三洋推出面向专业音响设备的可充电式电源Eneloop music booster
三洋公司近日发布了一款面向专业音响设备的供电产品Eneloop music booster，这款独特的产品内部集成了9V锂电
2009-12-30 10:54:35
947 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 英飞凌科技股份公司（FSE代码： IFX / OTCQX代码： IFNNY）进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。
2013-05-20 11:31:282572 【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361028 
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网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 
7引脚封装的1200 V CoolSiC™ MOSFET （一种表面贴装器件）。它将三个应用整合在一起，在一个尺寸仅为425 x 865 x 160 mm3的紧凑封装中实现了三个一系统的设计，具有重要
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
S7 1200 与Labview TCP/IP通讯测试labview监控I输入和控制输出。
2017-05-31 22:53:26
通过以太网与S7-300系列PLC通信，不需要适配器。该示例提供了一个API，用于读取/写入PLC上的寄存器。[tr]据我所知，西门子从未公布过S7协议的细节。在S7上公开提供的大部分内容都是
2019-02-15 23:51:31
我们来介绍下S7-200 Smart PLC的S7单边通信指令。
2021-01-06 06:12:42
S7通信是S7系列PLC基于MPI、PROFIBUS、ETHERNET网络的一种优化的通信协议，主要用于S7-300/400PLC之间的通信。经过测试发现S7-1200与S7-200 SMART
2020-12-22 16:00:28
这是S7-1200与S7-200 Smart系列PLC的S7通信教程的第1篇文章。本章我们打算和大家聊聊西门子的S7通信协议。
2020-12-30 07:47:04
需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如
2019-03-06 06:30:00
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
、LED照明及许多未知恒流领域。新的恒流器件能在宽输入电压范围（最高耐压100V）内工作而无需任何辅助元件，为各领域工程师提供适合他们应用的简单、高性价比恒流方案，且不须放弃性能。 S系列恒流二极管提供
2011-06-02 12:08:22
20世纪60年代末就提出了IGBT的构想，但直到20世纪80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”（PT）工艺，开关频率可以达到15 kHz，但当多个这样的器件并联时，集电极
2018-12-03 13:47:00
，如图5和图6所示。图5和图6将新一代基于C6技术的650V CFD2器件与英飞凌前代基于C3技术的600V CFD进行对比。 图5Qrr 与通态电阻关系，测量条件为25°C 。将80 mΩ、310 m
2018-12-03 13:43:55
你好，我正在测试可升级的堆栈的OTA固件更新功能。固件更新过程使用Moto G4 Android设备正常工作，但在Android 7的三星Galaxy S7边缘，该过程陷入了输入Bootloader
2018-12-24 16:14:53
GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
LED12-85V输入降压恒流无需防反接二极管无续流二极管外围超简单！超高性价比LED驱动方案！12-85V降压恒流驱动芯片车灯IC高精度1%产品描述 特点应用领域 应用原理图 AP2918 是一
2020-09-11 21:35:43
Labview 的S7 200 modbu程序s 协议
2015-12-17 08:56:58
散热性能。结论通过推出适用于200 V和250 V电压级的OptiMOS 3器件，如今，英飞凌科技的产品已经覆盖从25V至250V的整个电压范围。无论任何电压等级，OptiMOS 3都具备一流的静态
2018-12-07 10:21:41
SIMATIC是什么？SIMATIC包括哪些？SIMATIC S7 PLC是什么？SIMATIC S7 PLC分为哪几类？
2021-09-27 08:16:19
renesas touchgfx demo on synergy s7 pe-himi1 源代码，请问谁有？可发送一下给我，邮箱sm2669@163.com,谢谢！
2020-02-20 11:45:31
vivo手机s7是5g手机吗，8月3日，vivo发布了最新的5G旗舰机型S7。S7 170g的整机重量和7.39mm的机身厚度，瞬间让其成为年轻用户追捧的热点。一、厚重的5G手机众所周知，5G手机
2021-07-27 07:29:15
高压。额定电压每增加一倍，维持相同的RDS(on)所需的面积就增加为原来的五倍以上。对于额定电压为600V的MOSFET，超过95%的电阻来自外延层。显然，要想显著减小RDS(on)的值，就需要找到一
2017-08-09 17:45:55
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
低内阻超结MOS NCE08N608A 600V内阻600豪欧封装TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
大联大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飞凌汽车LED大灯驱动解决方案，不同于传统白炽灯需要恒定直流电源供电，而且需要一系列保护功能和状态回馈，LED将让汽车照明更有效率且具有更多优势
2018-12-12 09:50:04
国内第一颗量产超结MOS（可替代英飞凌coolmos）大家好！我司是国内专业设计大功率MOS器件的公司。现我司已经实现了SJ-MOS的量产，可替代英飞凌的coolmos。这是我公司的网址
