半导体生产商ROHM株式会社（总部：京都市）开发出了车载电动动力转向等用途的长边电极类型电流检测用超低阻值贴片电阻器“PML100系列”，6432（2512）的尺寸可以实现3W的额定功率。该产品已经以月产300万个的规模开始量产（样品价格：20日元）。生产地是ROHM
2011-01-28 09:11:12
910 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:021252 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备，开发出一款内置MOSFET的升降压型DC/DC转换器*1）“BD83070GWL”，该产品实现了超高效率和超低消耗电流。
2019-07-11 17:35:44863 ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品，采用了第五代新微米工艺，实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。－40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%、－60V耐压产的导
2020-12-26 10:31:421901 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）开发出一款厚膜分流电阻器“LTR100L”，非常适用于工业设备和消费电子设备等的电流检测应用。
2021-11-08 14:19:562277 
罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。
2022-03-09 09:33:582652 
管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET
2019-06-14 00:37:57
系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道的饱和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
(脉冲)：±2.5A(最大值)输出MOSFET直流导通电阻：2.7Ω(Typ)工作箱温度：-20°C~+100°C结温：+150°C功耗：3.0W应用：空调；空气滤清器；水泵;洗碗机；洗衣机；通用OA设备典型应用框图：`
2019-12-28 09:47:29
` 全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用 LiDAR*1 的工业设备领域的 AGV*2
2021-07-30 17:06:44
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低压驱动；提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载和工业设备中的大功率应用，开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外，ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到
2023-03-14 16:13:38
。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34
来说，如何实现优秀的电源管理是非常重要的课题。我非常高兴通过和ROHM公司的合作，能够成功开发出适用于本公司新一代Atom™处理器的具有优异供电性能的平板平台。” ROHM利用在系统LSI、分立元器件
2019-04-10 22:10:31
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-05 10:01:25
降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商标。开关损耗和传导损耗更低
2018-12-04 10:23:36
新一代军用通信系统挑战
2021-03-02 06:21:46
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P对管
2011-04-15 11:51:00
MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 编辑
高性能音频和增强了的噪音抑制性能Fairchild二通道单刀双掷,低导通电阻的音频开关已经开发了通过减少音频爆破音的可能性来加强语音体验。它们包括了最近的特性,具体地说是拥有终端电阻,提供缓慢开启时间和允许负电压信号的能力。
2011-03-02 23:11:29
跨越沟道的导通时间减小，这样允许工作的开关频率就可以提高；（2）沟槽宽度小，沟道完全开通所加的G极电压可以降低，导通更容易，开关损耗降低；（3）沟槽宽度减小，沟道导通电阻降低，也更一进降低导通损耗
2017-01-06 14:46:20
。此外，若给定了导通电阻，则需要一个更大的晶圆来实现，但是这会增加栅极电荷，导致降低器件的开关速度。 图4图4显示的是，在最常见的低压MOSFET中，封装电阻占晶圆尺寸最大的器件的总电阻的比例。若要
2018-12-07 10:21:41
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
公司也有生产，但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压，还实现了低导通电阻与低栅极电荷，开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET的导通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22
。另外，这里提供的数据是在ROHM试验环境下的结果。驱动电路等条件不同，结果也可能不同。关键要点:・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。・SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
专门的沟槽式栅极结构（即栅极是在芯片表面构建的一个凹槽的侧壁上成形的），与平面式SiC MOSFET产品相比，输入电容减小了35%，导通电阻减小了50%，性能更优异。图4 SCT3030KL的内部电路
2019-07-09 04:20:19
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58:00
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-05-07 06:21:55
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性区的过程，也就
2017-04-06 14:57:20
红包，以上感谢您的支持与理解▌产品展示一、模拟技术01 世界最少消费电流DC/DC转换器 “Nano Energy”ROHM面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备等电池驱动的电子设备，开发出实现世界最小消耗
2018-10-17 16:16:17
；④ FU5821程序解析；⑤ 单相电机效率优化策略;直播回放：http://t.elecfans.com/live/1743.html直播课件：附件为新一代双核单相MCU：FU5821硬核解密直播PPTPPT中附有 FU5821开发板免费试用活动~~~欢迎加入电机控制技术交流群
2022-02-22 11:47:34
导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成Mosfet管的永久失效；3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
来模拟一种故障条件。接地连接测试仪也采用欧姆定律的原理。它们测量保护接地线和金属外壳上测试点之间的电压降，利用已知的电压降和施加的电流来计算最终的电阻测量值。 设计接地导通电阻测试仪校准器的难点
2017-09-30 09:38:49
低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，ldo是一个自耗很低的微型片上系统（soc）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟...
2021-11-15 08:38:05
低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，ldo是一个自耗很低的微型片上系统（soc）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟...
