IC Insights：2018半导体存储IC资本支出540亿美元 产业占比53%

预计闪存占资本支出的最大份额，而 DRAM资本支出今年以最高的速度增长。

ICInsights预测，今年 半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业一年来第一次在资本支出上花费超过1000亿美元。这1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9％，比2016年增长了38％。

图1显示，超过一半的行业资本支出预计用于内存生产-主要是DRAM和闪存-包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53％。存储设备的资本支出份额在六年内大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27％（147亿美元）增加到2018年的行业资本支出总额的53％（540亿美元），相当于2013-2018复合年增长率为30％。

在所显示的主要 产品类别中，预计D RAM/SRAM的支出增幅最大，但预计闪存占今年资本支出的最大份额（图2）。预计2018年DRAM/SRAM部门的资本支出将在2017年强劲增长82％后出现41％的增长。预计2017年闪存的资本支出将在2017年增长91％后增长13％。

经过两年的资本支出大幅增加，现有存在的主要问题是，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下滑。记忆市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。 三星，SK海力士，美光， 英特尔， 东芝/西部数据/SanDisk和XMC/长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（以及新的中国内存创业 公司进入市场），IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在高涨且不断增长。