74HC14是施密特触发器。正向阈值指输入端电压由低变高达到输出翻转时的值。反向阈值指输入电压由高到低变化输出翻转时的输入电压值。正向输入阈值电压是输入大于这个电压时，输出为低电平。反向输入阈值电压是输入低于这个电压时，输出为高电平。
2018-10-24 09:30:36
16607 
碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。
2023-05-30 16:06:181173 
带隙基准广泛应用于模拟集成电路中。带隙基准电路输出的基准电压可以为模拟集成电路提供稳定的参考电压或参考电流，
2023-07-06 10:42:011100 
下拉晶体管源极输出端即为启动电路的启动节点，该启动节点连接带隙基准电路的PMOS电流镜栅极，启动电路工作时将带隙基准电路中的PMOS电流镜栅极电平拉低，为三极管充电。用于启动带隙基准电路，使带隙基准电路脱离错误工作状态。
2023-07-06 16:05:432121 
电压源，而是使用何种基准电压源。 基准电压源只是一个电路或电路元件，只要电路需要，它就能提供已知电位。基准电压源主要有两类：分流和串联。基准电压源只是一个电路或电路元件，只要电路需要，它就能提供已知电位。这可能是几分钟、几小时或几年。
2023-07-17 11:40:001247 
源电路，由于其应用较少，因此电压基准源电路的设计要点，并不是所有的工程师都能全部掌握；电路一点通就和小伙伴们一起分享下这些内容电压基准源电路设计要点，以TL431为例说明电路板。
2023-07-18 09:12:401359 
本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19:46560 
本次仿真的是2018年的论文[1]，无三极管和电阻的，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，温度特性好，但基准输出值不太好调节。
2023-11-21 18:25:33751 
分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。
2023-11-29 14:42:33998 
CMOS模拟电路设计教材本书共11章大小：22M微电子学系列1.半导体器件-物理与工艺2.表面安装技术手册3.多晶硅发射极晶体管及其集成电路4.超大规模集成电路设计基础-系统与电路5.SOI技术—21世纪的硅集成电路技术6.CMOS模拟电路设计[hide]CMOS模拟电路设计.pdf[/hide]
2009-11-19 17:04:30
片上集成基准电压源和基准电压源缓冲器，但这类器件在功耗或性能方面可能并非最佳——通常使用外部基准电压源电路才可达到最佳性能。本文探讨基准电压源电路设计中遇到的挑战和要求。 基准电压输入逐次逼近型
2020-04-14 07:00:00
片上集成基准电压源和基准电压源缓冲器，但这类器件在功耗或性能方面可能并非最佳——通常使用外部基准电压源电路才可达到最佳性能。本文探讨基准电压源电路设计中遇到的挑战和要求。
2021-03-16 12:04:19
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
STM32是3.3V供电的芯片，在用AD的时候，阈值电压能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
，进而使SCR导通。
实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57:00
中的电源保护。 关键词: CMOS; 欠压保护 1.引言 在电机驱动、UPS等系统中电压的稳定尤为重要，欠压、过压保护是必不可少的，因此通过在芯片内部集成过压、欠压保护电路来提高电源的可靠性
2018-08-27 15:54:31
如何实现CMOS图像敏感器驱动电路设计？CMOS图像敏感器STAR250的技术指标是什么？如何实现Verilog HDL驱动时序设计？
2021-04-20 06:59:27
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而使得管子变慢，这就与上面的结论矛盾
2021-06-24 08:01:38
如果想改变反相滞回比较器的阈值电压应改变哪些参数呢？
2023-03-24 15:31:42
当前固体微光器件以EBCCD 及EMCCD 器件为主，随着CMOS 工艺及电路设计技术的发展， 微光CMOS 图像传感器的性能在不断提高，通过采用专项技术，微光CMOS 图像传感器的性能已接
2018-11-12 15:37:40
研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。... 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念
2016-10-07 08:38:30
模拟CMOS集成电路设计本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深
2009-09-25 10:04:03
模拟CMOS集成电路设计
2019-03-13 15:34:10
各位大神，请问有没有做过cadence的CMOS带隙基准电路设计，或者CMOS四运算放大器设计（LM324），求各位帮帮忙，我快山穷水尽了
2020-05-17 23:32:07
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
新颖的PTAT电流产生电路结构，以对二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿，得到一个高精度基准电压源。该电路占用芯片面积小，精度高，可移植性强，非常适用于当今高精度的A/D,D/A和高精度运放偏置电路。此电路已成功应用于某款高速DAC芯片中。
2018-11-30 16:38:24
cmos射频集成电路设计这本被誉为射频集成电路设计指南的书全面深入地介绍了设计千兆赫(GHz)CMOS射频集
2008-09-16 15:43:18
312 摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键
2009-04-27 11:12:0642 介绍了一种简单的高性能基准源电路，该电路利用了工作在饱和区和亚阈值区的MOS晶体管迁移率和阈值电压温度特性进行补偿，此外还利用二极管反相偏置电流的温度特性来改进
2009-08-28 11:11:3629 高级基准电压Vbandgap IC设计:在本文中，主要讨论在CMOS 技术中基准产生的设计着重于公认的“带隙”技术，即是与电压，温度变化无关的基准电压。[关键词]电压基准，电流基
