以前，芯片提供商想办法通过晶体管和工艺技术来降低功耗。虽然晶体管是产生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通过晶体管来降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:55
815 。 8050晶体管及其等效的8550晶体管设计用于低功耗推挽放大器应用中的互补晶体管对。通常，8050晶体管是2瓦放大器，最大集电极-发射极电流为1.5安培，最大集电极-发射极电压为25伏。 基本晶体管
2023-02-16 18:22:30
采取一些特殊的方法来应对上述两个主要挑战。 在功率管理方面，FPGA在130纳米之前的各节点，每次升级都不需要考虑功耗问题，设计要以获得晶体管升级带来的全部性能为主。但在90纳米之后，这种节点的升级变成
2019-05-20 05:00:10
）Arcotii OTII-ARC-001 QOITECH 电源分析记录仪，当天发货-淘宝网 (taobao.com)Arcotii OTII-ARC-001这款设备目前的使用面不是太广，有一些比较知名的对低功耗
2020-12-28 22:59:20
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈？
2021-05-26 06:57:13
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是否在SOA范围内？4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
统通过VCCS输入，取平均等技术获得较理想的测试结果。目前能够完成三极管输入、输出特性曲线、放大倍数、开启电压等参数以及二极管一些参数的测定，并能测试比较温度对这些参数的影响。系统具有通用的RS232 接口和打印机接口，可以方便的将结果打印、显示。关键词AduC812压控流源晶体管参数
2012-08-02 23:57:09
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
题库来源：特种作业模考题库小程序1.晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的( )电阻。 BA.基极B.集电极C.限流D.降压2.集成运放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。 晶体管的基本工作条件是发射结（B、E极之间）要加上
2013-08-17 14:24:32
晶体管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的晶体管。 1．一般高频晶体管的选用一般小信号处理（例如
2012-01-28 11:27:38
强弱。控制能力强，则放大大。但如果要从晶体管内部的电子、空穴在PN结内电场的作用下，电子、空穴是如何运动的、晶体管的内电场对电子、空穴是如何控制的等一些物理过程来看，就比较复杂了。对这个问题，许多
2012-02-13 01:14:04
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
向左：超低功耗，低速计算。图1.将功耗性能曲线向高速方向移动的一些技术，同时通过功耗管理拉低整条曲线。Muller说，这是长寿命电池和低功耗的范围。这里的问题是，怎样以很低的能量来完成少量的计算。今天
2014-09-02 14:55:03
CC2530芯片 ZED 和ZC,在组网正常的情况下，ZED可以进入低功耗模式，电流在uA级别。当关闭ZC后，ZED会持续的进行网络发现，无法进入低功耗模式。电流达28mA；求教，如何降低ZC发现网络的频次以降低功耗？或者有其他什么方法来降低功耗？
2016-04-07 14:19:54
技术亚阈值漏电流是静态功耗产生的主要原因之一，降低亚阈值漏电流将有效地降低芯片的静态功耗。亚阈值漏电流的解析模型如下公式所示：Vt为阈值电压，n为亚阈值摆幅系数，W为晶体管的宽度，L为长度，μ为电子
2020-04-28 08:00:00
的高功率晶体管产品组合。我们目前的产品提供超过80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半导体技术。我们还致力于制造一些首批Si-bipolar器件，从而支持传统方案
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用我们获得的新半导体
2019-05-14 11:00:13
NPN晶体管排列和符号在解释原理之前，我们先来了解一下NPN晶体管的基本结构和符号。要识别NPN晶体管引脚，它将是集电极（c），基极（b）和发射极（e）。图1.NPN 晶体管结构和符号NPN晶体管由
2023-02-08 15:19:23
低功耗设计中，晶体管控制电路会对电路产生一定的影响。无论是NPN还是PNP，晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时，为了稳定基极电压，一般在NPN开关电路的基极上加一个下拉电阻。在PNP开关电路的设计中，基极增加了一个下拉电阻。上拉和下拉电阻根据控制芯片、晶体管和电路电压进行选择。
2023-02-15 18:13:01
、发射极和集电极。为了识别NPN和PNP晶体管，我们有一些标准的电阻值。每对端子必须在两个方向上测试电阻值，总共进行六次测试。这种方法对于快速识别PNP晶体管非常有益。我们现在可以观察每对终端的运行方式
2023-02-03 09:44:48
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
电源完整性解决方案确保我们在降低功耗的同时还能保证极其严格的晶体管级的精度要求。我们也使用了Voltus IC电源完整性方案实现在模块层面的完整性，凭借业内一流的电源签收解决方案不断优化我们的移动设备
2018-09-30 16:11:32
。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中
2010-08-13 11:36:51
cogobuy降低功耗的措施 每个厂商对于降低功耗都有不同的处理方式。虽然每个MCU都有休眠状态或都有可能实现很低的工作耗电量，但是有的芯片在处于很低功耗的时候，基本功能也所剩无几了，没有
2012-03-23 11:18:31
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
变化对系统的积极作用 凡事都有两面性，虽然芯片中晶体管的老化对电子产品不是好事，但其功耗却随着时间的推移而降低，这是英国南安普顿大学电子工程教授Bashir Al-Hashimi在一系列仿真和试验后
2017-06-15 11:41:33
现在苹果的a12晶体管的数量都到100亿了，晶体管数量也不比x86低了，为什么还能还能保持低功耗，同样用arm cpu的路由器功率却越來越大？
2018-11-02 09:55:21
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000个电子，而单个电子晶体管仅包含一个或几个电子，因此将大大降低功耗并提高集成电路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人员发现了库仑阻塞现象。当施加电压时，如果量子点中
2023-02-03 09:36:05
