基于PVD 薄膜沉积工艺
PVD篇 PVD是通过溅射或蒸发靶材材料来产生金属蒸汽，然后将金属蒸汽冷凝在晶圆表面上的过程。应用材....
什么是Hybrid Bonding？Hybrid Bonding是铜铜键合吗？
在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump....
TSV关键工艺设备及特点
TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工....
DISCO：一家少被提及的半导体设备巨头
在深入探讨这些主题之前，让我们简要介绍一下公司的历史以及他们独特的文化。在专注于半导体之前，DISC....
DRAM的电容技术发展历程
通过控制温度来控制晶相，将非晶AlO、T相ZrO制作为新型介质薄膜。因为主要贡献点是EOT很低的新型....
一文解读DRAM的9大刻蚀技术
在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆....
台积电3nm FinFET工艺
最小 Lg 是沟道栅极控制的函数，例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极....
台积电：未来十年的CMOS器件技术
添加更多的栅极（例如在 FinFET 中），将使其中的沟道被限制在三个栅极之间，从而能够将 Lg 缩....
志橙半导体：半导体芯片设备提供核心部件-SiC涂层石墨基座
志橙半导体成立于2017年底，专注于为半导体芯片设备提供核心部件-SiC涂层石墨基座，据称是国内首家....
微导纳米募集资金10亿元将聚焦光伏、半导体两大赛道
2019年、2020年和2021年，微导纳米的营收分别为2．16亿元、3．13亿元和4．28亿元；净....
晶体管缩放：将FinFET扩展到5nm以上;启用门全方位拐点
FinFET路线图有三个重要的技术挑战：翅片弯曲、高k金属栅极（HKMG）和接口关键尺寸缩放以及源极....
海力士：引领High-k/Metal Gate工艺变革
栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成....
蔡司PROVE - 光掩膜量测解决方案
和晶圆制造工艺类似，图形放置位置是光掩膜量测中相当重要的一部份。完整的芯片设计不仅对每一层光掩膜的特....
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