2011-01-05 09:49:53
和高性能的碳化硅 MOSFET之间，在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET，可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡，具有重要的应用价值，特别适用于对功率密度提升有需求，同时更强调性价比
2023-02-28 16:48:24
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超结MOSFET: 3/5 A、600V 内置快速恢复二极管N沟道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 从这两项技术
2018-11-20 10:52:44
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电
2023-02-27 10:02:15
如何去搭建一种基于S7-PLCSIMAdvanced的S7通信仿真环境？在搭建好仿真环境后需注意哪几个地方？
2021-08-09 07:23:49
介绍下如何在S7-1200和S7-200 Smart之间进行S7单边通信。
2021-01-15 06:00:38
。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19:33
`常年高价回收西门子CPU(S7-200/S7-300/s7-400-s7500)模块，大量高价收购西门子S7-300、400、6GK、6DD、6SL、6FC、6SN、6SE、6EP、6SX
2020-06-09 08:23:08
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
创客的创意及技术并没有好到这个程度，要么有了一个能颠覆全球的创意，但被技术实力捆手捆脚，回馈你的只有无数个“臣妾做不到”。那么，一个团队到底是三流的还是一流的？从我后期创业成功的经验来看，早期的评判我
2015-09-21 13:25:10
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
增加，外延层需要更厚和更轻掺杂，以阻断高压。额定电压每增加一倍，维持相同的RDS(on)所需的面积就增加为原来的五倍以上。对于额定电压为600V的MOSFET，超过95%的电阻来自外延层。显然，要想显著
2018-10-17 16:43:26
负载供电。 值得一提的是， CoolMOS™ E6——作为英飞凌推出的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET，可以视作英飞凌不断创新的工匠精神和数年沉淀的行业经验的集大成之作。作为业内领先的超结
2017-04-12 18:43:19
本文概述了与低频MOSFET工作相关的各种特性和规格。相关信息了解MOSFET导通状态的漏源电阻MOSFET沟道长度调制假设您正在设计一个电动机控制电路，一个继电器驱动器，一个反极性保护电路或一个
2019-10-25 09:40:30
PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 内建横向电场MOSFET的主要特性 1、 导通电阻的降低 INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V
2023-02-27 11:52:38
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
供应600V20A高压超结mos管SVS20N60P7D2 ，提供SVS20N60P7D2参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-05-18 15:16:15
供应600V20A超结MOS士兰微SVS20N60FJD2，提供士兰微超结MOS SVS20N60FJD2关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:51:08
供应700V超结MOS管SVS70R600DE3，提供士兰微cool mos SVS70R600DE3关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 16:02:17
基本说明：MPI-131用于西门子 SIMATIC S7 系列 PLC（包括 S7-200、 S7-300、 S7-400）、西门子数控机床（840D,840DSL等）的以太网通讯，支持以太网编程下载、数据监控等功能。
2023-02-27 13:23:43
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 CX92735 科胜讯推出面向网络数码相框和互动显示设备
科胜讯系统公司宣布按计划推出面向日益增长的“网络”数码相框和互动显示设备（IDA）市场的
2009-07-20 10:54:26743 凌力尔特推出面向能量收集应用的超低电压升压型转换器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高度集成的升压型 DC/DC 转换器 LTC3108，该器件专为在采用极低输入
2009-12-03 08:39:34631 Magma推出面向大型SoC的增强版层次化设计规划解决方案
微捷码（Magma）日前发布了面向大型片上系统(SoC)的增强版层次化设计规划解决方案Hydra 1.1。新版产品提供了通道
2009-12-09 08:31:53888 Altera推出面向Stratix IV FPGA的最新开发套件
Altera公司近日宣布推出其面向 Stratix IV FPGA 的最新开发套件。Stratix IV E FPGA 开发套件具有业界最高密度、最高性能的 FPGA。该套
2009-12-09 08:45:26792 TI推出面向高电流DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率MOSFET
采用创新封装手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在标准封装尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI 推出面向高电流 DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率 MOSFE 采用创新封装手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流
