国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:08
1422 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341235 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362774 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷（SPST）CMOS模拟开关
2019-03-08 15:06:392213 “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上
2023-02-06 10:01:471034 
—小型高边和低边开关（8通道）— 中国上海， 2023 年 2 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN
2023-02-07 14:56:11442 
[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有
2023-03-30 13:37:14609 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-05-22 14:33:12512 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
XC8102采用小型封装USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是内置P 沟道MOS FET、带保护电路的低导通电阻线路开关用电路，输入电压范围1.2V～6.0V,当
2021-04-19 07:57:47
，正常加载持续老化48小时通过 - 控制器短路试验：A，B，C三相各短路30次全通过 - 控制器堵转试验：100次通过 产品特征 - 低导通电阻，低栅极电荷 - 高散热能力；高结温下，大电流持续导通能力
2020-08-12 16:08:24
NCP45521的典型（热插拔）电路是一种负载开关，可通过软启动为浪涌电流限制提供高效电源域切换的元件和面积减少解决方案。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控
2020-04-17 10:09:17
高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS-IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。【关键词】：SJMOSFET;;FS-IGBT;;超结
2010-04-24 09:01:39
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件广泛应用于高效开关电源（SMPS）、低电源适配器/充电器、有源功率因数校正以及低功率镇流器等领域。250V MOS管由于具有开关速度快、导通电阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
管由于具有开关速度快、导通电阻低、短路特性良好以及可靠性高等特点，在直流无刷电机的驱动电路中，有着不可替代的作用，其电路应用原理如下图所示： 250V N-P对管FTE03C25E是节能灯线路的理想
2011-04-19 15:01:29
第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。低噪声 EN系列以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 编辑
高性能音频和增强了的噪音抑制性能Fairchild二通道单刀双掷,低导通电阻的音频开关已经开发了通过减少音频爆破音的可能性来加强语音体验。它们包括了最近的特性,具体地说是拥有终端电阻,提供缓慢开启时间和允许负电压信号的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
`Maxim推出具有宽输入电压范围的H桥变压器驱动器MAX13256，用于隔离电源设计。工程师可以利用该方案在短时间内轻松完成高效(高达90%)、隔离DC-DC转换器的设计。MAX13256采用8V
2011-08-25 14:43:44
大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 具有四个交替层（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金属氧化物半导体
2020-07-07 08:40:25
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
忽略输入开关的导通电阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，远大于外部电阻Rext，输入开关导通电阻为何能忽略？如果考虑Rin，又该如何计算？另外Vstep为什么这样计算？
2018-08-06 07:49:37
，而且在高温条件下的工作也表现良好，可以说是具有极大优势的开关元件。这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前
2018-11-30 11:35:30
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上
2019-07-23 04:20:21
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
，个人感觉很不错。基本参数：4A/50V/32细分。封装：HSSOP36，大功率封装，改善了东芝之前QFN封装产品焊接难的问题。散热窗朝上，安装散热片非常方便导通电阻：0.49Ω。耗散功率相对于之前的产品
2016-10-25 10:13:51
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
`一种简便精确测量低阻器件的方法。通常情况下，一些器件的导通电阻非常小，比如低阻值的测电流电阻、导线电阻、开关电阻、保险丝、继电器以及点火器等等。下面给出了一些这样低阻值器件示例。通常使用的万用表
2020-06-17 07:38:45
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
电源型产品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的内置低导通电阻功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器，具有非常宽的输入电压范围。采用电流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
接地导通电阻测试仪及其他交直流低阻仪器，同时还是一台很好的交直流电流表。参考标准：JJG 984-2004《 接地导通电阻测试仪检定规程》、GB/T 28030-2011《 接地导通电阻测试仪》，可按
2018-07-06 09:35:16
上一篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的导通电阻对传递函数的影响”。本次也采用同样的方法展开探讨。推导出的传递函数同样为和，同样按两个步骤来推导。开关
2018-11-30 11:48:22
