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      高频应用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6发布

      QjeK_yflgybdt • 来源：德赢Vwin官网 网 • 作者：工程师谭军 • 2018-07-11 11:28 • 次阅读

      新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求。

      1200V TRENCHSTOP™IGBT6发布了2个产品系列：优化导通损耗-S6系列和优化开关损耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 S6系列集电极-发射极饱和电压VCE(sat)1.85V，导通损耗低，并且拥有与H3系列相同的低开关损耗。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 H6系列则进一步优化开关损耗，相比于上一代H3系列，总开关损耗降低约15%。

      超软快恢复反并联二极管经专门优化，可实现快速恢复，同时保持极软恢复特性，保证了卓越的EMI性能。

      正温度系数有助于轻松可靠地实现器件并联。优异的Rg可控性可根据应用要求调节IGBT开关速度。

      IGBT6可实现更低VCE(sat)和更低开关损耗1)

      高频应用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6发布

      关键特性

      S6系列VCE(sat)1.85V，导通损耗低

      可在开关频率15–40kHz范围内提供开关损耗和导通损耗的最佳折衷

      优良的Rg可控性

      低电磁干扰

      坚固耐用的满电流反并联二极管

      主要优势

      即插即用可替换上一代H3 IGBT

      从H3更换为TO-247-3封装S6，可将系统能效提高0.15%2)

      从H3更换为TO-247PLUS 4引脚封装S6，可将系统能效提高0.2%2)

      2) 基于3相T型三电平逆变器实测值

      高频应用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6发布

      TRENCHSTOP™ IGBT6经专门设计，可轻松直接替换上一代的H3 IGBT。基于T型三电平逆变器的内部测试表明，将H3 IGBT更换为新的TO-247-3封装IGBT6 S6后，系统能效可提升0.15%。将TO-247-3封装H3 IGBT更换为TO-247PLUS 4引脚封装IGBT6 S6后，系统能效提升0.20%。

      新的1200 V TRENCHSTOP™ IGBT6还包括业内独一无二的、采用TO-247PLUS 3引脚封装和更低开关损耗的TO-247PLUS 4引脚封装、最大电流75A的单管IGBT。

      产品目录

      高频应用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6发布

      声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
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      原文标题：新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6为高频应用带来更高能效

      文章出处：【微信号：yflgybdt，微信公众号：英飞凌工业半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

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