应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 上一篇我们先就SiC MOSFET的驱动电压做了一定的分析及探讨（SiC设计分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨）。本
2022-06-16 07:00:00
108699 
于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ，以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给
2022-07-07 09:55:002357 
谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
的技术、项目经验积累，着笔SiC相关设计的系列文章，希望能给到大家一定的参考，并期待与您进一步的交流。 作为系列文章的第四篇，本文主要针对SiC MOSFET 短路Desat 保护设计做一些探讨。 1. 什么是Desat Desat保护是功率MOSFET和IGBT保护中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:002092 
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，进而缩短产品的设计周期、加快行业发展的步伐。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身
2022-09-28 13:54:381315 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。与Si-MOSFET的区别：驱动电压SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
米勒箝位示意图在高功率应用中，对于SiC MOSFET的选取，本文推荐采用[color=#2655a5 !important]ROHM（罗姆）公司提供的新型SiC MOSFET解决方案——[color
2019-07-09 04:20:19
，其重要性在以后的部分中得到了保存。在这里，我们证实了今天的SiC MOSFET质量，包括长期可靠性，参数稳定性和器件耐用性。 使用加速的时间相关介质击穿（TDDB）技术，NIST的研究人员预测
2023-02-27 13:48:12
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与我们熟知的Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。另外，关于SiC-SBD，可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式
2018-11-30 11:50:49
。希望下面给出的产品阵容能够成为大家进行个别规格确认等的参考。各技术规格详情可点击这里。第2代 SiC-SBD第3代 SiC-SBD关键要点:・ROHMSiC-SBD已经发展到第3代。・第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
间接节能相关的小型化也是重要课题之一。关键要点:・开发SiC是能源问题的一大解决方案。・SiC具有降低损耗、实现小型化的巨大优势。
2018-11-29 14:35:23
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。对于基于 SiC 的布局需要额外注意的事项SiC 基功率电子器件的布局方法在许多方面类似于硅基电路。在这些布局操作中要格外小心，才能最终解决快速开关功率器件的各类问题挑战，使得设计人员能够在其功率应用中充分利用 SiC 的所有优点。
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市，被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应，如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。美高森美的SP6LI产品系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模块而设计的最低杂散电感封装之一，具有五种标准模块，在外壳温度(Tc)为80°C的情况下，提供从
2018-10-23 16:22:24
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
` 首先万分感谢罗姆及电子发烧友论坛给予此次罗姆SiC Mosfet试用机会。 第一次试用体验，先利用晚上时间做单管SiC Mos的测试，由于没有大功率电源，暂且只考察了Mos管的延时时间、上升时间
2020-05-21 15:24:22
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
``首先非常感谢罗姆公司开展的本次试用活动。做为一个从事电力电子，开关电源工作的“攻城狮”，一直以来都想使用新型器件SIC和GAN，奈何价格原因没有用在产品上，所以一直没有接触过SIC。本次的活动
2020-05-09 11:59:07
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
SiC模块，对比相同充放电功率情况下SiC与MOSFET或者IGBT的温升。预计成果：在性能满足要求，价格可接受范围内，后续适用到产品中
2020-04-24 18:09:35
项目名称：SiC mosfet 测试试用计划：申请理由：公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划：1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
EMI
如前文所说，反向恢复电流会流经开关器件，从而增加开关器件开启过程的尖峰电流。在系统工作过程中，变化的电压信号和电流信号之间相互转换，在回路中形成干扰源，造成系统电磁兼容的问题。改善电磁兼容问题通常
2023-10-07 10:12:26
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
。设计挑战然而，SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑，在带来改进的同时，也带来了设计挑战。在诸多挑战中，工程师必须确保：以最优方式驱动 SiC MOSFET，最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共24颗，拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速导入。不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te.
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
应用，实际上已经在HV/EV/PHV的板上充电电路中采用并发挥着SiC-SBD的优势。关键要点:・ROHMSiC-SBD已经发展到第3代。・第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
SiC-SBD，蓝色是第二代，可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低，加之VF的改善，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns，电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
应用 很好的总结 据Goldman Sachs统计，在汽车中采用SiC MOSFET增加的成本大约为300美元，而估计节省的成本可达2000美元。因此，2019至2030年，SiC MOSFET市场将占功率
2023-02-27 14:28:47
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作开关的准谐振转换器IC。在使用电源IC的设计中，要使用SiC-MOSFET需要专用的电源IC设计中使用的电源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”这款IC
2018-11-27 16:54:24
个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容，并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家（意大利、法国、德国和捷克共和国）的20个合作伙伴组成，包括大型企业
2019-06-27 04:20:26
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
阻和紧凑的芯片，可确保低电容和栅极变化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系统的好处包括最高效率、更快工作频率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。典型应用包括DC-DC转换器、升压逆变器、UPS、太阳能和电源。
2020-06-15 14:19:403728 电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，而在高开关频率高功率的应用中，SiC器件优势明显，这就使得SiC MOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电
2021-08-13 18:16:276631 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151688 
用于高功率和高频应用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的结温，其特点包括低导通电阻和更高的开关。SiC MOSFET 允许构建具有更高功率密度和更高效率的转换器。然而
2022-08-03 09:40:47827 
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的设计裕量，并且较长的振铃时间会引入EMI。
2022-08-29 15:20:381010 SiC MOSFET 的优势和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:29491 继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43:19211 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。
2023-02-27 13:41:58737 
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:04
79 首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 可行的解决方案。 首先，让我们了解一下SIC MOSFET的基本原理和结构。SIC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管。相较于传统的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的载流能力、更低的导通电阻和更优秀的耐高温性能，可以应用于高频、高功率和高温环境
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687
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