1 受中美贸易和DRAM跌价影响 SK海力士将放缓投产计划-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

受中美贸易和DRAM跌价影响 SK海力士将放缓投产计划

uwzt_icxinwensh 来源:yxw 2019-06-24 17:21 次阅读

据报道,由于中美贸易摩擦愈演愈烈,韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。

延缓投产计划,或华为有关?

SK海力士原本计划于今年的第3季度,全面开始运营其位于中国江苏无锡的C2F DRAM制造工厂。据了解,名称为C2F的DRAM制造工厂是由SK海力士耗资超过9500亿韩元,历时两年建造而成,该工厂主要用于推出更先进制作工艺的DRAM芯片产品

一名知情人士表示,“全面运营C2F工厂的计划,受到中美贸易带来的影响而被推迟。”媒体报道称,言论暗示了SK海力士C2F工厂的延期计划,与华为被美国商务部列入实体名单而导致市场内存芯片需求下降,有一定的关系。

为什么这么说呢?根据SK海力士年报来看,该公司在2018财年,来自中国的销售额为15.8亿韩元(合933万人名币),占到其总营收的40%,华为占到12%。

营收主力跌价,业绩惨淡是主因?

另一方面,近来DRAM芯片价格下跌,也打击了SK海力士投产的积极性。

据TrendForce旗下的DRAMeXchange近期报告指出,第三季度DRAM价格将下降15%,比之前的估计低5个百分点。DRAMeXchange还预测,过去三个月价格将比上一季度进一步下降10%。

DRAM是SK海力士的主要业务,它占其整个销售额的80%,而NAND闪存业务则占18%。

一些全球和韩国本土市场分析师预测,今年下半年芯片价格将下跌,预计这家去年营业利润达到20.9万亿韩元的韩国芯片公司今年第四季度可能会出现亏损。

SK海力士今年第一季度的营收为1.4万亿韩元,创下2016年7-9月以来的最低水平。

“SK海力士一直在用DRAM业务的利润来弥补NAND闪存业务带来的损失,”来自Meritz分析师Kim Sun-woo表示,“而现在它将无法应对第四季度的损失。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    455

    文章

    50714

    浏览量

    423113
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27286

    浏览量

    218041
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2311

    浏览量

    183438
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    958

    浏览量

    38475

原文标题:受中美贸易和DRAM跌价影响,SK海力士将放缓投产计划

文章出处:【微信号:icxinwenshe,微信公众号:芯闻社】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SK海力士调整生产策略,聚焦高端存储技术

    近日,SK海力士正逐步调整其生产策略,降低DDR4的生产比重。在今年第三季度,DDR4的生产比重已从第二季度的40%降至30%,并计划在第四季度进一步降至20%。这一调整或意味着
    的头像 发表于 11-07 11:37 403次阅读

    SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM

    SK海力士宣布了一项重大技术突破,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力
    的头像 发表于 08-29 16:39 665次阅读

    SK海力士M16晶圆厂扩产,DRAM产能将增18%

    SK 海力士,作为全球知名的半导体巨头,近期宣布了一项重要的扩产计划,旨在通过扩大M16晶圆厂的生产规模,显著提升其DRAM内存产能。据韩媒报道,S
    的头像 发表于 08-16 17:32 1101次阅读

    SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

    SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK
    的头像 发表于 08-14 17:06 825次阅读

    SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

    在全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D
    的头像 发表于 06-27 10:50 622次阅读

    SK海力士五层堆叠的3D DRAM生产良率达到56.1%

    )提交了一份关于3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展,更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓
    的头像 发表于 06-24 15:35 754次阅读

    SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

    SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中,首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志着MOR技术
    的头像 发表于 05-30 11:02 784次阅读

    三星和SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

     根据行业预估,三星和SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
    的头像 发表于 05-22 14:49 592次阅读

    SK海力士考虑新建DRAM工厂

    SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内
    的头像 发表于 05-06 10:52 554次阅读

    刚刚!SK海力士出局!

    在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK
    的头像 发表于 03-27 09:12 605次阅读

    SK海力士重组中国业务

    SK海力士,作为全球知名的半导体公司,近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道,SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局,计划关闭
    的头像 发表于 03-20 10:42 1351次阅读

    SK海力士持续投资无锡的原因

    无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM
    发表于 01-31 11:23 813次阅读

    三星电子和SK海力士联合投资622万亿韩元 推进“超级集群”计划

    三星电子和SK海力士联合投资622万亿韩元,推进“超级集群”计划
    的头像 发表于 01-23 11:35 645次阅读

    SK海力士计划提升中国无锡工厂技术水平,推动半导体产业发展

    随着全球半导体市场的复苏,SK海力士认识到,为了保持市场地位,推出更高性能的DRAM产品是必要的。
    的头像 发表于 01-15 15:53 1209次阅读

    传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

    数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强
    的头像 发表于 01-08 10:25 989次阅读