2009-11-01 14:35:4434 选择最佳的电压基准源摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了
2009-12-07 14:32:2345 本文设计了一种简单的一阶温度补偿电流基准源。主要利用电阻的温度系数与阈值电压VTH 温度系数相同的特性实现温度补偿原理。该主体电路采用低压共源共栅（即CASCODE）结构
2009-12-14 09:39:4318 选择最佳的电压基准源供稿：美信摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨
2010-01-08 23:02:3077 本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS 带隙基准电压源，供电电源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工艺。Spectre 仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～+80℃时，温度系数为45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327 随着工艺进入深亚微米阶段,漏电流带来的静态功耗已经成为不可忽视的部分。多阈值CMOS技术是一种降低电路漏电流功耗的有效方法。本文在延迟不敏感异步电路中应用多阈值CMOS技
2010-02-24 15:51:0612 介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路，并提出了一种新颖的启动电路结构．电路采用预先设置电路工作点和反馈控
2010-04-13 08:58:4453 本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源，供电电源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工艺。Spectre仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～+80℃时，温度系数为45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:3641 在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度，高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路
2010-08-03 10:51:340 复位监控器件内部集成精确的电压监控电路，可通过确定的阈值电压启动复位操作，同时排除瞬间干扰的影响，又可以防止MCU在电源启动和关闭期间的误操作，保证数据安全。通常
2010-11-17 17:43:0539 基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电压基准源，该电路可同时提供多个输出基准电
2010-12-30 10:25:5326 结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数。基于SMIC0.13μm的CMOS工艺的仿真结
2011-01-04 16:17:3127 选择最佳的电压基准源
摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出
2009-01-23 22:03:121804 
±5V基准电压源电路图
2009-04-15 08:53:364307 
高稳定基准电压源电路图
2009-04-15 08:57:11908 
基准电压电路图1
2009-04-15 08:57:581618 
精密基准方波基准电压源电路图
2009-04-15 09:00:271216 
摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键
2009-04-29 11:30:23595 
摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键
2009-05-03 14:42:34474 
摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键
2009-05-06 09:29:30535 
模拟电路设计常常用到电压基准和电流基准。这些基准受电源、温度或者工艺参数的影响很小，为电路提供一个相对稳定的参考电压或者电流，从而保证整个模拟电路稳定工作。
2010-07-08 09:45:002331 
引言
模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数/模转换器、模/数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的
2010-09-30 10:11:553772 
在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用
2010-11-02 09:40:441729 
低电压高精度CMOS基准电流源设计
2011-01-24 15:10:1795 基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS 带隙基准电压源中所广泛采用的几种
2011-05-25 14:52:4434 本文利用高电源抑制比电路设计的和式偏置电流源进一步提高了电源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数，设计了一种基于不同VTH值的
2011-08-18 11:29:322399 基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS 带隙基准电压源中所广泛采用的几种
2011-09-27 14:30:5258 在传统带隙基准电压源电路结构的基础上，通过在运放中引入增益提高级，实现了一种用于音频-A/D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比（PSRR）和较
2012-10-10 14:49:5043 根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 m CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构
2013-09-26 17:06:1233 。本电路采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺，仿真结果显示，输出基准电压为1.213 V，静态电流为538 nA，在-55～125 ℃温度范围内，温度系数仅为10.58 ppm/℃，低频时的电源抑
