开发

    氮化铝(AlN)以其超宽禁带宽度(~6.2 eV)和直接带隙结构,与氧化氮化硼、金刚石等半导体材料被并称为超宽禁带
    的头像 发表于 01-08 09:38 680次阅读
    基于高温退火非极性面<b class='flag-5'>氮化</b>铝单晶薄膜实现高性能声学谐振器开发

    石金科技募资7000万建第三代半导体热场及材料生产项目

    石金科技近日宣布将募集3.5亿元资金,用于多个关键项目的发展。这些项目涵盖了补充公司流动资金、建设石金(西安)研发中心及生产基地、光伏关键辅材集成服务生产以及第三代半导体热场及
    的头像 发表于 01-03 16:09 845次阅读