2021-11-15 09:11:12
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
NCP45521的典型（热插拔）电路是一种负载开关，可通过软启动为浪涌电流限制提供高效电源域切换的元件和面积减少解决方案。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控
2020-04-17 10:09:17
需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边
2018-10-19 16:47:06
非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43
，二边的P区中间夹着一个N区，由于二个P区在外面通过S极连在一起，因此，这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
新一代数据中心有哪些实践操作范例？如何去推进新一代数据中心的发展？
2021-05-25 06:16:40
用的电路板可以更加小型化，而且线路安装设计也有了更大的灵活性。另外，由于采用了新开发的低导通电阻芯片，在使封装小型化的同时实现了与现有SOP8 Dual产品同样低的导通电阻。ROHM将要逐步大量生产封装
2018-08-24 16:56:26
上一篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的导通电阻对传递函数的影响”。本次也采用同样的方法展开探讨。推导出的传递函数同样为和，同样按两个步骤来推导。开关
2018-11-30 11:48:22
斯巴鲁近日宣布将从明年起运用其新一代EyeSight安全系统，并在10月2日首先透露了新一代产品的细节。
2020-08-26 07:28:47
求推荐一款导通电阻毫欧级别的常闭型固态继电器，或者其他的导通电阻很小的也行,不想用电磁继电器，要求就是常态下是闭合，给电才导通
2021-01-09 09:50:06
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡，这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET器件的内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导通电阻具有正的温度系数，因此并联工作
2016-09-26 15:28:01
的应用优势优于 IGBT。考虑到所有开关损耗、导通电阻相关传导损耗和内部二极管的正向电压损耗，基于 SiC MOSFET 的设计比基于 IGBT 的同类设计可节省约 66% 的损耗（图 2）。这种效率改进为
2023-02-22 16:34:53
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
5A左右的MOSFET。例题的电路选定ROHM的R8005ANX（800V、5A）。此外，该MOSFET的导通电阻 1.6Ω，封装则是TO-220F。再来，实际使用上述的MOSFET，在电路测量Vds
2018-11-27 16:58:28
方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30％，实现了芯片尺寸的小型化。另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装，使SiC-MOSFET的体
2019-03-18 23:16:12
空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复
2020-03-12 10:08:31
空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复
2020-03-12 10:08:47
最后一个字母“I”识别（例如BSC010N04LSI）。图1：英飞凌新一代MOSFET具有更低的导通电阻RDS(on) 导通电阻是MOSFET最重要的参数之一，但其他参数通常具备同等重要性，有时对于
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
请问三极管必须使其导通电流方向，和发射极方向一样吗？
2016-11-09 15:17:19
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加
2018-11-28 14:28:53
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
%。－明白了。最后请你总结一下，谢谢。SiC MOSFET具有超低导通电阻和高速开关的特点，还具有可进一步缩小电路规模、提高相同尺寸的功率、以及因降低损耗而提高效率并减少发热量等诸多优点。另一方面，关于
2020-07-01 13:52:06
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组 合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。 功率MOSFET
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极
2018-12-03 13:43:55
，损耗减少了约 30%。SiC MOSFET 具有超低导通电阻和高速开关的特点，还具有可进一步缩小电路规模、提高相同尺寸的功率、以及因降低损耗而提高效率并减少发热量等诸多优点。另一方面，关于在大功率
2020-11-10 06:00:00
。本篇将以ROHM的产品阵容及其特征作为SJ-MOSFET的具体案例来进行说明。SJ-MOSFET的种类以ROHM为例，SJ-MOSFET是根据噪声、导通电阻、高速性及独有结构等进行分类的。首先来看一
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低导通电阻，4A 集成负载开关 特性 说明 • 输入电压范围：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 半导体生产商ROHM株式会社开发出了车载电动动力转向等用途的长边电极类型电流检测用超低阻值贴片电阻器“PML100系列”，6432(2512)的尺寸可以实现3W的额定功率。该产品已经
2010-09-14 09:22:26887 半导体制造商罗姆(ROHM)株式会社全新研发出超低阻值Jumper型电阻“PMR Jumper系列”，可将最大导通电阻值降低至0.5毫欧姆，同时并大幅提高额定电流
2011-11-28 09:23:131542 一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的降压型DC/DC转换器*1)“BD70522GUL”。 “BD70522GUL”是旨在实现IoT领域的关键词“纽扣电池10年驱动”开发而成的超低功耗电源IC。在ROHM的垂直统合型生产
2018-03-07 16:45:01182 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 Charger：OBC）等领域拥有很高的市场份额。此次，导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代SiC MOSFET的推出，除现有市场之外，还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。
2020-06-19 14:21:074198 
对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 功率元器件——第4代SiC MOSFET。 罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源
2022-03-19 11:12:212089 全球知名半导体制造商ROHM开发出一款厚膜分流电阻器“LTR100L”，非常适用于工业设备和消费电子设备等的电流检测应用。
2022-03-29 09:31:321278 ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应 用，开发出将两枚100V耐压MOSFET* 1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16539 
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
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