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图所示的 电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于 IGBT，用来检测由于过流而过饱和的 IGBT 的电压。这就是说，它也可以用于 MOSFET。对于 MOSFET，原理相似，因为过载时 FET 上的电压将会显著增加。
图欠饱和检测电路图
计算 电阻值用下面的方法。
Rg 是门极电阻，选择适当阻值以优化开关速度和开关损耗。
R1 典型值为 20k；高的阻值有助于最大限度地减小由于 二极管D1 而增加的弥勒 电容，确保没有显著 电流从 HO 流出。注意二极管 D1 应具有和自举二极管一样的特性。
当 HO 输出为高时，MOSFET（也可以是 IGBT）Q1 开通。则图 6 中的 X点被拉低至一个电压，此电压等于 FET 上的压降 Vds 加上二极管 D1 压降。所以，当 FET Q1 上的压降达到你所设定的指示过载故障的限值时，我们将关掉 驱动器输出。
所以 Q1 上 Vds 电压为 10V。一个的 超快恢复二极管的典型电压值为1.2V。
Vx=VD1+VDS
Vx=1.2+10
Vx=11.2V
计算 电阻值用下面的方法。
Rg 是门极电阻，选择适当阻值以优化开关速度和开关损耗。
R1 典型值为 20k；高的阻值有助于最大限度地减小由于 二极管D1 而增加的弥勒 电容，确保没有显著 电流从 HO 流出。注意二极管 D1 应具有和自举二极管一样的特性。
当 HO 输出为高时，MOSFET（也可以是 IGBT）Q1 开通。则图 6 中的 X点被拉低至一个电压，此电压等于 FET 上的压降 Vds 加上二极管 D1 压降。所以，当 FET Q1 上的压降达到你所设定的指示过载故障的限值时，我们将关掉 驱动器输出。
所以 Q1 上 Vds 电压为 10V。一个的 超快恢复二极管的典型电压值为1.2V。
Vx=VD1+VDS
Vx=1.2+10
Vx=11.2V
IR2127 CS 端开启电压为 250mV，所以我们需要对 Vx 分压，使 Vx=11.2V 时，Vy=250mV。
VY=Vx * R3/(R2+R3) 设 R2=20k R3=457
PCB布板注意事项
以下是在应用电流传感驱动器时布板需要注意的几点。
1）尽可能缩短输出到门极的连线（小于 1 inch 比较合适）。
2）使电流检测电路尽可能靠近IC以使由电路耦合噪声引起误触发的可能性降到最低。
3）所有大电流连线尽可能加宽以减小电感。
4）更进一步的布线提示可以参考设计提示 97-3“由控制 IC 驱动的功率电路中的瞬态问题的处理”
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