深圳市坪山区将出台各种政策推动第三代半导体发展
8月28日，在2018“芯集坪山”中国集成电路产业高峰论坛上，电子材料及第三代半导体成为重点话题。深圳市坪山区政府表示，为推动第三代半导体产业发展，坪山区即将出台产业政策——《坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施》。
发展第三代半导体是国家战略重大需求
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、深圳第三代半导体研究院副理事长吴玲会上表示，第三代半导体满足国防安全、智能制造、产业升级、节能减排等国家重大战略需求。
在她看来，第三代半导体支撑着我国高频、高速、宽带通信系统核心器件的自主可控，支撑国家能源战略，支撑着高速列车、新能源汽车等核心动力系统的发展以及节能环保、国防安全军事装备的自主发展等。
吴玲表示，第三代半导体现已进入爆发式增长期，全球各国争相抢占战略制高点，在我国，第三代半导体早已受到政府层面的高度关注。
自2004年开始，我国政府就第三代半导体材料研究与开发进行了相应的部署，并启动了一系列的重大研究项目。
2016年我国启动“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，第三代半导体材料是重点专项中的重要研究领域。
随后在2016年国务院发布的面向2030的6项重大科技项目和9大重大工程中，第三代半导体是“重点新材料研发及应用”重大项目的重要部分。
2016年12月，国务院成立国家新材料产业发展领导小组，贯彻实施制造强国战略，加快推进新材料产业发展；2017年2月，国家新材料产业发展专家咨询委员会成立。
2017年6月，第三代半导体产业技术创新战略联盟组织编辑2030国家重点新材料研发及应用第三代半导体版块实施方案。
在国家政策推动下，江苏、浙江、厦门、江西等地已逐步发展成为第三代半导体产业特色集聚区，那么目前成效如何？据吴玲介绍，目前国内中低压电力电子材料和器件已初步量产，应用快速渗透。
SiC方面，天科合达、山东天岳、中电集团2所等初步实现4英寸SiC单晶衬底材料量产，并开发出6英寸样品；泰科天润、世纪金光、中电55所、13所等多家企业和机构已实现600-3300V的SiC肖特二极管量产，处于用户验证阶段；中车株洲时代电气、国家电网联研院、厦门三安等企业建设了6英寸SiC电力电子器件工艺线。
GaN方面，中电13所已形成系列化GaN微波功率器件和MMIC产品，并被华为、中兴用于进行基站研发；苏州纳维、东莞中镓具备2-4英寸GaN单晶衬底材料的供货能力；苏州能讯、苏州晶湛、江苏能华、杭州士兰微、江苏华功半导体均已进入布局GaN电力电子材料和器件；三安集团也已建设GaN射频器件工艺线。
根据发展目标，2018~2020年间，我国将完成第三代半导体的产业基础建设，进行产业链的完善、核心装备研发、核心工艺开发、开发基础器件并开始示范应用等。
深圳坪山优先发展，政策即将出台
在国家政策推动下，江苏、浙江、厦门、江西等地已逐步发展成为第三代半导体产业特色集聚区，深圳亦是国内第三代半导体发展排头兵之一。
深圳市根据“十三五”规划的国际科技和产业创新中心定位，正在实施新一轮创新发展战略布局，将着力在核心芯片、人工智能等重点关键技术的突破。根据规划，坪山区为第三代半导体产业的优先发展区域。
坪山区作为深圳东部产业发展重要基地，集聚了中芯国际、比亚迪（中央研究院）、昂纳科技、金泰克、基本半导体、拉普拉斯等重点企业，集成电路及第三代半导体产业集聚渐成规模。
为了加快第三代半导体发展步伐，深圳市已相继成第三代半导体器件重点实验室、深圳第三代半导体研究院，并在坪山区设立第三代半导体产业集聚区。坪山区政府于8月3日公开发布了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施（征求意见稿）》。
在高峰论坛上，政府代表人员表示该政策即将出台，并重点介绍了政策主要内容。据介绍，该政策主要包括对符合条件的相关企业在资金、融资、租赁、落户等14方面的支持和资助奖励，具体有：
1.资金支持：坪山区级层面将成立产业发展专项资金以提供续的支撑，此外还将设立一个集成电路专项产业基金，带动社会资本一起支撑第三代半导体击和集成电路产业发展。
2.融资资助：对于企业获得一年期以上的信贷融资的，将按照利息或担保费50%，分别给予年度最高200万元的资助。
3.租金资助：对企业租赁创新型产业用房的，按照市场平均价的50%到90%，给予最高年度500万元的资助。
4.落户奖励：对新设立或新迁入的制造、封测类企业，按照落户后第一年实际完成工业投资额的10%，给予最高1000万元一次性奖励；对新设立或新迁入的设计、设备和材料类企业，按落户后第一年追加实缴资本的10%，给予最高500万元的资助。
5.研发资助：对企业关键技术攻关的，按照研发投入的10%，给予年度最高500万元的资助，对产品区域联合研发的资助额度提高到最高600万。
6.平台支持：对于企业建设的公共服务平台，经区政府认定的，按设备购置费的50%一次性给予最高2000万元的资助。
7.设计资助：企业购买EDA软件（含升级费用）、采购辖区公共服务平台设计服务等不同类型，
按实际发生费用的50%给予资助。
8.验证资助：对企业进行工程片、设备、材料测试验证的，按实际发生费用50%，给予年度最高200万元的资助。
9.流片资助：对企业参加多项目晶圆项（MPW）项目的，按MPW直接费用的80%（高校和科研院所比例提高到90%），给予年度最高200万元资助；对企业首次工程流片的，按照实际费用的30%，给予年度最高300万元资助；对利用辖区企业开展MPW的，最高资助额度为400万元。
10.首购奖励：对整机企业首购首用本辖区芯片，按采购金额的10%，一次性给予最高50万元奖励；对企业首购首用本辖区设备、材料的，按照采购金额的10%，一次性给予最高100万元的奖励。
11.经营资助：对生产性用电按用电费用的50%，一次性给予最高500万元资助；对企业建设双回路、储能电站等用电设施，按实际投入费用的30%，一次性给予最高500万元的资助；对企业的日常环保处理，按照实际支出的50%，给予最高100万元的资助；对企业建设环保处理工程的，按工资费用50%，给予年度最高500万元的资助。
12.配套资助：对于承担军工科研项目、设立海外研发中心、建设公共服务平台、获得国家首台（套）重大技术装备保险补偿的企业，分别按照上级实际资助额度的1:1给予配套资助。
13.技改资助：征求意见稿中关于微组装生产线、设备购置、洁净室装修的资助内容，将以更大支持力度纳入“实体经济二十条”的修订版中，即将发布。
14.人才资助：征求意见稿中关于人才资助的内容，将统筹纳入到“龙聚坪山”的人才政策，即将发布。
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