晶体管转速计原理图仅使用一个单一晶体管,这可能是最简单的转速计原理图。
2012-03-16 11:39:24
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在普通的晶体管中，电流由电子与空穴搬运，其“具有两种极性”，所以被称为双极性晶体管。与此相比，N沟道FET是由电子来搬运电流的，P沟道FET是由空穴来搬运电流的，因此也称之为单极晶体管。
2024-02-05 16:31:36667 
场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为：．接合型场效应管．MOS型场效应管★MOS型场效应管原 理 即使是夹住氧化膜（O）的金属（M）与半导体（S
2019-06-13 04:20:29
电路和放大倍数漏极接地电路（源极跟随器）与晶体管的共集放大电路（射极跟随器）相同。漏极接地电路中，漏极与电源VPS相连接（关于n沟道FET），通过电源接地，所以可以被看作为“漏极接地”电路。信号的放大
2017-04-19 15:53:29
通过向栅极施加正电压来控制漏极电流。N 沟道场效应管N 沟道 MOSFET 的 N沟道区域位于源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。这种类型的场效应晶体管的漏极和源极
2023-02-02 16:26:45
第一部分 晶体管的工作原理 N型场效应管（N-Channel Field Effect Transistor，FET）是一种电极介质驱动的晶体管，通常用来将微弱的输入信号增强到数千或数万次。其
2023-03-08 14:21:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
越大，而另一方面，漏源之间电压越大，沟道电阻也越大，两者相互作用，电流不随有很大的变化达到平衡。此时场效应管的功率随漏源之间电压降增大而增大，因为此时电流基本不变。
以上是我对晶体管和场效应管的理解，如有问题请指正。
2024-01-18 16:34:45
100GHz以上。使用了晶体管以后，电子线路的结构大大改观，进入了晶体管为代表的第二代电子计算机时代。1947年贝尔实验室的肖克利等人发明了晶体管，又叫做三极管。下面两图是晶体管的产品照片和电路符号
2021-01-13 16:23:43
晶体管射随电路图在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13
场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道
2016-06-29 18:04:43
示二进制的“0”和“1”。 源极和漏极之间是沟道(Channel)，当没有对栅极(G)施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把
2017-08-03 10:33:03
孔，按动相应的V（BR）键，再从表中读出反向击穿电压值。对于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测试电路的A端、B端相连（PNP
2012-04-26 17:06:32
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶体管温控电路图如图是晶体管组成的继电器延时吸合电路。刚接通电源时，16μF电容上电压为零，两个三极管都截止，继电器不动作。随着16μF电容的充电，过一段时间后，其上电压达到高电平，两个三极管都导通，继电器延时吸合。延时时间可达60s。延时的时间长短可通过10MΩ电阻来调节。
2008-11-07 20:36:15
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识。1．1 学习晶体管电路
2009-11-20 09:41:18
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
的晶体管，因此基本上仅有功率型。 顺便提一下，MOSFET为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的缩写，是场效应晶体管 (FET) 的一种
2018-11-28 14:29:28
的缩写，是场效应晶体管 (FET) 的一种。IGBT为Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。 Si晶体管的特征 下面就双极晶体管、MOSFET、IGBT，汇总了
2020-06-09 07:34:33
自来水的阀门，从而调节水龙头喷出的巨大的水量（即集电极电流）。借此，可以通俗地领会这一原理。6. 正确说明。下面通过图1及图2对晶体管的增幅原理作进一步详尽的说明。与输入电压e和偏压E1构成的基极-发射极
2019-07-23 00:07:18
自来水的阀门，从而调节水龙头喷出的巨大的水量（即集电极电流）。借此，可以通俗地领会这一原理。6. 正确说明。下面通过图1及图2对晶体管的增幅原理作进一步详尽的说明。与输入电压e和偏压E1构成的基极-发射极
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散
2012-01-28 11:27:38
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
的分类还没结束，每种类型的管子又可分为N型管和P型管，所以说场效应晶体管下面可以分为6种类型的管子，分别是N沟道结型场效应晶体管、P沟道结型场效应晶体管、N沟道增强型场效应晶体管、P沟道增强型
2019-04-15 12:04:44
沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。 场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一
2018-12-18 14:06:27
的复杂性，优点是减小栅源电容和增加晶体管宽度，缺点是寄生电阻增加。 π栅极和Ω栅极器件 π栅极（图5）和Ω栅极（图6）器件是通过加长沟道下方三栅极FinFET的侧壁部分而形成的。这种布置将有效门数从
2023-02-24 15:20:59
NPN晶体管排列和符号在解释原理之前，我们先来了解一下NPN晶体管的基本结构和符号。要识别NPN晶体管引脚，它将是集电极（c），基极（b）和发射极（e）。图1.NPN 晶体管结构和符号NPN晶体管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶体管的b处没有电压输入时，c和e之间没有电流流动，三极管处于截止状态。在图（b）中，当正电压输入到NPN晶体管的b时，e的N区的负电子被b中P区的正电子吸引。 由于发电厂的作用，它们冲向（扩散
2023-02-15 18:13:01
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导
2021-10-28 10:07:00
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
的“0”和“1”。源极和漏极之间是沟道(Channel)，当没有对栅极(G)施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭
2017-09-12 11:10:57
场效应晶体管只要三步:1.选择须合适的勾道(N沟道还是P沟道)2.确定场效应晶体管的额定电流，选好额定电流以后，还需计算导通损耗。3.确定热要求，设计人员在设计时必须考虑到最坏和真实两种情况。一般建议采用针对最 坏的结果计算,因为这个结果提供更大的安全余量，能够确保系统不会失效。`
2019-04-09 11:37:36
场效应晶体管
结型场效应晶体管有两种基本配置：N 沟道 JFET 和 P 沟道 JFET。N 沟道 JFET 的沟道掺杂有施主杂质，这意味着流过沟道的电流以电子形式为负（因此称为 N 沟道）。这些晶体管有 P
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管等。晶体管大多是指晶体三极管。晶体管分为两大类：双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管的结构晶体管有三极：双极晶体管的三极分别由N型和P型组成
