前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准
整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用,新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:46
1053
Vishay
推出具有高电流密度的
新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基
整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:43
1353
VishayIntertechnology, Inc.宣布,
推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级
FRED
Pt®和HEXFRED®极快和超快
整流器和软
恢复二极管。
2013-01-10 11:21:35
1332
在40kHz以上的应用,具有极快的和软
恢复的时间,以及低正向压降和反向峰值电流,可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正(CCM PFC)中的
开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用,具有低得多的正向压降,可优化导通
损耗。
2013-05-31 10:33:25
706
日前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出10款可焊的
FRED
Pt
Hyperfast和
Ultrafast快
恢复
整流器,其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件,采用SMB封装的3A和4A器件,以及采用SMC封装的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:21
1081
VishayIntertechnology宣布,
推出6颗新的1A和2A电流的
FRED
Pt® 超快
恢复
整流器---VS-1EFH01HM3、VS-1EFH01-M3、VS-2EFH01HM3
2015-07-07 11:47:49
735
昨日下午,微软在北京举办发布会,正式
推出
第五代小冰,微软这款主打EQ(情商)的聊天机器人进入完成态。
2017-08-23 09:55:08
1787
新
整流器的潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准的1级,LF最高峰值为+260℃。器件符合RoHS,无卤素,非常适合自动贴片,适应汽车系统里自动光学检测(AOI)。
2018-03-21 16:08:20
10373
在导通数据中,原本2,742µJ的
开关损耗变为1,690µJ,
损耗减少了约38%。在关断数据中也从2,039µJ降至1,462µJ,
损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44
949
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩
整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向
恢复电压和75ns的快速反向
恢复
2012-04-18 11:05:17
781
Vishay宣布,
推出eSMP®系列SMP (DO-220AA)封装八款新型100 V和200 V器件,扩充其
FRED
Pt®超快
恢复
整流器阵容,包括业内额定电流首度达到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:58
1371
FRED产品是一种为优化
整流器性能而设计的超快
恢复产品,拥有较低的正向压降和极低的
恢复时间,现有的产品分布在200V~600V,5A~20A,具有多种封装类型。
2020-08-14 14:50:17
945
整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装,X型为
Hyperfast超高速
恢复
整流器,H型为
Ultrafast超快
恢复
整流器。
2021-04-01 09:16:08
1529
Trench肖特基
整流器能够实现超快的
开关速度,既能减少
整流器的
开关损耗,又减少了同一换向单元中MOSFET产生的
损耗(此种配置通常用于异步
开关模式功率转换器)。
2021-05-10 09:16:30
1033
15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率。
2021-11-03 14:16:30
1051
日 — 日前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型
FRED
Pt®
第五代600
2022-10-11 13:51:48
521
日 — 日前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出四款新系列200 V
FRED
Pt® 超快
恢复
整流器---1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-26 15:19:16
373
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 编辑 新
五代的密码哦
2015-09-12 12:17:58
和计算
开关损耗,并讨论功率MOSFET
导通过程和自然零电压关断过程的实际过程,以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET
开关损耗1,通过过程中的MOSFET
开关损耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
、遥测和无人值守。
开关
整流器是电源系统中最重要的部分,它的技术是否先进,关系着
开关电源系统的功能和可靠性。因此,一些自主开发的厂商很注重
开关
整流器技术性能的改进,其目的是使
开关
整流器的可靠性和效率得到很大提高,使其成本和高频电磁干扰
降低。`
2014-08-07 10:45:24
的过渡过程分段转化成矩形和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个
损耗。 分析输出
整流器的
开关损耗则要复杂得多。
整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。 开通期间,过渡过程是由
整流管的正向
恢复特性
2020-08-27 08:07:20
的过渡过程分段转化成矩形和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个
损耗。 分析输出
整流器的
开关损耗则要复杂得多。
整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。 开通期间,过渡过程是由
整流管的正向
2023-03-16 16:37:04
一、
开关损耗包括开通
损耗和关断
损耗两种。开通
损耗是指功率管从截止到
导通时所产生的功率
损耗;关断
损耗是指功率管从
导通到截止时所产生的功率
损耗。二、
开关损耗原理分析:(1)、非理想的
开关管在开通时,
开关
2021-10-29 07:10:32
(快速
恢复二极管)相结合的IGBT功率模块应用广泛。IGBT模块存在IGBT的尾电流和FRD的
恢复电流导致
开关损耗大的课题,而SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”模块则可显著
降低
开关损耗
2018-12-04 10:14:32
1概述嵌入式系统要在5G时代中蓬勃发展,就需要针对5G特点,进行有针对性的应用于创新。1.15G的特点
第五代移动通信技术的特点主要在:(1)高速率,5G网络的下载速度高达10 Gbit/s,,比4G
2021-12-22 08:05:19
和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个
损耗。分析输出
整流器的
开关损耗则要复杂得多。
整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。开通期间,过渡过程是由
整流管的正向
恢复特性决定的。正向
恢复
2019-09-23 08:00:00
,实施成本低且性能可靠。然而,二极管桥式
整流器的
导通
损耗是不可避免的,且这将不支持车辆向AC电网提供电能的双向运行。采用多通道交错式传统升压转换
器,对升压电路进行多次迭代,可改善某些系统性能参数,但并不能
2022-05-30 10:01:52
如图片所示,为什么MOS管的
开关损耗(开通和关断过程中)的
损耗是这样算的,那个72pF应该是MOS的输入电容,2.5A是
开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
-请问各位专家,我是个电源新手,刚开始接触MOS管。现在又些问题,
开关损耗主要是
导通和关断这两个过程,其它
损耗可忽略吗?