2010-01-14 14:17:31388 德州仪器推出面向高电流DC/DC应用的功率MOSFET，可以显著降低上表面热阻
采用创新封装手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在标准封装尺寸下将散热效率提升80%、允许电流提高5
2010-01-15 08:39:05727 Atmel推出面向便携设备的全新单键式触摸控制器系列AT42QT101X
爱特梅尔公司(Atmel Corporation)宣布推出面向便携设备市场的全新单键式触摸控制器产品系列。新产品可使下一
2010-02-25 08:41:44753 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 汉王CeBIT上推出面向欧洲市场3G电纸书
网易科技讯 3月3日消息，2010德国汉诺威CeBIT展会近日开幕。汉王科
2010-03-04 08:44:04638 周四推出面向 Verizon Wireless 的 Skype mobile
Verizon Wireless 和 Skype 携手在美国最可靠的无线网络上提供庞大的全球通信社区和免费 Skype 对 Skype 通话服务
&
2010-03-24 16:59:05537 周四推出面向 Verizon Wireless 的 Skype mobile Verizon Wireless 和 Skype 携手在美国最可靠的无线网络上提供庞大的全
2010-03-26 08:50:35696 TI推出面向便携式应用的集成 HDMI 配套芯片
德州仪器 (TI) 宣布推出面向便携式应用核心 HDMI 控制器的业界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，该 TPD12S015
2010-03-27 10:41:15744 TI推出面向便携式应用的集成HDMI配套芯片TPD12S015
德州仪器 (TI) 宣布推出面向便携式应用核心 HDMI 控制器的业界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，该 TPD12S015 高度整合了 HDMI
2010-03-29 10:14:451146 ADI推出面向微波点对点和专有移动无线电应用、内置高压电荷泵的新型PLL频率
-- 新型 ADF4150HV PLL 频率合成器集成30V 电荷泵 ，最高工
2010-05-22 08:52:02506 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向 3.3V 和 5V 系统的多协议收发器 LTC2870 和 LTC2871，这两款器件具集成的
2010-12-10 09:25:28882 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）日前推出面向较低成本手机的 TMA140 TrueTouch® 控制器。
2012-03-05 09:11:20580 泰克3月19日在北京宣布，推出面向大学本科生基础实验室的TDS1000C-EDU系列数字示波器（见图1）。分为40MHz、60MHz和100MHz三种型号。起价7830元人民币。
2012-03-27 09:45:11697 2015年3月9日，德国慕尼黑讯——今日，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出面向中低功率汽车外部照明应用的LITIX™ Basic 系列LED驱动器。
2015-03-10 14:12:51989 2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091164 英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布资料）。新产品在IGBT上集成续流用体二极管
2016-11-14 14:51:361390 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 的发布，华为也正式推出面向全球的应用商店——AppGallery。目前华为P20系列已经预装这个应用，其他的华为手机用户也可自行下载。
2018-04-29 09:30:009095 
这是一个应用说明，专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高压MOSFET驱动程序。
2019-03-08 08:00:00
10 英飞凌联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298 1月10日消息，据外媒报道，微软公司将推出面向零售客户的新的云工具，希望成为客户在亚马逊、Slack、Salesforce之外的另一种选择。
2020-01-10 08:37:0021239 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 11月11日，联发科宣布推出面向下一代Chromebook笔记本的两款芯片组产品——MT8195、MT8192。
2020-11-11 09:50:461292 据外媒报道，三星目前已经推出面向笔记本电脑的OLED屏幕，并可提供出色的图像质量。
2021-01-06 15:03:022935 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
新思科技（Synopsys）近日推出面向台积公司N6RF工艺的全新射频设计流程，以满足日益复杂的射频集成电路设计需求。
2022-06-24 14:30:13868 2022 年 11 月 29 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET
2022-12-01 14:40:38324 
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
3月3日，联合电子官微发布，推出面向跨域融合的新一代整车运动域控制器VCU8.6平台。
2024-03-04 09:52:04414 
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