IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-03-15 09:23:39
886 IGBT在二极管钳位感性负载条件下的电路如图1所示，该电路为IGBT常用电路，可作为IGBT开关特性的测试电路，评估IGBT的开通及关断行为。
2024-03-15 10:25:51194 
与IGBT栅极之间的双绞线或扁平连接电缆应尽可能短地实现对称连接。 避开将驱动回路PCB引线或连接电缆的布局或安装处于由于IGBT开关所产生电位变化的位置上。此外，如有必要，可加装屏蔽层。 选择具有
2018-12-03 13:50:08
半导体内部形成一定的电场，就可以实现IGBT的导通。有了绝缘栅，在开关时，只需要在IGBT切换状态的瞬时间内给门级注入/抽取一点能量，改变内部电场，就可以改变IGBT的工作状态。这个过程很容易做
2023-02-16 15:36:56
现代化变频器的要求。成功开发全新芯片的两个准则是实现低静态和动态损耗。EconoPACKTM4 采用的IGBT4-T4芯片具备快速开关特性，相对于前代IGBT3-T3，开关损耗降低20%。损耗的降低
2018-12-07 10:23:42
电路的开关周期。二极管V应选用正向过渡电压低、逆向恢复时间短的软特性缓冲二极管。 (3)、适当增大栅极电阻Rg。实践证明，Rg增大，使IGBT模块的开关速度减慢，能明显减少开关过电压尖峰，但相应的增加了
2012-06-19 11:26:00
什么是IGBT模块？IGBT是一种功率半导体芯片，是绝缘栅双极晶体管的简称。IGBT功率模块是在一个封装中组装和物理封装多个IGBT功率半导体芯片。。..IGBT功率模块用作电子开关器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
`我需要通过LC电路产生一个1200A，2.5KHz的脉冲电流，所加电压500V，电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制，初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路，为驱动电路的可靠工作提供了保障。其特性为：兼容CMOS/TYL电平；光隔离，故障状态反馈；开关时间最大500ns；“软”IGBT关断；欠
2012-09-09 12:22:07
谁帮俺女友画个电路图呀 关系寡人后半生幸福 有人吗联系QQ237029870重金大谢啊题目 igbt的过压过流软保护要求 ce端反向过压（大于300V）时能自动 保护。。正向电压在igbt触发
2014-04-21 10:49:28
`IGBT驱动波形的死区怎么读？`
2020-03-28 00:13:50
在开关电源当中IGBT经常被使用到，今天分享一份关于这种元件的资料
2018-03-31 22:02:12
年代开始，高频化和软开关技术的开发研究，使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小。高频化和软开关技术是过去20年国际电力电子界研究的热点之一。上世纪90年代中期，集成电力电子系统和集成电力电子模块(IPEM)技术开始发展，它是当今国际电力电子界亟待解决的新问题之一。`
2017-02-13 21:56:16
软开关技术是目前国际国内电力电子领域的研究热点，其在通信电源中也将得到广泛应用。本文综述了软开关技术在APFC、DC/DC、DC/AC电路申的应用，对几种典型的软开关电路拓扑的优缺点进行了分析。
2011-03-10 14:22:28
本文介绍一种能在全负载范围内实现软开关的全桥DC-IX7软开关拓扑，详细分析了该拓扑结构实现软开关的工作原理，给出电容值的选取方法和l临界电流的推断方法，在理论分析和计算的基础上，成功试制出5kW
2011-01-07 18:04:18
`我使用是有限双极性全桥软开关技术，测量的是超前臂两端的GE和CE波形，可以从下图看出能实现超前臂零电压开关，但是驱动波形振荡振荡严重，黄色是GE波形，蓝色是CE波形。请求大神帮忙分析一下问什么GE波形会有这么大振荡，而且随着负载电流增大振荡越严重，下图是在300A时测得。`
2019-03-06 23:59:10
通过对GPIO进行操作来关闭设备。因此电子元件技术 网（www.cntroni cs.com）小编jack认为：如果要实现软开关，我们必须具备两个GPIO口。一个为 DETECT_KEY，作为输入
2012-01-21 10:40:37
母线电路需设计极小寄生电感。因此，可选用具备软开关特性的专用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如图2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（软度）在开关性能方面差别明显，采用
2018-12-07 10:16:11
器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。 IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOSFET的轻松驱动和BJT的导
2023-02-24 15:29:54
LD3320语音识别模块与Arduino软串口通讯如何实现开关灯功能？