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的
导通
损耗影响最大的就是Rds,而
开关损耗好像不仅仅和
开关的频率有关,与MOS管的结电容,输入电容,输出电容都有关系吧?具体的关系是什么?有没有具体计算
开关损耗的公式?
2017-05-31 10:04:51
`Nexperia 200V超快
恢复
整流器拥有高功率密度,同时最大限度地减少了反向
恢复时间和
损耗。这些器件是大功率密度、超快
恢复
整流器,采用高效平面技术,采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
时间trr快(可高速
开关)・trr特性没有温度依赖性・低VF(第二
代SBD)下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。
大幅
降低
开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,
大幅改善了反向
恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
滤波电感。有了电容滤波
器,LLC转换
器还可以使用额定电压较低的
整流器,从而
降低系统成本。此外,次级侧
整流器可实现零电流转换,大大减少了反向
恢复
损耗。利用LLC拓扑结构的各项优势,可进一步提高效率,
降低输出
整流器的
损耗。
2019-08-07 08:10:47
管的吸收电容在
开关状态下引起的尖峰电流反射到原边回路上,引起的
开关损耗。另外还有吸收电路上的电阻充放电引起的
损耗。当然还有
整流管上的
开关损耗、
导通
损耗和反向
恢复
损耗,这应该在允许的情况下尽量选择
导通压
降低
2019-10-09 08:00:00
上,引起的
开关损耗。另外还有吸收电路上的电阻充放电引起的
损耗。改善方法:在其他指标允许的前提下尽量
降低吸收电容的容值,
降低吸收电阻的阻值。当然还有
整流管上的
开关损耗、
导通
损耗和反向
恢复
损耗,这应该在允许的情况下尽量选择
导通压
降低和反向
恢复时间短的二极管。10、输出反馈电路的
损耗
2021-04-09 14:18:40
和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个
损耗。分析输出
整流器的
开关损耗则要复杂得多。
整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。开通期间,过渡过程是由
整流管的正向
恢复特性决定的。正向
恢复
2019-09-02 08:00:00
(典型值)的低
开关损耗(关断
损耗),与东芝当前产品GT50JR22相比
降低了大约42% 。此外,
新款IGBT还包含一个内置的二极管,其正向电压为1.2V(典型值) ,比GT50JR22
降低了大约43
2023-03-09 16:39:58
是基于技术规格书中的规格值的比较,Eon为
开关
导通
损耗,Eoff为
开关关断
损耗、Err为
恢复
损耗。全SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT,至于Err,由于几乎没有Irr而极其微小。结论是
开关损耗
2018-11-27 16:37:30
:RGWxx65C系列的亮点>使用SiC SBD作为续流二极管的Hybrid IGBT650V耐压,IC(100℃) 30A/40A/50A有3种可选通过使用SiC SBD,显著
降低了
导通时的
开关损耗用于xEV车载
2022-07-27 10:27:04
,使用下面公式计算:
五、
开关损耗分析插件高端示波器通常亦集成了
开关损耗分析插件,由于
导通状态电压测量不准确,所以
导通状态的计算公式是可以修改的,主要有三种:●UI,U和I均为测量值●I2R,I为测量
2021-11-18 07:00:00
开关条件得以改善,
降低硬
开关的
开关损耗和
开关噪声,从而 提高了电路的效率。 图1 理想状态下软
开关和硬
开关波形比较图软
开关包括软开通和软关断两个过程: 理想的软开通过程是:
开关器件两端的电压先下
2019-08-27 07:00:00
的影响更明显。(3)
降低米勒电压,也就是
降低阈值开启电压同时提高跨
导,也可以提高
开关速度,
降低
开关损耗。但过低的阈值电压会使MOSFET容易受到干扰误导通,而跨
导和工艺有关。
2017-03-06 15:19:01
完全开通,只有
导通电阻产生的
导通
损耗,没有
开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段,电流和电压产生重叠交越区,因此产生
开关损耗。同时,t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区,因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
的优势。
大幅
降低
开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,
大幅改善了反向
恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD(快速
恢复二极管)的trr比较。
恢复的时间trr很短,二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
如何更加深入理解MOSFET
开关损耗?Coss产生
开关损耗与对
开关过程有什么影响?
