2018年中国集成电路产业保持高速发展态势。据中国半导体行业协会统计,2018年前三季度中国集成电路产业销售收入为4461.5亿元,同比增长22.45%。其中,设计业为1791.4亿元,同比增长22.0%;制造业1147.3亿元,同比增长27.6%;封测业1522.8亿元,同比增长19.1%。一些重点产品领域我国取得突破性进展。
产业链整体提升
关键产品取得突破
服务器CPU方面,天津海光研发的兼容X86服务器CPU流片成功并进入小批量量产,性能指标达到国外同类产品的水平。天津飞腾研发的FT系列兼容ARM指令服务器CPU继续进步。上海澜起科技的“津逮”兼容X86服务器CPU完成研发和产业化,即将进入量产。桌面计算机CPU方面,兆芯今年推出国内首款支持DDR4的CPU产品ZX-D,包含4核心和8核心两个版本,性能明显改善,推出的4核心ZX-E CPU主频达到2.4GHz,已经装备到笔记本电脑,装备台式机的8核心ZX-E CPU主频达到2.7GHz,装备服务器的8核心ZX-E CPU主频达到3.0GHz。手机芯片方面,海思推出全球首款量产的7nm手机芯片麒麟980。
以往我国晶圆制造技术距离国际先进水平约有二代左右的差距,装备、材料上的差距更大,但是经过这些年的追赶,已经有了较大幅度的提高,形成了适合自身的技术体系,建立了相对完整的产业链,产业生态和竞争力得到完善和提升。芯片制造方面,目前已建成12英寸生产线10条,并有多条12英寸生产线处于建设当中,65nm、40nm、28nm工艺实现量产,中芯国际14nm工艺取得突破,试产良率从3%提升到95%。芯片封测方面,部分企业在高端封装技术上已达到国际先进水平。长电科技实现了高集成度和高精度SiP模组的大规模量产,通富微电率先实现7nm FC产品量产,华天科技开发了0.25mm超薄指纹封装工艺,实现了射频产品4G PA的量产。集成电路设备方面,中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机通过台积电验证,性能优良,将用于全球首条5纳米制程生产线。集成电路材料方面,第三代集成电路碳化硅材料项目及成套工艺生产线已正式开建。200mm硅片产品品质显著提升,高品质抛光片、外延片开始进入市场;300mm硅片产业化技术取得突破,90—65nm产品通过用户评估,开始批量销售。测射耙材及超高纯金属材料取得整体性突破,形成相对完整的耙材产品体系。
产业投入保持增长
2019年发展后劲较强
尽管取得一定的成绩,但是我国集成电路距离国际先进水平差距依然很大,发展面临一系列挑战。首先,提供的产品仍然远远无法满足市场需求,特别是微处理器、存储器等高端芯片领域,仍在呼唤我国企业的创新成果。其次,总体技术路线尚未摆脱跟随策略,跟在别人后面亦步亦趋的状况没有根本改变,产品创新能力有待提高。IC设计公司依靠工艺和EDA工具进步实现产品升级换代的现象尚无改观,能够自已根据工艺自行定义设计流程,并采用COT设计方法进行产品开发的企业仍然是凤毛麟角。再次,在CPU等高端通用芯片领域,由于差距较大,尚无法与国际主要玩家同台竞争,不得不将主攻方向转向特定市场。最后是人才极度匮乏的状况没有改观。根据《中国集成电路产业人才白皮书(2017-2018)》,截止到2017年年底,我国集成电路行业从业人员规模在40万人左右。到2020年前后,我国集成电路行业人才需求规模约为72万人左右,人才缺口将达到32万人。而未来两年,我国高校能够培养出来的毕业生总数大概只有3.5万人。
展望2019年,集成电路产业发展依然保持较强后劲。IC Insights预测,2018年中国集成电路公司的资本支出约合110亿美元,数额达到2015年投入的5倍,超过日本和欧洲公司今年的相关资本支出总和,且2019年投入规模持续扩大,随着年底大基金二期募资的完成以及更多地方政府资金的投入,我国集成电路产业的投入将保持增长态势。面对发展的机遇与挑战,未来中国集成电路产业只有坚定信心,面向国际市场进一步开放,合作共赢才能取得更大进步。
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