内部的存储器资源。在实际应用中，片外存储器通常选择RAM或FLASH MEMORY。RAM数据掉电即丢失，不适合长期保存数据。对于一些无需频繁读写但需要长期保存的数据，如字模数据、端口地址等时，通常选择片外FLASH作伪扩展的数据存储器。使用片外 FLASH必须要解决对其擦写的问题。
2020-09-18 16:49:13
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存储器，NOR 与NAND 存储逻辑的差异导致二者的应用场景有很大不同。NOR 的优势在于随机读取与擦写寿命，因此适合用来存储代码；NAND 的优势在于单位比特成本，花同样的钱可以获得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
自动流程跑一次需要写一次FLASH操作，那么FLASH很快就会挂掉。原因很简单，因为FLASH的一般寿命都在10万次左右，好点的也就100万次，按照客户要求去计算的话，一年最大可能要写FLASH将近
2020-05-04 05:55:58
STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理
2019-08-16 07:06:12
1.利用单片机通过i2c对其电压输出寄存器进行频繁擦写会不会影响其寿命？
2.其内部的电压、电流等采样的寄存器是如何实时擦写的？会不会影响其寿命？
3.问题1和问题2有什么不同？
请指教，谢谢！
2024-01-08 08:18:32
以上两个大的不同点进行分析，取 EEPROM 易于擦写和高擦写寿命周期的特点来对 Flash 中的存储流程进行优化，以达到 Flash 模拟 EEPROM 的目的。 Flash 模拟 EEPROM
2020-08-15 14:23:57
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明擦除或者编程flash 时，如果操作地址不在flash 绝对地址范围内，则操作会失败？
2023-10-23 08:24:03
EEPROM擦写频率EEPROM擦写频率怎么理解？怎么根据擦写频率选择EEPROM还是flash？比如如下这个案列每100ms采集一次数据，每秒存20个字节（实际使用清空EEPROM存储的数据是每周
2022-11-09 18:56:36
关于EP100单片机Flash擦写函数全速运行时，系统跑飞解决方法在做EP100的CCP时，调用Flash擦写函数，程序下载进去，Command命令窗口一直提示 ILLEGAL_BP TARGET
2022-01-26 06:14:47
本人想在程序的某一处设置断点，但是这个断点工能好象不对劲而且后来还出现了FLASH无法擦写的故障，希望能够 得到帮助。如图所示，我在程序前面双击，设置了一个断点，然后运行程序，程序可以停在断点处，我
2018-08-20 06:31:46
如题，Lauterbach的debug工具可以支持GD32VF103的Flash擦写吗？
或者说，大家能否推荐一款比较成熟的debug工具，IDE也行。
2023-08-12 08:28:56
Flash，可用于存储非易失性数据，但是由于 Flash 与 EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这种应用方式并不能够满足所有客户的需求...那么诀窍来了~~提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法
2019-10-18 09:00:50
pSLC模式后，仅保存1bit数据。
二、各NAND FLASH的特点
MLC常用制程为15nm，擦写次数约为3000次，改为pSLC模式后约为2万次。
三、pSLC的优缺点
pSLC具有以下优点
2023-08-11 10:48:34
你好，我查了很多datasheet，关于STM32F030C8T6的flash memory的擦写次数，但是就没有找到这个问题的答案，请帮忙解答一下
2023-08-07 08:49:39
在STM32F4系列上，大部分扇区都是高达64KB或者128KB的，当需要使用一个扇区进行小数据量数据存储的时候，如果用普通的读写操作，需要频繁对flash整个扇区进行擦写，不能对flash使用寿命
2022-08-01 10:57:48
STM32f030内部的FLASH擦写时间是多少？STM32f030内部的FLASH擦写次数是多少？STM32f030内部的FLASH擦写电流是多少？
2021-10-22 06:23:26
STM8S003的flash可擦写次数是多少
2023-10-10 07:28:12
STM8的内部flash的使用寿命有多长
2023-10-12 07:06:55
TC397对Pflash进行擦写，会进入trap，大家遇见过这类问题吗？交流下经验，目前我使用的github上的flash_program的代码，这份代码我单独新建工程测试是正常的，但和我