2022-01-24 06:54:13
LLC的优点是什么LLC电路是如何实现软开关LC谐振电路具有什么特性
2021-03-11 06:43:53
的选择要与其应用匹配，具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低VCE(sat)电机驱动IGBT组合封装在一起。相反地，软恢复超快二极管，可与高频SMPS2开关模式IGBT组合封装在一起。除了选择
2018-08-27 20:50:45
针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路
2021-06-16 09:21:55
VCE(sat)电机驱动IGBT组合封装在一起。相反地，软恢复超快二极管，可与高频SMPS2开关模式IGBT组合封装在一起。除了选择正确的二极管外，设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon
2018-09-28 14:14:34
N32G430C8L7_STB开发板用于32位MCU N32G430C8L7的开发
2023-03-31 12:05:12
的损耗的简单测量方法。 2 IGBT 参数的定义 厂商所提供的IGBT 开关参数通常是在纯感性负载下测量的, 图1 和图2 分别是IR 公司和TOSHIBA公司测量开关时间的电路和定义开关
2018-10-12 17:07:13
生活中有各种各样的电源，其中就有一款叫高频开关电源系统，什么是高频开关电源系统？它有什么作用？高频开关电源（也称为开关型整流器SMR）是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源，开关频率一般控制在
2022-07-05 10:35:15
生活中有各种各样的电源，其中就有一款叫高频开关电源系统，什么是高频开关电源系统？它有什么作用？高频开关电源（也称为开关型整流器SMR）是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
如图A所示，当igbt的负载接在c级的时候e极接地，比如说给g极12v电压，这时候ge之间电压大于开启电压，igbt能导通，但是如图b所示当负载接到e极的时候，如果导通此时e极电压可能很高，就算给g
2020-04-23 09:58:22
的例子中，开关损耗可以降低24%。此外，还可以 在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率 ，在工作频率为100kHz时与IGBT相比效率提高3%，可进一步降低车载和工业设备应用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
，有着相对较高的效率，对开关器件的耐压要求较低。软开关和硬开关开关电源通过功率器件的开通和关断来实现从直流到交流的逆变。而开关技术又分为软开关和硬开关。通常状态下器件在开通和关断的过程时，会有电压和电流
2021-10-29 06:00:54
正常运行的能量，控制电源的开关技术影响电源稳定的一大因素，下面将介绍开关技术中的硬开关技术与软开关技术。 磁性元件的体积和重量在开关电源中占有很大比例，而开关电源的发展方向是体积小、重量轻和低成本
2019-08-27 07:00:00
非常好的技术资料，很好的学习资料《直流开关电源的软开关技术》
2019-03-09 22:50:34
大家有没有做单相软开关逆变电源的，就是全桥的，带有有源嵌位的软开关结构的，对于各个管子的脉冲信号的驱动，有些不太清楚，现在仿真还没有放出来，希望能给点建议，相互学习下。思路就是通过增加辅组电路，利用辅组电路的中的辅组开关管实现主开关的零通断，这个里面主要依靠嵌位电容和谐振效应来实现。
2016-06-01 09:35:22
使用内置 DESAT 和可调软关断时间实现 IGBT 短路保护内置共模扼流圈和发射极电阻，用于限制发射极环路电流8000Vpk VIOTM 和 2121Vpk VIORM 增强型隔离极高的 CMTI：100KV/us
2018-12-07 14:05:13
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
这是软调光电路。该电路采用IGBT STGP10N50A和TS555定时器的主要组成部分
2013-10-16 19:03:25
，以防止受到干扰时误开通和加快关断速度，减小关断损耗，幅值一般为-（5～10）V； （4）当IGBT处于负载短路或过流状态时，能在IGBT允许时间内通过逐渐降低栅压自动抑制故障电流，实现IGBT的软
2011-08-18 09:32:08
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
本文以升压ZVT-PWM变换器为例，用集成芯片MC34152和CMOS逻辑器件设计了一种可满足以上要求的软开关变换器驱动电路。
2021-04-22 06:09:47
如下图，采用单片机他激方式驱动雾化片，有时驱动MOS管会很烫，有什么方式实现软开关驱动，并且频率随时调整或者通过自激振荡谐振在陶瓷片的谐振频率上，求高手回答！ 一定要软开关驱动，保证MOS管不烫。
2019-04-09 09:18:12
