R系列IGBT-IPM的内部结构电路
2010-02-18 21:59:51
1805 
国际整流器公司IR推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-17 10:00:201085 
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:021252 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，适合在10kHz以下工作的电机驱动应用，包括冰箱和空调的压缩机。
2012-09-05 11:09:19999 全球知名半导体制造商ROHM开发出在连接信息设备与周边设备的USB Type-C连接器*1）中实现“USB Power Delivery（以下称“USBPD”）”的供受电控制器IC“BM92TxxMWV系列”。
2015-09-17 15:54:041453 全球知名半导体制造商ROHM面向需要大功率（高电压×大电流）的通信基站和工业设备领域，开发出耐压高达80V的MOSFET内置型DC/DC转换器 “BD9G341AEFJ”。
2015-10-28 14:09:032171 全球知名半导体制造商ROHM开发出高耐压风扇电机驱动器“BM620xFS 系列”，用于实现未来在全球市场拥有巨大需求的家用空调等家电产品的变频化。
2015-12-10 09:44:471221 全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共21种机型。这些产品
2018-04-17 12:38:467742 
全球知名半导体制造商ROHM开发出满足家电产品和工业设备等的小容量电机低功耗化需求的高效MOS-IPM（Intelligent Power Module）“BM65364S-VA/-VC（额定电流15A、耐压600V）”，产品阵容更加丰富。
2018-09-19 08:32:005110 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
2019-08-27 14:36:101100 ROHM针对这些挑战，于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC，并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC，在行业中处于先进地位。
2021-06-20 10:58:48961 
有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现
2022-06-27 09:45:401215 
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。 本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出
2011-11-25 15:46:48
在高压600V，额定电流10A的压缩机电机控制中，IGBT经常烧坏，主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收
2022-05-10 10:06:52
的交叠损耗一致，导通损耗一致。 特性二：由于一般情况下IGBT的规格书给出是一个额定电流的能量损耗，例如600V/600A条件下损耗为Eon和Eoff，但是由于实际工作点在700V，一般默认“电压
2023-02-24 16:47:34
`我需要通过LC电路产生一个1200A，2.5KHz的脉冲电流，所加电压500V，电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制，初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
半导体提供。 请注意，BJT的体区电阻和增益是环境温度的函数，器件在高温下更容易发生闩锁。 智能功率模块 （IPM） 的基本概念 多年来，IGBT制造商改进了器件物理特性，以实现更好的功率开关，这些
2023-02-24 15:29:54
高温下，此功能增加了IGBT的电流驱动并降低了导通损耗;此外，IGBT温度在芯片上检测，以便在最佳时序改变驱动电流。第7代IPM中使用的驱动电流功能提高了开关性能，降低了导通损耗，如下图所示：与没有
2023-02-22 17:01:26
相结合，可实现电机设备标准化。推荐产品：BM6202FS-E2；ROHM其它相关产品请 点击此处 了解特性参数：输出MOSFET电压：600V驱动器输出电流(DC）：±1.5A(最大)驱动器输出电流
2019-12-28 09:47:29
`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
，也就是说将近5mA的电流损耗在7805里了。有没有低损耗的电源芯片，可以最大限度的降低损耗呢？哪位神哥给推荐一个啊！
2019-10-25 03:59:57
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放电二极管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放电二极管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
IGBT 智能电源模块• 电机控制连接器（32 引脚）与 ST MCU 板接口• 用试验板和测试针进行进一步评估的通用概念• 极紧凑结构说明STEVAL-IPM07F 是一种基于小型低损耗智能
2023-09-08 08:02:09
STEVAL-IPM08B 紧凑型电机驱动电源板基于 SLLIMM™（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列模块（STGIB8CH60TS-L）。该产品为驱动大功率电机提供了一种经济实惠且易于
2023-09-13 08:05:58
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
`本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件
2015-05-29 10:47:00
。目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
SBD）* • Hybrid型的IGBT* • 显著降低损耗* • RGWxx65C系列* • 650V耐压* • 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开通损耗显著降低
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
STEVAL-IPM10B，基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的电机控制电源板。 STEVAL-IPM10B是一款基于SLLIMM（小型低损耗智能模块）第二系列模块
2019-07-01 14:23:46
STEVAL-IPM15B，基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的电机控制电源板。 STEVAL-IPM15B是一款基于SLLIMM（小型低损耗智能模块）第二系列模块
2019-07-02 09:47:51
STEVAL-IPM10F，基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的电机控制电源板。 STEVAL-IPM10F是一款基于SLLIMM（小型低损耗智能模块）第二系列模块
2019-06-28 08:36:40
STEVAL-IPM05F，基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的电机控制电源板。 STEVAL-IPM05F是基于SLLIMM（小型低损耗智能模塑模块）第二系列产品STGIF5CH60TS-L
2019-07-01 12:01:49
STEVAL-IPM07F，基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的电机控制电源板。 STEVAL-IPM07F是一款紧凑型电机驱动电源板，基于小型低损耗智能模块SLLIMM第二系列
2019-07-01 14:19:33
的电压为 15 V;- IGBT导通损耗Eon的能量，IGBT关断损耗Eoff的能量。测量条件：温度25和150°C;集电极-发射极电压600V;栅极-发射极电压±15V;栅极电路中的电阻 2.2
2023-02-22 16:53:33
通特性。 图2.对于不同的ROUTREF值，使用恒流源驱动器BM60059和1200V IGBT在空载时测量栅极电流和栅极电压。 图2显示了三种不同R的栅极电流和栅极电压波形奥特雷夫
2023-02-21 16:36:47
导读：日前，业内高性能硅方案的领先供应商安森美半导体开发出7款高集成度的三相智能功率模块（IPM），此7款IPM所具备的高集成度特性能够在提升白家电控制电路能效的同时并降低噪声。 安森美的7款
2018-09-27 15:30:00
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-05 10:01:25
了第二代600V的全新产品，该系列产品的ESD防护提升至2KV，开关损耗降低了30%，更加安全、耐用。电源管理类产品展柜前人潮涌动LED调光电源展示`
2016-03-17 10:42:05