2024-02-05 08:20:11
大家好！
我手中有一块dm365的标准开发板，但是在ti的文档中并没有找到 ubl、uboot、rootfs的tftp的擦写地址，只找到kenerl的地址(0x400000 0x200000)，谁能告诉我其它的tftp擦写的地址。
谢谢！
2018-06-21 17:21:52
stm32F0 Flash擦写操作时 HSI 必须是开启的， 但看 stmF030 hal库1.11.3stm32f0xx_hal_rcc.c 文件里 HAL_RCC_OscConfig 函数
2024-03-14 08:11:24
使用ILLD库里面的FLASH_demo对PFLASH进行擦写(不做代码修改)，发现PSPR上运行成功了，FLASH驱动也运行了，但是数据没有被写入到FLASH中
2024-02-02 06:48:09
1-16键触摸台灯MCU方案开发LED台灯触摸滑动调光芯片LED台灯无极/三段调光IC提供各种通道MCU触摸台灯方案供应FLASH可反复擦写 LED台灯触控MCUMTP触控型MCU 可反复擦写 更
2020-05-07 16:46:52
STM32F407HAL用FLASH写掉点保存FLASH工作流程写数据流程：Flash解锁——擦除扇区——写数据到指定空间——上锁写保护；读数据流程：从指定地址读出指定长度数据。源文件flash
2021-08-23 07:02:37
N76E003 FLASH 擦写次数几项不太清楚，还请指教
1，FLASHE当EEPROM用时，我在第一次用的时候已经擦除整页了，后续如果我想改变一页中的个别字节时，是否需要在将一整页擦除在重写
2023-06-25 10:24:18
有什么软件可以测试航天执行器的寿命吗？寿命测试系统是什么？它有什么用？寿命测试系统的硬件有哪些?软件又有哪些?如何去设计寿命测试系统？
2021-04-13 06:33:08
由于在我的项目中，需要实现对HCS12单片机的FLASH进行擦写，所以难免会遇到对全局地址的操作，因为对FLASH的擦写操作是必须使用全局地址的。下图是擦除指令序列的说明图1其中Global
2022-03-02 06:20:26
Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM，通过一定的软件处理算法，可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。
2021-02-01 07:15:05
Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM，通过一定的软件处理算法，可以大大增加数据存储周期的一种方法。
2019-09-23 08:31:04
嵌入式Flash存储介质与EEPROM的主要特性对比增加Flash模拟EEPROM擦写寿命的方法
2021-03-18 06:10:12
用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限
2021-03-18 06:00:25
请问如何用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写？
2021-04-20 06:13:20
如何调用库函数对flash进行擦写编程读操作,将库加入工程发现无法正常调用,我使用的是keil4
2020-06-15 09:20:22
擦写过程中，中断程序是无法执行的，擦写过程触发喂狗中断失败，导致系统复位。如果flash擦写操作时间小于喂狗超时时间，可以在擦写前先手动喂狗，确保擦写flash过程无需触发喂狗中断。
2020-02-22 19:33:05
怎么才能延长这个读写寿命
2023-10-24 07:50:49
在读写次数不变的情况下，如何尽可能的延长flash读写寿命
2023-10-13 07:22:56
想通过CAN烧写程序，有没有擦写TC275flash的程序？
2024-01-25 07:28:45
请问大神有什么方法可以实现片外FLASH的擦写吗？
2021-04-26 06:26:01
求fpga控制flash存储的读擦写verilog源代码
2018-11-28 12:10:04
求xc886的Flash的擦写例程
2018-12-18 09:37:47
1.利用单片机通过i2c对其电压输出寄存器进行频繁擦写会不会影响其寿命？2.其内部的电压、电流等采样的寄存器是如何实时擦写的？会不会影响其寿命？3.问题1和问题2有什么不同？ 请指教，谢谢！
2018-08-20 07:31:53
各位大神，想问问M0516LDN的Flash擦写次数是多少？
2023-08-24 06:19:46
手册上看到STM32F030 的FLASH 擦写次数只有1K,真的只有1K么？051系列的手册上是10K,
2018-11-20 08:35:54
如何延长FLASH的读写寿命?