Q1。如何计算IGBT栅极电阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 来操作感性开关负载。开关频率：- 在 400Hz 到 1Khz 之间集电极到发射极电压：- 24V。平均最大电流：- 5A。Q2。使用1Kohm电阻会有什么影响？
2023-01-04 09:00:04
PLC要实现的功能封装在软件里，然后运行于硬件系统平台上。软PLC综合了计算机和PLC的开关最控制、模拟量控制、逻辑运算、数值处理、网络通信等功能，通过一个多任务内核提供强大的指令集、快速准确的扫描
2023-09-25 07:15:21
摘要相对于第二代NPT芯片技术，最新的3.3kV IGBT3系列包含两款优化开关特性的L3和E3芯片，其在开关软度和关断损耗之间实现折衷，以适应不同的应用。最大工作结温可升高至150℃，以便提升输出
2018-12-06 10:05:40
本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统，用于测量IGBT的导通延迟时间，实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。
2021-05-14 06:07:09
随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通（NPT） IGBT相比，场截止（FS） IGBT进一步降低
2018-09-30 16:10:52
看了软开关移相控制全桥逆变器的十二个周期，也了解了PWM波产生了原理。。但是至今还是不明白PWM实现软开关是要软件编程实现还是通过硬件自动实现的（即判断是否处于ZVS或ZCS）
2015-09-22 15:20:26
如下图，采用单片机他激方式驱动雾化片，有时驱动MOS管会很烫，有什么方式实现软开关驱动，并且频率随时调整或者通过自激振荡谐振在陶瓷片的谐振频率上，求高手回答！一定要软开关驱动，保证MOS管不烫。
2020-03-09 09:43:00
100nH时的开关损耗和软度，我们选用了一种接近T4芯片合理使用限值的模块。因此，我们选择了一个采用常见62 mm封装的300A半桥配置作为平台，而模块则分别搭载三款IGBT4 芯片。这三个模块采用相同
2018-12-10 10:07:35
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
`模电前辈们，求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰 办法`
2016-01-21 21:19:49
模电前辈们，求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰办法
2019-07-15 02:57:42
我用的是IKW75N65E25型号的IGBT，耐压650V，在实现软开关时，开关电压上升时有十分明显的震荡，分析过电路没有发现什么问题，用仿真软件仿真过能得到结果，但是实物实验时就会出现图中的问题。求助！！！
2017-01-12 11:00:12
。HCPL316J可以驱动150 A/1200 V的IGBT，光耦隔离，COMS/TTL电平兼容，过流软关断，最大开关速度500 ns，工作电压15～30 V，欠压保护。输出部分为三重复合达林顿管，集电极开路
2016-11-28 23:45:03
控制技术［1］［2］［3］，但这些方法还不能真正走向实用。 文献［4］介绍了用谐振电路实现软开关，是一种比较好的方法，然而这一技术需要跟踪电路中的电压和电流，在电压和电流过零处实现软开关，这必然使电路
2021-09-14 06:30:00
移相全桥开关电源的研制与软开关软件控制实现
2012-08-16 22:37:55
我在做软开关，使用的是英飞凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大负载时驱动波形会有振荡现象，有个别大神说可能是IGBT问题，有用过这个信号的大神吗？这个管子怎么样？
2019-03-14 16:50:48
并且开关速度快的IGBT，英飞凌公司开发的第四代IGBT—T4能很好地满足这一要求，本文主要介绍T4芯片及其在软开关逆变焊机中的应用。关键词：IGBT, T4, 软开关，逆变焊机 中图分类号
2018-12-03 13:47:57
如何实现IGBT模块的驱动设计？在设计驱动电路时，需要考虑哪些问题？IGBT下桥臂驱动器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上桥臂驱动器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
软通首款自研OpenHarmony开发板，使用Hi3861主控芯片，支持OpenHarmony开发，充分考虑物联网感知层设备的多样性，具有强大的扩展性。核心板结合多样化扩展模块，广泛应用于智能家电
2022-03-21 10:16:39
IGBT开关式自并激微机励磁系统的原理及应用
本文以HWKT—09型微机励磁调节器为例，详尽地阐述了IGBT开关式自并激微机励磁系统的基本原理，并重点讨论了IGBT在开关励
2009-11-13 15:41:39910 