2015-12-08 11:40:2517 一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计_于全东
2017-01-03 15:24:451 低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源_邓玉斌
2017-01-08 10:24:075 面向BTI特征分析的在运行中阈值电压测量
2017-01-22 13:38:087 高分辨率、逐次逼近型ADC的整体精度取决于精度、稳定性和其基准电压源的驱动能力。本文探讨基准电压源电路设计中遇到的挑战和要求。
2017-09-15 15:45:1717 带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种
2017-11-24 15:45:2022131 
阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
2017-11-27 17:18:4367568 
本文为大家介绍一个cmos无运放带隙基准源电路。
2018-01-11 16:52:5014756 
本文开始介绍了单限比较器的电路和单限比较器的理论分析及计算，其次介绍了单限电压比较器的工作原理，最后介绍了单限比较器阈值的电压计算。
2018-02-26 15:58:0264100 
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，MOSFET 耗尽区的电荷的变化，从而分析其对晶体管的阈值电压的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
介绍了一种采用亚阈值mos晶体管和单bjt的低温系数（tc）和大功率电源纹波抑制（psrr）cmos子带隙基准电压源（sub-bgr）电路。所提出的子bgr包括一种基于bjt的标度发射极基极电压
2019-09-30 08:00:002 本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验，我们证明：1）在高温和负栅偏压（-10v
2019-10-09 08:00:002 本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负漂移。该器件在强pinch-off和低漏源电压条件下偏置一定时间（反向栅极偏置应力），然后测量传输特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 ADC 片上集成基准电压源和基准电压源缓冲器，但这类器件在功耗或性能方面可能并非最佳——通常使用外部基准电压源电路才可达到最佳性能。本文探讨基准电压源电路设计中遇到的挑战和要求。
2021-01-07 23:55:0021 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453阈值电压与数字电压 VL
2021-03-18 20:33:082 些则需要外部基准。知道了这一点，那么我们就需要考虑，如何在应用中选择合适的ADC或DAC基准类型呢？ 一般来说，有3种主要的基准类型可供选择：内部、外部和电源。 1.内部基准 转换器内置的一些基准电压。在下面的典型电路中，内部基准类型有助于减少电路设计中
2021-12-10 09:41:274431 CMOS集成电路设计基础免费下载。
2022-03-03 10:06:120 Vt roll-off核心是（同一个工艺节点下面）阈值电压与栅长之间的关系。当沟道长度比较长的时候，Vt值是比较稳定的。随着沟道长度的减小，阈值电压会下降（对于PMOS而言是绝对值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 精确控制集成电路中MOSFET的阈值电压对电路的可靠性至关重要。通常情况下，阈值电压是通过向沟道区的离子注入来调整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381660 nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
2023-02-11 16:30:149781 
Vt指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）。具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为阈值电压。
2023-03-10 17:43:114539 在图 1 所示的原理图中，TLV431 可调分流基准配置为开环操作，这意味着输出未连接到反馈引脚。 相反，信号VX通过电阻分压器驱动反馈引脚。 电阻分压器的设置使得当VX处于阈值电压VTH时，反馈引脚上的值等于内部基准电压。
2023-04-11 09:17:281518 
由于SiC MOSFET与Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试
2023-05-09 14:59:06853 
与温度关系很小的电压或者电流基准，在实际电路设计中具有重要的应用，比如在电流镜结构中，需要对一“理想的”基准电流进行精确复制，这一“理想的”基准电流，一般由带隙基准电路产生。
2023-07-06 11:32:142369 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚阈值电压对电池延迟的影响。(注：以下电阻公式是关于NMOS的。您也可以为PMOS导出类似的公式(只需将下标“n”替换为“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影响MOSFET阈值电压的因素 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的半导体器件，具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点。MOSFET的阈值电压是决定其工作状态的重要参数，影响着
2023-09-17 10:39:446670 高、速度快等优点，在众多电子设备中应用广泛。其中，基准电压就是一个比较重要的参数，而基准电压的温度系数是指在不同温度下电路带来的基准电压变化情况。 通常来说，CMOS电路中使用的带隙基准技术，具有多晶硅、硅谷能带、亚稳态等技术，但是这些技术都存在着一定的温度漂移问题。而在实际
2023-10-23 10:29:11318
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