电子产品中。这种氧化物是个好选择，因为它能与AlGaN/GaN形成良好的肖特基接触，并在GaN晶体管中起到栅极的作用。有一些报道证实在氮化镓晶体管中可存在铟锡氧化物（ITO）栅极，并且已经表明，在氮化镓器件
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
两种比光敏二极管产生更高输出电流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶体管和光敏集成电路。后一个术语指的是基本上是一个光电二极管和放大器集成到同一封装。什么是光电晶体管？光电二极管可以产生光电流，因为它的结
2022-04-21 18:05:28
年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一概念申请了专利。 达林顿晶体管通常具有低功耗、高增益的特性，使其对输入电流
2023-02-16 18:19:11
场效应管的演变 鳍式场效应晶体管的未来发展前景 FinFET在5nm之后将不再有用，因为它没有足够的静电控制，需要晶体管的新架构。然而，随着技术节点的进步，一些公司可能会出于经济原因决定在同一节点上
2023-02-24 15:25:29
嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
，但也降低了开关速度。此外，降低晶体管阈值电压，会导致更多的问题，例如抗噪声能力，泄漏电流。 较低的电压摆幅使芯片与外部设备接口变得更加困难。2、时钟门控时钟门控是一种动态功耗降低方法，在寄存器存储
2022-04-12 09:34:51
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有
2012-08-03 21:44:34
的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3、场效应晶体管双电压应用：在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方
2019-04-16 11:22:48
hfe或β表示。hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散
2012-07-11 11:36:52
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何使用PWM控制继电器来降低功耗？
2022-02-17 06:31:28
复杂器件专业技术相结合，将为系统供应商提供低功耗的芯片方案，供他们在此基础上持续提高带宽容量，并完成更智能的处理。此外，TPACK提供的芯片解决方案可以导入到最新的FPGA中，进一步降低功耗。最终实现
2019-07-31 07:13:26
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
。例如，需要合适的接口电路以在不同的强度和条件下提取最大电流。但是，确保应用的有效性还需要了解光电晶体管和光电二极管的工作原理以及二者之间的差异。本文将讨论这些器件的工作原理、一些关键的参数考虑因素、器件应用的一些细微差别以及一些解决方案示例。
2021-01-12 07:56:44
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为
2019-05-05 09:27:01
节省功耗的特性的实现和各种最少功耗数据存储技术的实现。除此之外，设计中采用一些低功耗技巧，也可以降低静态功耗。 IGLOO具有功耗友好的器件架构，能提供静态、睡眠、Flash*Freeze功耗模式
2020-05-13 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
)，并得到规定的输出电流时需要的最小输入电压，即数字晶体管导通区域的最小输入电压值。因此，如果要从ON状态变为OFF状态，需要进一步降低该最小输入电压值，所以正常产品的电压值低于这个数值。VI(off
2019-04-09 21:49:36
的最小输入电压，即数字晶体管导通区域的最小输入电压值。因此，如果要从ON状态变为OFF状态，需要进一步降低该最小输入电压值，所以正常产品的电压值低于这个数值。VI(off)Max.：输入电压
2019-04-22 05:39:52
电容在波形上升、下降时基极电流变大，加速开关过程。在实际当中晶体管由截止状态到导通状态的时间也缩短了，仿真的结果稍有偏差。在实际应用中，加速电容的值要通过观察开关波形来决定。加速电容是一种与减小R1值
2023-02-09 15:48:33
能通过一些办法来降低功耗
2023-10-13 08:25:10
MOSFET：在硅上采用硅锗结构是改善性能的一种方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱场效应晶体管。这种P沟道结构将基于40nm InSb材料。5. 基于通孔硅技术的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技术的300mm 3D芯片研发计划。
2014-01-04 09:52:44
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率变换器应用中，宽带隙（WBG）技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。在某些细分市场的应用场景中，提升效率极限一或两个百分点依然关系重大，变换器功率密度的提高可以提供更多应用优势
2021-01-19 16:48:15
时，它被用于低压应用。相比CMOS逻辑电路，采用一个NMOS和一个阈值电压不同PMOS晶体管搭建而成。CMOS逻辑电路采用低阈值设计，保证了电路的速度和性能。VTCMOS利用基极偏压效应来降低功耗
2020-07-07 11:40:06
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？ 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
stm32进入低功耗模式，必须用中断来唤醒，现在就是不用这种模式，如何通过程序来降低功耗啊
2019-05-06 18:43:22
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
如何利用FPGA设计技术降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
集成电路来实现一些常见的功能，如扩流、恒流、稳压等。本文也就正是基于这方面，和大家分享一下晶体管的使用心得，希望能对初学者有一定的帮助，老司机可以直接忽略在下的班门弄斧了。首先来看一个负载控制的实例
2016-06-03 18:29:59
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多栅结构提高器件的栅控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一种减小集成电路功耗的方法是降低晶体管的工作电压Vdd。传统的MOSFET等比例缩小原则假设阈值电压也能等比例
2018-10-19 11:08:33
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