，正常加载持续老化48小时通过 - 控制器短路试验：A，B，C三相各短路30次全通过 - 控制器堵转试验：100次通过 产品特征 - 低导通电阻，低栅极电荷 - 高散热能力；高结温下，大电流持续导通能力
2020-08-12 16:04:41
求推荐一款导通电阻毫欧级别的常闭型固态继电器，或者其他的导通电阻很小的也行,不想用电磁继电器，要求就是常态下是闭合，给电才导通
2021-01-09 09:50:06
如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
，重要的特性——低导通电阻、栅极电荷量与耐压在本质上存在权衡取舍的关系。在功率元器件中有成为单元的晶体管，将多个单元晶体管并联可获得低导通电阻。但这种做法需要同时并联寄生于晶体管的电容，导致栅极电荷量
2019-07-08 06:09:02
我有2个很快的问题。1。AMUX和AMUX定序器的导通电阻和电容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采样电阻和电容是多少？
2019-09-10 15:18:05
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。 开通
2023-02-27 11:52:38
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低导通电阻，4A 集成负载开关 特性 说明 • 输入电压范围：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞
2009-12-21 10:52:24
40 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争
2009-12-18 09:26:06681 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 ANADIGICS推出具有丰富功能的新型功率放大器
为应对全球不断增长的移动WiMAX服务需求，ANADIGICS, Inc.今日推出具有丰富功能的新型功率放大器(PA)AWT6283R，专用于提升WiMAX
2010-02-06 10:53:33502 ANADIGICS推出具有丰富功能的新型功率放大器AWT6283R
ANADIGICS 推出具有丰富功能的新型功率放大器（PA）AWT6283R，专用于提升WiMAX收发器的性能和效率。AWT6283R 是业界首部可
2010-02-23 08:47:13746 Maxim推出具有2.3A GSM测试模式的Li+电池充电器
Maxim推出具有2.3A GSM测试模式的30V单输入锂离子(Li+)电池充电器MAX8922L。器件提供的GSM测试模式简化了带有Micro-USB连接器的
2010-03-12 10:20:28517 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电
2010-07-22 09:29:411162 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021157 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:30963 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 东芝推出采用DIP4封装的大电流光继电器，具有低导通电阻和大额定导通电流，更易使用。
2018-09-29 15:35:354448 东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V／2.0A［1］时实现低至0.48Ω的导通电阻，较东芝的现有产品发热更低。
2020-10-22 14:36:221000 功率调节器等工业设备的开关电源。 产品线扩展了器件的封装、漏源导通电阻和栅漏电荷。 与上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“
2022-03-18 17:35:264581 全球被动元件领导厂商-国巨集团，推出新款薄膜车用晶片电阻-RP系列。 RP系列具备抗湿、抗硫、高精密度、高稳定性的特性，外壳尺寸从0402到1206，电阻范围为10Ω-1.5MΩ，具有±0.1
2022-11-10 14:16:22328 )(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD)，以实现低导通电阻和高可靠性。东芝
2022-12-12 18:01:531070 ”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，
2023-02-04 18:31:452676 东芝电子元件及存储装置株式会社（下称“东芝”）宣布推出两款智能功率器件——TPD2015FN高边开关（8通道）和TPD2017FN低边开关（8通道），用于控制电机、螺线管、灯具和工业设备可编程逻辑
2023-02-08 13:22:37268 中国上海，2023年2月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用（如工业
2023-02-09 15:30:00156 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150 ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
保险电阻在正常情况下具有普通电阻的功能，一旦电路出现故障，超过其额定功率时，它会在规定时间内断开电路，从而达到保护其它元器件的作用。保险电阻分为不可修复型和可修复型两种。
2023-05-09 15:12:28405 新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347 
有很多区别，本文将从电阻材料、工作频段、电容和电感等几个方面进行详细的介绍。 1.材料 射频电阻和普通电阻使用的材料不同。在射频电路中，通常使用碳膜、金属膜以及石墨等高纯度材料来制造电阻，这些材料具有极佳的频率特
2023-09-02 10:25:431207 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
精密电阻和普通电阻之间的区别，并探讨普通电阻能否代替精密电阻。 一、精密电阻的定义 精密电阻是一种特殊的电阻元件，它具有更高的精度和稳定性，通常是0.1%或更高的精度。这些电阻通常由高质量的材料制成，例如金属薄膜、
2023-10-29 11:21:55933 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 和限制。它们通常具有较小的尺寸和较低的功率容量。低功率电阻器通常以小型电阻器的形式存在，如普通电阻器、电位器、烧线等。 低功率电阻器的主要特点如下： 1. 高精度：低功率电阻器通常具有高精度的阻值，能够提供稳定的电阻
2024-02-19 09:25:13300 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
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网站提供《具有1.8V逻辑器件的36V、低导通电阻、2:1 、4通道精密开关TMUX6234数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:53:000
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