声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
恩智浦
+关注
关注
14文章
5857浏览量
107305 -
通讯
+关注
关注
9文章
902浏览量
34889 -
GaN
+关注
关注
19文章
1933浏览量
73286
发布评论请先 登录
相关推荐
GaN MOSFET 器件结构及原理
和更低的导通电阻,因此在高频、高功率和高温应用中具有显著优势。 GaN MOSFET器件结构 GaN MOSFET的基本结构包括以下几个部分: 1.1 衬底:
格芯收购 Tagore Technology 的 GaN 技术
Technology 专有且经过生产验证的功率氮化镓 (GaN) IP 产品组合,这是一种高功率密度解决方案,旨在突破汽车、物联网 (Io
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
采用新型热阻 增强封装的 P2 系列表现出超高的电气性能,支持具有挑战性的高功率应用,坚固可靠 英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (
发表于 06-11 14:54
•3432次阅读
CGD推出两款新型 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC封装
GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN 产品系列
功率GaN的多种技术路线简析
德赢Vwin官网
网报道(文/梁浩斌)功率GaN的大规模应用,其实也只有六七年的历史,从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前,从晶体管来看,功率GaN主要的
功率GaN,炙手可热的并购赛道?
德赢Vwin官网
网报道(文/梁浩斌)继去年英飞凌收购GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022年
GaN导入充电桩,小功率先行
德赢Vwin官网
网报道(文/梁浩斌)充电桩市场随着高压直流快充的推广,在一些400kW以上的充电桩中已经采用了SiC功率器件。同为第三代半导体的GaN,由于在高频应用上的优势,一些厂商也在推动GaN
CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的
发表于 01-19 09:27
航空航天领域中的GaN功率器件(下)
电源散热技术,都有助于实现电源从组件到系统的全方位突破。因此,基于GaN功率器件来研究高频、高效和轻量化的宇航电源,将引导新一代宇航电源产品实现性能参数的巨大飞跃,
CGHV40180 L波段功率放大器CREE
事通讯设备产品规格描述:180瓦;DC-2GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz):0最高频率(MHz):2000最高值输出功率(W):200增益值(分贝):24.0效率(%
发表于 01-02 12:05
同是功率器件,为什么SiC主要是MOSFET,GaN却是HEMT
德赢Vwin官网
网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(
CMPA1E1F060 Ku波段功率放大器CREE
SWaP-C解析能够满足新一代特殊要求。特征高线性功率和效率兼容高视频带宽特殊要求优化的大数据产品应用领域通用型数据链接军工用和商用雷达探测北斗卫星上行链路
发表于 12-26 09:52
评论