1 Power Integrations推新款SIC MOSFET门极驱动器-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Power Integrations推新款SIC MOSFET门极驱动器

西西 来源:Power Integrations 作者:厂商供稿 2019-02-27 12:46 次阅读

最大的峰值输出门极电流;快速关断;最佳绝缘。

美国加利福尼亚州圣何塞,近日讯:深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。

SIC1182K可在125°C结温下提供8 A驱动,因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC-MOSFET逆变器设计。这样将提高系统效率,客户只需完成一个设计即可覆盖整个产品阵容中不同额定功率的逆变器。开关频率高达150 kHz,可支持多种应用。

SCALE-iDriver SIC1182K SiC门极驱动器采用Power Integrations的高速FluxLink™通信技术,可大幅增强绝缘性能。FluxLink是一项革新性的信号传输技术,它可取代光耦器和电容性或硅基方案,显著提高可靠性并提供1200 V加强绝缘。SCALE-iDriver器件还集成了多项对系统至关重要的保护特性,例如退饱和监控和电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)以及高级有源钳位(AAC)。此外,保护电路还可以在5微秒内提供安全关断,满足SiC器件的快速保护需求。SIC1182K SiC门极驱动器还具有较强的外部磁场抗扰性能,其封装可提供≥9.5 mm的爬电距离和电气间隙,并且所采用的材料达到了IEC60112标准的最高CTI级 —— CTI600。

Power Integrations门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技术开启了减小尺寸和重量的大门,并且还可以降低电源系统的损耗。SCALE-iDriver产品系列采用FluxLink™技术,可设计出外围元件数非常少且性能安全的高性价比逆变器,确保功能安全、封装尺寸更小和效率更高。”

SCALE-iDriver技术可大幅减少所需的外围元件数,并降低BOM成本;不需要使用钽电容电解电容,只需要一个副方绕组即可。可以使用双层PCB来进一步简化设计、减少元件数和简化供应链管理。

Power Integrations的SCALE-iDriver SIC1182K SiC门极驱动器符合1000 V以下低压设备IEC60664-1绝缘配合标准以及IEC61800-5-1电机驱动变频器标准。新器件即将进行UL 1577安全标准的1分钟内5 kVAC瞬间绝缘耐电压等级认证,VDE0884-10认证正在进行中。

该器件现已开始供货,以10,000片为单位订货,单价为4.65美元。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • asic
    +关注

    关注

    34

    文章

    1199

    浏览量

    120428
  • Power
    +关注

    关注

    1

    文章

    499

    浏览量

    67742
  • 门极驱动器
    +关注

    关注

    1

    文章

    25

    浏览量

    9518
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    MOSFET驱动器的功耗计算

    MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分: 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于
    的头像 发表于 10-29 10:45 364次阅读
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驱动器</b>的功耗计算

    SiC MOSFETSiC SBD的区别

    SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC SBD(碳化硅肖特基势垒二管)是两种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导
    的头像 发表于 09-10 15:19 1500次阅读

    碳化硅栅极驱动器的选择标准

    利用集成负偏压来关断栅极驱动在设计电动汽车、不间断电源、工业驱动器和泵等高功率应用时,系统工程师更倾向于选择碳化硅 (SiC) MOSFET,因为与 IGBT 相比,
    的头像 发表于 08-20 16:19 369次阅读
    碳化硅栅极<b class='flag-5'>驱动器</b>的选择标准

    MOSFET驱动器的分类和应用

    MOSFET驱动器是一种用于驱动MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的电路设备。MOSFET作为一种重要的半导体器件,在电子工业中有
    的头像 发表于 07-24 16:21 660次阅读

    Power Integrations推出BridgeSwitch-2系列集成半桥(IHB)电机驱动器IC

    Power Integrations推出BridgeSwitch-2系列集成半桥(IHB)电机驱动器IC,进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案。这些高压器件支持30W至746W(1
    的头像 发表于 07-10 16:29 831次阅读

    新一代驱动器产品,PI SCALE-iFlex™ XLT如何脱颖而出?

    系统和新能源市场的飞速发展,驱动器在产品容量和母线电压等关键性能上的应用需求日益明显。为了更好地满足当前储能系统和新能源市场的需求,深耕于中高压逆变器应用
    的头像 发表于 05-27 14:55 308次阅读
    新一代<b class='flag-5'>驱动器</b>产品,PI SCALE-iFlex™ XLT如何脱颖而出?

    Power Integrations推出SCALE-iFlex XLT系列驱动器

    近日,Power Integrations公司宣布推出全新的SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型驱动器。这一系列产品专注
    的头像 发表于 05-27 10:18 469次阅读

    Littelfuse发布IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

    近日,Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
    的头像 发表于 05-23 11:34 733次阅读

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅
    的头像 发表于 05-23 11:26 796次阅读

    用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

    :LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器
    发表于 05-23 11:23 777次阅读
    用于<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极<b class='flag-5'>驱动器</b>

    Power Integrations推出SCALE-iFlex XLT系列双通道即插即用型驱动器

    深耕于中高压逆变器应用驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-
    的头像 发表于 05-22 10:03 455次阅读

    碳化硅模块(SiC模块/MODULE)大电流下的驱动器研究

    振荡问题尤为重要。针对这些问题,设计了大电流下SiC MOSFET功率模块的驱动器,包括电源电路、功率放大电路、短路保护电路、有源米勒钳位电路和温度检测电路。在分析了驱动振荡机理后,通
    发表于 05-14 09:57

    如何更好地驱动SiC MOSFET器件?

    IGBT的驱动电压一般都是15V,而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致,15V、18V、20V都有厂家在用。更高的
    的头像 发表于 05-13 16:10 621次阅读

    电桥电路栅驱动器MOSFET驱动器产品介绍

    电桥电路栅驱动器MOSFET驱动器产品介绍
    的头像 发表于 03-19 09:43 661次阅读
    电桥电路栅<b class='flag-5'>驱动器</b>和<b class='flag-5'>MOSFET</b>栅<b class='flag-5'>驱动器</b>产品介绍

    驱动器的重要性

    一个良好的功率电路不仅由静态器件如SiC和GaN MOSFETs组成,还包含了驱动器。这是一个独立的元素,位于电子开关之前,确保以最佳方式为其提供
    的头像 发表于 12-24 11:30 810次阅读
    <b class='flag-5'>门</b><b class='flag-5'>极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>的重要性