2023-02-03 09:36:05
更高的功率耗散，因为输出晶体管不能饱和。在更高的频率下，更大的相移也是可能的，这可能会导致负反馈下的不稳定。 达林顿晶体管原理图通常描绘了在单个大圆圈内连接在一起的一对晶体管元件。互补达林顿或
2023-02-16 18:19:11
，出于实际原因，保持区域大致相同至关重要。 如前所述，实现更多计算能力的一种方法是缩小晶体管的尺寸。但随着晶体管尺寸的减小，漏极和源极之间的距离降低了栅极控制沟道区域电流的能力。正因为如此，平面
2023-02-24 15:25:29
ADALM2000主动学习模块无焊面包板一个2.2 kΩ电阻（或其他类似值）一个100 Ω电阻一个4.7 kΩ电阻两个小信号NPN晶体管（2N3904或SSM2212）说明BJT稳定电流源对应的电路如图1所示
2021-11-01 09:53:18
电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计(下)》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术
2017-06-22 18:05:03
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
导电，故称为单极型晶体管。 单极型晶体管的工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管的结构模型如图1所示，它由两个背靠背的PN结组成。 图2是实际结构
2020-06-24 16:00:16
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有
2012-08-03 21:44:34
MOS管在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝（Al）栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。电路符号G,D,S极怎么区分G极是比较好
2023-02-10 16:27:24
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。 2. 场效应管的特征：(a) JFET的概念图 (b) JFET
2011-12-19 16:30:31
场效应晶体管（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性
2019-05-08 09:26:37
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
描述EarthQuaker Devices 污垢发射器基于硅晶体管模糊电路。除了标准的 Tone、Level 和 Dirt 旋钮外，Dirt Transmitter 还具有一个 Bias 旋钮，用于模拟快要耗尽的电池的电压不足，以获得类似 Velcro 的绒毛音调。PCB+原理图
2022-08-10 06:40:23
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
。场效应晶体管是防护电压的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体管和增强型的P沟道场效应晶体管。实际应用中，N场效应晶体管居多。N沟道
2019-03-29 12:02:16
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
SI82XX-KIT，Si8235评估板，2输入，4 A，5 kV双ISO驱动器。该板包括用于普通表面贴装的焊盘和通孔封装的FET / IGBT功率晶体管。该板还包括用于额外原型设计的补丁区域，可用于满足设计人员可能需要评估的任何负载配置
2020-06-17 14:37:29
检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。 晶振检验器电路，2N3823 结型 N 沟道场效应管
2008-10-16 12:40:36
等效的提高开关速度的方法，较小R1值也会加快输出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶体管开关速度的另外一种方法，我们熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的数字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
行必要的调整。因为他们的起始电压不一样，但是在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须进行具体的分析，切不可盲目代换。场效应晶体管:选取场效应晶体管只要三步：1.选择须合适的勾道(N沟道还是P
2019-03-27 11:36:30
用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的，这里提供了一种简单而实用的晶振检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可
2020-07-15 17:49:55
; P沟道图1-8：IGBT的图形符号注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。图1-9：IGBT的等效电路图。上面给出了该器件的等效电路图。实际上，它相当于把MOS管和达林顿晶体管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
型结构，如图所示。绝缘门/双极性晶体管我们可以看到，绝缘栅双极性晶体管是一个三端子，跨导器件，结合了绝缘栅 n 沟道 MOSFET 输入和 PNP 双极性晶体管输出相连的一种达灵顿配置。因此，端子被
2022-04-29 10:55:25
。 Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构，晶体管是没有电感、电阻这些容易产生热量的器件的。最上面的一层是一个低电阻的电极，通过绝缘体与下面的平台隔开，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作
2020-07-07 11:36:10
没事看看了电力电子，看到这个原理图，有点迷糊了，按图所示，如果集电极C处为N型半导体，按照图中来C极应该接负极才对呀？为什么还接正极？这样如何导通？有没有大神指导下GTR的双晶体管模型是什么样的？
2020-06-11 09:03:42
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是：①SIT沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
驱动篇 – BJT晶体管应用感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计
2021-07-21 06:31:06
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
2020-03-23 11:03:188778 
。AMCOM射频晶体管GaAs FET以其灵敏度而闻名，而GaAs FET产生的内部噪声很小。这主要是由于GaAs具有很强的载流子迁移率。电子可以轻易、快速地穿过半导体材料。 AMCOM射频晶体管GaAs FET是一种耗尽器件，这意味着当控制电极没有电压时，它会导电，当栅极有电压时，沟道电导率会降低。
2020-09-17 11:42:23821 晶体管和FET给人的印象是具有信号放大的功能，即当输入信号通过晶体管或者FET后，输出信号被直接放大。
2023-10-21 10:23:07598 
MOS的三个极怎么判定？是N沟道还是P沟道？ MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的缩写。它是
2023-11-30 14:24:54619
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