新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。
2010-05-25 09:05:201169 
今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且
2013-11-20 17:28:141040 
在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5613313 
为了降低开关电源中开关器件的开关损耗，介绍一种带辅助管的软开关实现方法，将IGBT 和MOSFET 这两种器件组合起来，以IGBT 器件为主开关管，MOSFET 器件为辅助开关管，实现零电流（ZCS
2020-07-14 08:00:00
3 生活中有各种各样的电源，其中就有一款叫高频开关电源系统，什么是高频开关电源系统？它有什么作用？高频开关电源（也称为开关型整流器SMR）是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。
2020-10-31 12:18:385136 
门极参数Rge Cge和Lg对IGBT开关波形的影响说明。
2021-04-18 10:22:4913 随着高频开关电路技术的成熟，IGBT高频开关电源成功问世。一经问世便在整个电镀行业得到了广泛应用。同普通整流电源相比，IGBT高频开关电源具有以下显著特点。
2022-03-11 11:22:044767 
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-
2022-03-26 18:33:364680 IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-01-10 09:05:471975 隔离驱动IGBT的意义在于，它可以将低电压的控制信号转换为高电压的控制信号，从而控制IGBT晶体管的开关，从而实现高效的电力控制。
2023-02-15 16:47:24788 IGBT-IPM是一种集成电力模块，它由一个IGBT（可控硅反激开关）和一个IPM（智能功率模块）组成。它可以用于控制电机、变频器、变压器等电力电子设备，以实现高效、精确的控制。
2023-02-20 15:30:251770 及电压驱动特性，又有功率双极型晶体管(BJT)的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，在工业、能源、交通等场合越来越不可取代[1]。虽然在电力电子电路中，IGBT主要工作在开关状态，但是IGBT仍然是功耗较
2023-02-22 15:19:511 IGBT的开关时间说明 IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态
2023-02-22 15:08:431 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543293 
汽车规类芯片是门槛较高的芯片领域。2023年上半年，士兰微IGBT（包括igbt配件和pim模块）的营业收入比去年同期增加300%以上，达到5亿9千万人民币。公司在自主开发的v代igbt和frd芯片电动汽车主要发动机驱动模块的基础上，已经实现了向比亚迪、吉利、零跑、汇川等国内外多家客户的大量供应。
2023-08-22 09:39:17615 介绍IGBT的优缺点。 优点 1. 高效率：IGBT具有较低的导通电阻，因此可以实现高效率的功率调节，增加设备的效率。 2. 高速开关：IGBT可在短时间内完成开关操作，因此可以在高频电路中使用，提高系统的性能。 3. 大电流承受能力强：IGBT的电流承受能力较强，能够承受较大
2023-08-25 15:03:294009 IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
、N型漏源和门极组成。因其高电压和高电流开关能力，广泛应用于电力和电能控制器的控制中。 IGBT的导通和关断是通过控制门极电压来实现的。下文详细介绍IGBT的导通和关断条件，以及具体的导通和关断过程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028167 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种电力开关装置，常被用于控制大电流和高电压的电力设备。IGBT软开关和硬开关是两种不同的IGBT工作模式，它们在开关
2023-12-21 17:59:32658 IGBT高压开关的优点说明 IGBT是一种高压开关器件，它结合了 MOSFET和BJT的优点，具有许多独特的优势。在本文中，我们将详细地探讨IGBT的优点，以便更好地理解其在不同领域的应用。 首先
2024-01-04 16:35:47787 退饱和电路的实现机理是什么样的？IGBT退饱和过程和保护 退饱和电路的实现机理是当IGBT工作在饱和状态时，通过引入一定的电路设计和调整，使IGBT在过载或故障情况下能够自动退出饱和状态，以保护
2024-02-18 14:51:51420
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