德赢Vwin官网
App
IR2110是美国国际整流器公司（International Rectifier Company ）利用自身独有的高压集成电路及无门锁CMOS 技术，于1990 年前后开发并投放市场的大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路，已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。该电路芯片体积小（DIP-14、SOIC-16），集成度高（可驱动同一桥臂两路），响应快（ ton /tof = 120/94 n s ），偏值电压高（《 600 V ），驱动能力强，内设欠压封锁，而且其成本低，易于调试，并设有外部保护封锁端口。
尤其是上管驱动采用外部自举电容上电，使得驱动电源路数目较其他IC驱动大大减小。对于发射机的4 管构成的全桥电路，采用2片IR2110驱动2个桥臂，仅需要一路10一20V电源，从而大大减小了控制变压器的体积和电源数目， 降低了产品成本， 提高了系统的可靠性。
（1）R 2110的典型应用连接见图。通常，它的输出级的工作电源是一悬浮电源，这是通过一种自举技术由固定的电源得来的。充电二极管VD的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压，为了减小功耗，推荐采用一个快恢复的二极管。自举电容C的值依赖于开关频率，占空比和功率MOSFET或IGBT栅极的充电需要，应注意的是电容两端耐压不允许低于欠电压封锁临界值，否则将产生保护性关断。对于5kHz以上的开关应用，通常采用。．1f/F的电容是合适的。
（2）为了向需开关的容性负载提供瞬态电流，应用中应在vcc和COM间、VDD和y鹅间连接两个旁路电容，这两个电容及VB和Vs间的储能电容都要与器件就近连接。建议Vcc上的旁路电容用一个n 1VF的陶瓷电容和一个iFeF的钽电容并联，而逻辑电源V∞上有一个o_ ipiF的陶瓷电容就足够了。
（3）大电流的MOSFET或IGBT相对需要较大的栅极驱动能力，IR 2110的输出即使对这些器件也可进行快速的驱动。为了尽量减小栅极驱动电路中的电感，每个MOSFET应分别连接到JR 2110的2脚和5脚作为栅极驱动信号的反馈。对于较小功率的MOSFET或IGBT可在输出处串一个栅极电阻，栅极电阻的值依赖于电磁兼容（EMI）的需要、开关损耗及最大允许dvldt值。
工商网监
评论