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ROHM业界首创!开发出以单芯片实现EDLC电池平衡的IC

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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向白色家电、工业设备和小型物联网设备,开发出防水等级达IPX8*1的小型高精度气压传感器 IC“BM1390GLV(-Z)” 在智能手机和可穿
2021-10-09 17:10:061726

SK海力士成功开发出业界第一款HBM3 DRAM 内存芯片

韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片,可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽,每秒处理819GB的数据,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

孤波科技推出业界首创国产自主研发的测试协同流程化工具

上海——中国首家专业研究半导体测试和研发协同的方案提供商上海孤波科技有限公司(简称孤波科技)受邀出席了合作伙伴合见工业软件集团的新品发布会,并发布了业界首创国产自主研发的测试协同流程化工具OneTest。
2021-11-29 11:05:27643

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748

POWI推出业界首款内部集成的汽车级高压开关IC

标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。
2022-02-15 11:45:53958

全世界首颗2nm芯片出世

目前,IBM已成功研制出全球首款采用2nm工艺的芯片,意味着IBM在半导体设计和芯片制造工艺上实现了实质性的突破,这些年,IBM从未停止对芯片技术的研发,而此次推出的2nm芯片为世界首创,正式表明全世界首颗2nm芯片出世。
2022-06-24 17:20:042928

折叠万象!HUAWEI P50 Pocket带来业界首创超光谱影像系统

HUAWEI P50 Pocket带来业界首创超光谱影像系统             审核编辑:彭静  
2022-07-04 15:49:23719

ROHM开发出具有高精度和超低静态电流的复位IC

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向需要对电子电路进行电压监控以确保安全的各种车载和工业设备应用(包括车辆引擎控制单元和FA设备),开发出具有高精度和超低静态电流的复位IC*1(电压检测器)“BD48HW0G-C”。
2022-07-06 12:38:142057

ROHM开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次(直接连接12V电池)电源,开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列
2022-07-27 14:46:351113

ROHM开发出内置新电路的车载LDO稳压器

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次(直接连接12V电池)电源,开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列
2022-08-26 16:55:13852

华为Mate 50系列业界首创 超光变摄像头

华为Mate 50系列超光变XMAGE影像,移动影像像新高度。业界首创,超光变摄像头
2022-09-06 14:56:30973

ROHM开发出设备端学习AI芯片原型 实现电机和传感器的故障预测

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款设备端学习*AI芯片(配备设备端学习AI加速器的SoC),该产品利用AI(人工智能)技术,能以超低功耗实时预测内置电机和传感器等的电子设备的故障(故障迹象检测),非常适用于IoT领域的边缘计算设备和端点*1。
2022-10-12 15:13:09785

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626

DC/DC转换器IC BD9V100MUF-C介绍

ROHM开发出以2MHz开关频率实现业界最高降压比的DC/DC转换器IC“BD9V100MUF-C”,并已于2017年6月开始出售样品,于2017年12月投入量产。
2023-02-10 09:41:04468

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC

*1,开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 近年来
2023-07-19 14:58:55363

【机器视觉】欢创播报 | 三星开发出业界首款GDDR7显存

1 三星开发出业界首款GDDR7显存 三星7月19日宣布成功开发出业界首款GDDR7 DRAM显存,将进一步拓展人工智能、HPC和汽车应用的能力。该产品将于今年首先安装在主要客户的下一代系统中进
2023-07-20 11:27:49498

TDK的EDLC多用于LED闪光灯的辅助电源灯

TDK除提供有袋型EDLC之外,还全新开发了可放置在IC卡内,厚度仅为0.45mm(Max.)的超薄型EDLC。这不仅使搭载有显示器的智能卡的无电池化成为可能,同时也适用于穿戴式设备、IoT设备
2023-08-22 15:50:34313

ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术,助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC
2023-10-19 15:39:38214

新闻 | ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术,助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC
2023-10-25 15:45:02192

日本Socionext发布了业界首款32核数据中心级芯片

日本定制芯片开发商 Socionext 发布了业界首款 32 核数据中心级芯片,该芯片将采用台积电 2nm 级制造工艺制造。
2023-10-30 18:21:37487

ROHM开发出新结构热敏打印头KR2002-Q06N5AA

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款可实现高性能打印并节能约30%的、由1节锂离子电池(3.6V)驱动的新结构热敏打印头“KR2002-Q06N5AA”。
2024-01-17 12:24:17487

ROHM开发出一款采用高速负载响应技术QuiCur™的45V耐压LDO稳压器

近日ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,是采用了ROHM高速负载响应技术“QuiCur”的45V耐压LDO稳压器,
2024-03-06 13:50:21132

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