如何解决STM32在擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位的问题-德赢Vwin官网网

客户反馈在使用STM32F412的时候，擦除Sector 8~11发现时间过长，从而导致意外触发IWDG复位。

问题分析

问题详情

通过与客户邮件和电话沟通，了解到客户主要是想使用内部FLASH暂时保存IAP升级时的程序数据，在IAP升级的过程中，需要首先擦除内部FLASH中一块足够大的空间，然后再写入升级数据。客户的工程中有使用到IWDG，喂狗间隔大约1.5s，客户的通过SysTick的方式计算出擦除Sector8大约需要2ms,因此认为若一次擦除Sector8~11大约需要8ms，于是在代码中一次性擦除Sector8~11后最后再来喂狗，但是，这样会触发IWDG复位，这个与预期不一致，固此产生疑问。

问题重现

使用NUCLEO-F412ZG板尝试重现客户问题，主要代码如下：

此外，同时在每个SysTick中断输出一个波形，用来检测SysTick是否正常：

最终得出的波形如下:

如上图，黄色为PC8脚波形，表示擦除FLASH的时间,下面蓝色为PA11管脚波形，表示SysTick波形。

从上图可以看出擦除Sector8所需要的时间是800ms,这个与客户认为的2ms是不一致的。查看STM32F412的数据手册，在第6.3.12节中可以看到如下信息:

如上图，在PSIZE=32时，擦除一个128K的扇区需要大概1S(典型值)的时间，而我们从图1中实际测出的为800ms，这个基本相差不大，单与客户认为的2ms相去甚远，基本上我们认为这里的800ms是正确的结果，但是这个又是什么原因导致客户通过SysTick测出的值是错误的呢？

实际上，从图1我们也可以看出，在擦除FLASH的期间，SysTick是没有波形的(见图1下面蓝色波形)，同时在参考手册3.5节中有如下信息：

这句话的意思是说，在擦除FLASH的期间，若尝试读取FLASH，则会被暂停，实际这个”读取”是指取指，我们都知道，程序的执行首先得通过从FLASH中通过I-BUS取出指令后才可以执行。这里SysTick之所以会被暂停掉，就是因为在擦除FLASH期间，为了执行SysTick中断例程，内核会尝试从FLASH取指，从而导致被暂停掉，进而全局变量uwTick的值没有机会增加。下图是调试界面：

如上图，在执行擦除扇区后，SysTick的全局变量uwTick就增加了1，但SysTick在内核中的寄存器还是有变化的。这个与我们的预想一致。

最后客户通过每擦除一个扇区喂一次狗的方式解决了问题，而在此期间不能依靠SysTick的值来计算时间。

结论

○在擦除FLASH期间，取指操作会被暂停掉，且SysTick所对应的全局变量uwTick值是不会增加的。

○另外，通过函数HAL_FLASHEx_Erase_IT()来执行擦除FLASH和通过函数HAL_FLASHEx_Erase()所花费时间没有差别，只不过前者在擦除完成后会产生一个中断，而后者没有。

○可以通过外设RTC来计算擦除FLASH的时间，从而绕开限制。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

FlaSh

FlaSh

+关注

关注
10

文章
1633

浏览量
147935
STM32

STM32

+关注

关注
2270

文章
10895

浏览量
355707
RTC

RTC

+关注

关注
2

文章
538

浏览量
66456

原文标题：STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析

文章出处：【微信号：STM32_STM8_MCU，微信公众号：STM32单片机】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

STM32单片机内部FLASH的编程和擦除操作

F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后会是0xFFFFFFFF，而L1系列的芯片FLASH在擦除

发表于 02-14 16:37 •2.2w次阅读

<b class='flag-5'>STM32</b>单片机<b class='flag-5'>内部</b><b class='flag-5'>FLASH</b>的编程和<b class='flag-5'>擦除</b>操作