2023-10-23 06:46:23
请问片内flash一般能擦写多少次
2024-02-19 08:32:52
个人感觉对学习不是很有利。操作起来方便，但对底层接触的就比较少，想看他底层部分，嵌套太多层，看起来很累。所以我参考他们的寄存器版的程序，自己编写自己所需。但有些没有寄存器版本，例如flash的擦写部分就没有参考程序，所以我只能参考PE生成的程序进行移植。3、调试过程先找个官方基础例程，作为
2022-01-26 07:53:34
首先， 针对闪存Flash 的存储编程特点， 提出一种基于虚拟扇区的闪存管理技术， 使系统对Flash的擦写次数大大降低，从而提高Flash 的使用寿命和整个系统的性能。然后，通过嵌入式
2009-05-16 13:30:20
19 摘要：首先，针对闪存Flash的存储编程特点，提出一种基于虚拟扇区的闪存管理技术，使系统对Flash的擦写次数大大降低，从而提高Flash的使用寿命和整个系统的性能
2006-03-24 13:01:35608 
延长Flash存储嚣使用寿命的研究
引 言 随着嵌入式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、MP3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用，Flash存储器
2009-12-15 17:13:071153 
本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM，通过一定的软件处理算法，可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。
2012-12-04 13:51:133765 
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
2018-09-18 14:47:3626849 
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
2018-10-07 15:37:0012470 FLASH存储器（FLASH Memory）是非易失存储器，即使在供电电源关闭后仍然能保留信 息， 可以对存储器单元块进行擦除和再编程，并且不需要额外的编程电压。FLASH存储器具有工 作电压低、擦写速度快、功耗低、寿命长、价格低廉、控制方法灵活、体积小等优点。
2019-08-09 08:00:002748 
单片机FLASH主要用作程序存贮器，就是替代以前的ROM，最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写，目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大，擦写次数从1000~10万的都有，但存储时间可以保证40年，在选用时要注意。
2019-01-29 15:19:218 FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 据存取，根据应用，用户可以对片上Flash的指定区域进行擦写。在工业电力控制的应用中，在线升级（In Application Programming，IAP）是一种常用的操作，意思是“在应用编程”，即在
2020-01-28 17:27:001901 
FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能按块擦除。
2020-01-25 16:16:0029819 。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM，通过一定的软件处理算法，可以增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。 1.1写方法 外置EEPROM和采用Flash 模拟EEPROM的最大不同之处在于写的方法。 EEPROM：对EEPROM 的写操作不
2020-04-09 09:23:142841 得益于容量大、价格低的优势，如今越来越多的SSD硬盘转向QLC闪存，大家担心的主要是QLC闪存的寿命，具体来说就是P/E擦写次数，通常在1000次左右，而IBM现在解决了QLC寿命问题，做到了史无前例的16000次擦写寿命，寿命比SLC还强。
2020-12-08 09:40:034095 德赢Vwin官网
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2021-04-11 08:54:347 ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技术，64K用户区间，支持IAP/ISPFlash擦写技术。MCUFlash采用32位数据总线读写，充分利用32位ARMCPU性能优势，同时它的512字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。
2021-05-01 16:21:005699 
文章目录 UBI简介 flash存储的内容 代码实现 将flash数据读到内存 组织数据结构 volume EBA子系统初始化 wear-leveling子系统初始化 UBI层操作 举个例子 擦写
2021-05-10 14:14:473029 
C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法总结(stm32嵌入式开发实例)-该文档为C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
2021-08-04 10:41:0211 STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 关于EP100单片机Flash擦写函数全速运行时，系统跑飞解决方法在做EP100的CCP时，调用Flash擦写函数，程序下载进去，Command命令窗口一直提示 ILLEGAL_BP TARGET
2021-12-02 10:06:058 SmartRF Flash Programmer软件下载器免费下载。
2022-04-24 09:20:1964 APM32F103RCT6_Flash_擦写失败
2022-11-09 21:03:240 flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 在FreeRTOS环境下，如果外部擦写 Flash，禁用指令缓存以避免在多个任务中使用来自Flash 的分支预测和应用程序同步操作 Flash的缓存预加载指令。因为代码是XIP，所以向量
2023-01-30 09:18:311198 当遇到片外的Flash无论如何用四线模式擦写读取都异常的时候（如下所示读出的内容始终是0xbb，也无法用四线模式擦除），可以尝试用如下方式，当然如果 ID都读不出来，那估计是芯片损坏了。这里测试的是 1Gb的Flash MX25L25645GM2I-10G 芯片。
2023-03-06 13:44:29682 语音芯片的型号有哪些？为什么强烈推荐使用flash型可擦写的芯片。这里我们简单描述一下如下常见类容：
1、他们都有什么特点？以及发展的历程简介
2、常见的语音芯片有哪些？
3、为什么推荐使用flash型可以重复擦写的
2023-08-14 11:05:24397 
FLASH擦写操作非法操作解决方案-HK32F030M应用笔记（二十四）
2023-09-18 10:56:46323 
HK32MCU应用笔记（十七）| HK32F103xC/D/E-flash擦写应用及注意事项
2023-09-18 10:58:31627 
什么是可重复擦写（Flash型）语音芯片？可重复擦写（Flash型）语音芯片是一种嵌入式语音存储解决方案，采用了Flash存储技术，使得语音内容能够被多次擦写、更新，为各种嵌入式系统提供了灵活的语音
2023-12-14 10:08:54185 
在嵌入式语音应用中，OTP（一次性可编程）语音芯片与可重复擦写（Flash型）语音芯片是两种常见的存储解决方案，它们在特性和应用上存在明显差异。本文将深入比较这两类语音芯片的区别，以帮助读者更好地理
2023-12-14 10:13:30167 
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