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
时间内（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），该器件具备出类拔萃的开关性能和短路鲁棒性。结论利用英飞凌新型650V IGBT4可开发出专用于大电流应用的逆变器设计，以部署
2018-12-07 10:16:11
加深理解，最好还是参阅技术规格的标准值和特性图表。【标准SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止技术的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最新沟槽栅场终止技术的背景后，本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的
2009-11-20 14:30:27
88 低损耗超柔射同轴电缆AMR系列
应用环境
特性分析
2010-09-12 16:46:590 IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
1．1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211331 
IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司（IR）上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业，因美国谷歌向其出资而备受功率半导体
2012-05-18 11:43:441931 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:481938 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:40794 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，这些经过优化的新器件尤为适合不间断电源 （UPS）、太阳能、感应加热、工业电机和焊接应用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，并提供多种封装选择。
2014-05-14 13:58:421270 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 （IGBT） IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗，旨在为焊接应用做出优化。
2014-08-19 16:31:532356 2015年5月19日，TDK株式会社（社长：上釜 健宏）开发出最适合作为NFC用线圈的支持低损耗大电流的积层电感器MLJ1608系列，并已从4月起开始量产。
2015-05-20 17:21:021361 英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布资料）。新产品在IGBT上集成续流用体二极管
2016-11-14 14:51:361390 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 全球知名半导体制造商ROHM面向停车场车辆管理系统的车辆检测领域，开发出检测地磁的MI传感器*1“BM1422AGMV”。
2017-09-05 15:48:277894 ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30:571418 场阻型IGBT（Field-Stop IGBT，FS-IGBT）是近年来出现的一类非常重要的IGBT结构，FS层能实现通态损耗与器件耐压以及通态损耗与开关损耗之间的良好折中，因此FS型IGBT已经
2019-12-19 17:59:0025 ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。
2021-12-21 15:52:07978 
600V SPM® 2 系列热性能（通过安装扭矩）
2022-11-15 20:04:030 ROHM面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET的AC-DC转换器IC “ BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。
2023-02-08 13:43:17406 
关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM/li> 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 无需自举二极管和限流电阻 当保护电路被激活时，警报输出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐压IGBT IPM：BM6337x系列 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 优化内置...
2023-02-08 13:43:21869 ROHM新开发的“RGS系列”是满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压IGBT。此次推出的4款型号，传导损耗非常低，非常有助于应用的小型化与高效化。
2023-02-09 10:19:23456 
ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25723 
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。
2023-02-13 09:30:05515 
IGBT-IPM是一种集成电力模块，它由一个IGBT（可控硅反激开关）和一个IPM（智能功率模块）组成。它可以用于控制电机、变频器、变压器等电力电子设备，以实现高效、精确的控制。
2023-02-20 15:30:251770 “ BM2P06xMF-Z系列 ”。 查看详情 BM2P060MF-Z BM2P061MF-Z BM2P063MF-Z BM2P06xMF-Z系列是将ROHM的低损耗Super Junction
2023-04-04 12:40:05468 有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
：IM323系列的新成员是专门为家用空调和家用电器应用设计的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块具有优化的性能和紧凑的封装，可用于额定功率达1
2022-04-24 14:39:00533 
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 *1 ，开发出集650V GaN HEMT *2 和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB ” （ BM
2023-07-19 17:10:04253 
【哔哥哔特导读】微硕开发出高Bs宽温低损耗FP95B和高Bs低损耗FP91新材料，适用于电子变压器、PFC、扼流圈和大功率电感等领域，目前已进入量产阶段。 曾有光伏龙头企业的工程师对记者忧虑地表
2023-07-31 11:53:41525 德赢Vwin官网
网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 IGBT/IPM/DIPIPM定义及应用基础（2）
2023-12-05 10:26:20308 
IGBT/IPM/DIPIPM定义及应用基础（1）
2023-12-05 14:09:41332 
IGBT IPM的优点
2023-12-06 14:46:49228 
第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”为例进行介绍。 点击下载 成功实现功率器件热设计的4大步骤 IGBT IPM实例：封装 ✦ BM
2023-12-07 09:30:02263 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
有助于照明电源、电泵、电机等应用的小型化和薄型化！产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3
2023-12-12 12:10:01222 
IGBT IPM结合了IGBT的高效能和高电流承载能力以及IPM的智能化控制与保护特性，其优点可以总结如下： 集成度高： IGBT IPM将多个IGBT器件与驱动、保护等电路集成在一个模块中，减少
2024-02-23 10:50:10202 近日ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”，是采用了ROHM高速负载响应技术“QuiCur”的45V耐压LDO稳压器，
2024-03-06 13:50:21132 
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.近日宣布成功开发出车载一次侧LDO（低压差线性稳压器）“BD9xxM5-C”。这款新型LDO采用了ROHM独家的高速负载响应技术“QuiCur
2024-03-12 10:46:39205
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