请问高手们STM32F105芯片的内部flash能快速擦除吗？

请问高手们STM32F105芯片的内部flash能快速擦除吗？因为要做个升级系统的程序，一页一页的擦除内

发表于 04-13 15:25

嵌入式STM32F412擦除内部FLASH时间过长

1 前言客户反馈在使用STM32F412的时候，擦除sector 8~11发现时间过长，从而导致

发表于 04-03 13:24

STM32内部FLASH操作过程

一般说STM32内部FLASH就是指主存储器区域写内部FLASH操作过程解锁在对FLASH写数据

发表于 12-09 06:37

片上flash的擦除会导致蓝牙的断连怎么解决

收发数据2.2 flash擦除时间过长使用flash_erase_sector(u32 addr)去擦除

发表于 03-02 06:24

为什么刷新IWDG会导致FLASH->SR->CFGBSY位卡在SET上呢？

在 IWDG 尚未初始化时尝试刷新它时，会导致 FLASH->SR->CFGBSY 位卡在 SET 上。它永远不会归零。我在参考手册和

发表于 01-17 08:58

擦除Flash导致WWDG溢出解决方法

在开启 WWDG 后，擦除 Flash 可能导致 WWDG 溢出复位，这种情况如何解决？

发表于 10-20 06:45

如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序，无法在线调试的问题

本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序，无法在线调试的问题；如果您遇到相同的问题，希望本文可以带来一些帮助； 1 FL

发表于 12-22 16:51 •1.4w次阅读

STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位

STM32擦除内部FLASH时间过长导致

发表于 07-30 11:06 •3次下载

STM32内部Flash读写问题

读写要注意几点keil的.map文件中包含了什么操作不当导致Flash损坏会怎样Flash上锁与解锁Keil编译器如何查看MCU寄存器的值Flash读、写、

发表于 12-01 20:21 •20次下载

软件优化Flash擦除时间长的方法

概述：通过地址的偏移，巧妙的避开Flash擦除长时间占用CPU的使用。 MCU-STM32H743，编译环境-Keil说明：基础知识可以看：F

发表于 12-01 20:36 •4次下载

STM32 flash擦除错误的问题临时解决措施

STM32 Flash擦除错误故障现象解决办法故障现象我们研发的设备，在擦除0x0800FC00这一配置页时，发现0x0800E800的数据

发表于 12-02 10:36 •8次下载

STM32读写内部flash注意点

STM32读写内部flash注意点先说注意点怎么写怎么读的总结先说注意点1、写之前的第一步是要先解锁flash，解锁后最好清除下所有的flag，然后是

发表于 12-02 11:21 •7次下载

解决stm32f103同一个扇区flash只能擦除一次，再次擦除报FLASH_ERROR_PG错误问题

项目中用到stm32内部flash存储一些系统运行数据，每次上电重新加载保存的数据。早先用法如下图所示，擦除之前每次要关闭总中断，解锁flash

发表于 12-02 11:51 •16次下载

如何解决STM32芯片Flash写保护的问题

本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序，无法在线调试的问题;如果您遇到相同的问题，希望本文可以带来一些帮助。

发表于 03-14 17:24 •1.1w次阅读

搜索历史

如何解决STM32在擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位的问题

评论

STM32单片机内部FLASH的编程和擦除操作

请问高手们STM32F105芯片的内部flash能快速擦除吗？

嵌入式STM32F412擦除内部FLASH时间过长

STM32内部FLASH操作过程

片上flash的擦除会导致蓝牙的断连怎么解决

为什么刷新IWDG会导致FLASH->SR->CFGBSY位卡在SET上呢？

擦除Flash导致WWDG溢出解决方法

如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序，无法在线调试的问题

STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位

STM32内部Flash读写问题

软件优化Flash擦除时间长的方法

STM32 flash擦除错误的问题临时解决措施

STM32读写内部flash注意点

解决stm32f103同一个扇区flash只能擦除一次，再次擦除报FLASH_ERROR_PG错误问题

如何解决STM32芯片Flash写保护的问题