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发布了文章 2024-12-20 17:04

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET

750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封装的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度坚固的SiCMOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实现了最高的效率和功率

MOSFET SiC 英飞凌

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发布了文章 2024-12-19 19:00

新品 | 6EDL04x065xT 系列三相栅极驱动器

样品活动进行中，扫码了解详情新品6EDL04x065xT系列三相栅极驱动器650V三相栅极驱动器，带过电流保护(OCP)、使能(EN)、故障检测和集成自举二极管(BSD)产品型号：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT产品特点英飞凌薄膜-SOI技术最大阻断电压+650V输出源/吸收电流+0.165A/-0.375A集成

三相栅极驱动器英飞凌驱动器

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发布了文章 2024-12-18 17:20

抢先领取！高压CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮书推荐

高压CoolGaNGITHEMT（高电子迁移率晶体管）可靠性和验证的白皮书共33页，被翻译成中文和日文，主要介绍了英飞凌如何实现CoolGaN技术和器件使用寿命，且大幅超过标准的规定，详细阐述了英飞凌用于验证CoolGaN器件的四个方面的流程。硅的故障机制清晰，验证方法非常成熟，但传统的硅验证工艺无法直接应用于GaN技术产品，因为GaN器件的材料和结构特性与

HEMT 晶体管白皮书高压

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发布了文章 2024-12-17 17:03

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获殊荣，荣获极光奖两项大奖

英飞凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣，荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。与此同时，凭借其在碳化硅技术领域的持续创新突破及产品性能的显著提升，英飞凌被授予“第三代半导体年度标杆领军企业”的荣誉。点击可查看大图此外，作为功率半导体行业的领导者，英飞凌持续致力于碳化硅技术的革新与发展，推动市场向更高功率等级与更高能

MOSFET 半导体英飞凌

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发布了文章 2024-12-16 17:22

功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

样品活动进行中，扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理

功率半导体功率器件测量热设计

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发布了文章 2024-12-13 17:04

新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相栅极驱动器

新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相栅极驱动器650V和300V三相栅极驱动器，带过电流保护(OCP)、使能(EN)、故障检测和集成自举二极管(BSD)产品型号：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR产品特点英飞凌薄膜-SOI技术最大阻断电压+650V输出源/吸收电流+0

BSD 二极管驱动器

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发布了文章 2024-12-12 17:03

新品 | 3300V,1600A二极管IHV B模块

新品3300V,1600A二极管IHVB模块知名的IHVBIHVB3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进，以满足牵引和工业应用（如中压传动或HVDC）当前和未来的要求。这是首次扩展二极管产品组合，DD1600S33HE4是同类最佳的3.3kV二极管模块，足以取代原来2个双二极管3.3kV模块。它采用发射极可控EmCon4二极管，功率循环能力更强，标准封装

二极管模块

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发布了文章 2024-12-11 17:04

深度 | GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？

/编辑推荐/氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体

GaN SiC 功率半导体半导体开关电源

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发布了文章 2024-12-11 01:03

功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲

二极管功率器件浪涌电流热设计

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发布了文章 2024-12-10 01:00

英飞凌推出新型EiceDRIVER™ Power全桥变压器驱动器系列，适用于结构紧凑、经济高效的栅极驱动器电源

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容，为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压，以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极

电源英飞凌驱动器

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