比亚迪发布IGBT4.0 展示在电动车领域的领先地位

今日比亚迪IGBT技术解析会在浙江宁波顺利召开。解析会上比亚迪在车规级领域发布了具有标杆性意义的IGBT4.0技术，再一次展示出其在电动车领域的领先地位。

2005年，比亚迪组建IGBT研发团队，正式进军IGBT领域。

此前，IGBT的核心技术长期以来始终掌握在国外厂商手里。到了2009年，比亚迪IGBT芯片成功通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，这也标志着中国在IGBT芯片技术上实现零的突破，打破了国际巨头的技术垄断僵局。

如今，在该领域比亚迪截至2018年11月，累计申请IGBT相关专利175件，其中授权专利114件。这对于促进我国芯片产业以及新能源汽车产业的发展具有深远影响。

“命脉”IGBT

另外，IGBT也是新能源汽车最为核心的技术，其好坏直接影响电动车功率的释放速度：直接控制直、交流电的转换，同时对交流电机进行变频控制，决定驱动系统的扭矩（直接影响汽车加速能力）、最大输出功率（直接影响汽车最高时速）等，被称为电力电子装置的“CPU”。 因此，一块IGBT模块尽管只有巴掌大小，却是驾驭一台庞大装备的“命脉”。

在会上，中国半导体行业协会IC设计分会副理事长周生明表示：“比亚迪有得天独厚的条件，做IGBT有最大的自己的应用市场，可以让我们充分施展拳脚，如果没有比亚迪这样整体的产业链，也许你造出来的IGBT很多人也不敢用，原来我们是依赖型经济，现在遇到了贸易争端发现依赖型不行，特别是我们的产品和他国产品形成竞争时，你会感觉到这是我们的瓶颈。但是比亚迪依靠自身强大的研发实力和人才的聚集、产业链的搭配，在这方面有了非常核心的突破，这个突破不是今天想明天投入就能实现的，是积累了十多年的技术、人才和产业链的供应，一般的企业不具备这种市立，所以这是今天我学习到的最深的东西。”

如今，比亚迪经过十余年耕耘，成功研发出全新的车规级产品IGBT4.0，成为车规级IGBT的标杆。得益于在IGBT领域的成果，使比亚迪电动汽车的超凡性能得以成功落地，并具有持续迭代升级的能力。如比亚迪全新一代唐EV的百公里加速时间达到行业领先的4.4秒的成绩，不少的功劳也得益于IGBT对电流准确、有效的控制。同时，比亚迪IGBT在芯片损耗、电流输出能力等方面的优异性能，和电池等其他关键技术一起，将比亚迪全新一代唐EV等纯电动车的续航里程提升到了600公里（60KM/小时等速行驶情况下）。

作为中国第一家实现车规级IGBT大规模量产、也是唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企，此次发布会上，比亚迪还释放了另一重磅消息：比亚迪已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控。

“双芯”加持

享有“技术狂”之称的比亚迪掌握了功率半导体和电池“双芯”、电机、电控等电动车全产业链的核心技术。同时也是全球唯一一家同时拥有动力电池和电动汽车大规模生产能力的企业。

电池技术方面，比亚迪在电池领域已有24年经验，具备100%自主研发、设计和生产能力，并形成了完整（原材料、研发、设计、制造、应用以及回收）的电池产业链。

电机方面，比亚迪新能源汽车采用了永磁同步电机，具有高效率、高功率密度、高可靠性的特点。相对国内工业电机企业转型制造的动力电机，以及部分车企外采的做法，比亚迪作为掌握汽车驱动电机核心技术的汽车品牌，配套兼容性更强。

此次发布会上，比亚迪宣布，已经成功研发了SiCMOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。

比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代‘杀手锏’，我们期望在加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。”