长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,国产DRAM跨出重要一步
作为中国三大储存芯片巨头之一，并致力于专注移动式内存的合肥长鑫来说，7月16日无疑是非常重要的一天，合肥长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并计划将于2018年年底推出工程样品，这是国产DRAM产业的一个里程碑。
同时，就在合肥长鑫即将进入量产的关键时间点上，兆易创新原董事长朱一明，宣布辞去兆易创新CEO，由原王宁国手上正式接任合肥长鑫存储及睿力CEO。此人事变动似乎也宣告，合肥长鑫存储及睿力从王宁国核心团队为主导的建厂草创期，进入以设计研发量产为主导，迈入下一个阶段。
如今看来关于LPDDR4芯片的研发正在按步就班地进行中，还有一年的试生产期与计划节点正好对得上。踏实的研发进度，是比8Gb LPDDR4投片更值得高兴的消息。
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国产DRAM跨出重要一步
国内目前有三大存储芯片基地，紫光主导的长江存储以武汉为基地，主要生产3D NAND闪存，预计明年正式投产32层堆栈的64Gb闪存，选择DRAM内存芯片作为重点的有两大阵营，福建晋华集团联合台联电在晋江建设DRAM晶圆厂，此前与美光发生专利纠纷导致美光芯片被福州法院禁售的就是与联电、晋江投资集团有关。
另一个DRAM基地是合肥长鑫，这个项目最初报道说是跟前日本尔必达董事长成立的公司合作，不过后者现在几乎淡出，合肥长鑫现在的合作方是兆易创新，去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19纳米工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。
合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。
此外，合肥兆鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。
根据计划，合肥长鑫将于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17纳米技术的研发。
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行业高度垄断 三星、海力士、美光独占鳌头
从市场情况来看，据集邦咨询的数据，2018年第一季存储器三大厂商三星、海力士、美光在DRAM产业的市占率分别为44.9%、27.9%、22.6%，合计共占95.4%的市场份额。
三星依然稳坐DRAM产业龙头，第一季营收再度创下历史新高达103.60亿美元，较上季成长2.9％。路透社的报道称三星每出售一美元的DRAM芯片，就会获得70美分的营业利润。
海力士第一季营收达64.32亿美元，较前季成长2.2％。美光今年上半年持续扮演市场中的价格领导者，价格上涨幅度高于其他两家韩厂，第一季价格上扬幅度超过10％，带动营收达52.13亿美元，季增14.3％。
美光集团仍旧维持第三，但今年上半年美光持续扮演市场中价格领导者角色，价格涨幅高于三星、海力士。一季度美光DRAM价格上涨幅度超过10％，带动营收达52.13亿美元，季增14.3％，市占率较前一季提升约2个百分点。
从产品技术上而言，国产内存极有可能会面临着出生即落后的境遇。就在昨天，三星宣布了8Gb LPDDR5内存颗粒的正式量产。内存三巨头在DDR5、GDDR6的技术积累已经基本完成，产业布局也更为成熟。
相较而言，国产19纳米和17纳米级DRAM制程工艺还有一定差距，DRAM芯片在功耗、良率、速度、纳米制程工艺小型化方面有待提高。三星称，第二代10纳米级工艺产能进一步提升，达到30%；第二代8Gb DDR4芯片的产能比第一代提高30%，而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
在可以预期的2-3年内，由于制程与产能的双重落后，国产内存在短期内很难对国际DRAM市场格局造成影响。但从长期来说，国产存储芯片的大规模投产一定会对市场格局造成冲击。
从知识产权角度来看，未来国产内存发展壮大，须自主创新，获取产业专利权，这样打入国际市场才有话语权，如果一味地靠获取外资专利授权，从长远利益角度考虑，是不可取的。如LED、新能源等产业领域，上游核心技术很大一部分都是花钱买技术。
结语：中国作为集成电路消费和生产大国，国产DRAM芯片投产在一定时间内可提高市占率，但短期还无法撼动韩日巨头市场地位，8Gb LPDDR4 DRAM芯片的推出可以有效摆脱对海外的依赖。同时，通过美光被调查事件，可以说明国家对国产芯片非常重视。
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原文标题：存储芯片国产化之路还有多远？
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