2021-04-07 06:01:07
求一个
五电平
整流器
2021-10-04 09:42:29
就要
降低。芯片选型的时候,选择芯片工作在轻载和空载情况下会跳频(即
降低空载和轻载的工作频率),MOS管要选用低栅荷的,从而
降低损耗。
整流管D1
损耗包括
开关损耗,反向
恢复
损耗,
导通
损耗。
整流管选型
2023-03-20 16:59:01
求一种使可控硅
整流器
导通的方法。既然可控硅
整流器的特点:是“一触即发”。那么,又用什么方法才能使
导通的晶闸管关断呢?
2021-04-09 06:27:26
和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个
损耗。 分析输出
整流器的
开关损耗则要复杂得多。
整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。 开通期间,过渡过程是由
整流管的正向
恢复特性决定的。正向
恢复
2020-08-07 08:06:08
矩形和三角形面积,利用式(3)可以计算出这个
损耗。分析输出
整流器的
开关损耗则要复杂得多。
整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。开通期间,过渡过程是由
整流管的正向
恢复特性决定的。正向
恢复
2020-08-04 08:00:00
电镀
整流器可分为可控硅电源(俗称硅
整流)和高频
开关
整流器(亦称
开关电源)两种。
2019-09-18 09:10:26
欢迎回到直流/直流转换
器数据表系列。鉴于在上一篇文章中我介绍了系统效率方面的内容,在本文中,我将讨论直流/直流稳压
器部件的
开关损耗,从第1部分中的图3(此处为图1)开始:VDS和ID曲线随时间变化
2018-08-30 15:47:38
的阻值。当然还有
整流管上的
开关损耗、
导通
损耗和反向
恢复
损耗,这应该在允许的情况下尽量选择
导通压
降低和反向
恢复时间短的二极管。输出反馈电路的
损耗
2021-05-18 06:00:00
稳压
器进入非连续
导通模式。在此模式下,该设备仍保持
开关频率。在每一个周期,功率仍在集成电路(IC)内部消散。因此,即使
导通
损耗在轻负载时并非一个因素,但由于一直存在
开关损耗,设备的效率会受到影响。并且
2018-06-05 09:39:43
请您介绍一下驱动
器源极引脚是如何
降低
开关损耗的。首先,能否请您对使用了驱动
器源极引脚的电路及其工作进行说明?Figure 4是具有驱动
器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路
2020-07-01 13:52:06
汇佳
第五代25-29寸彩色电视机电路图,汇佳
第五代25-29寸彩电图纸,汇佳
第五代25-29寸原理图。
2009-05-25 11:46:05
234
iPod nano(
第五代)功能指南手册
2009-12-10 15:37:08
110
IGBT/FWD功率
损耗模拟系统 (英文,含
第五代U系列IGBT)
2010-07-20 09:10:20
113
Vishay
推出新款高速PIN光敏二极管 日前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管,新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28
745
Vishay
推出PowerBridge封装单列直插桥式
整流器
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)今天宣布,
推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM
整流器。
整流器的额定电
2009-12-29 09:24:04
817
Vishay
推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM
整流器
VishayIntertechnology日前宣布,
推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM
整流器。
整流器的额定电流高达30~45A,最大峰
2010-01-06 10:45:07
742
Vishay
推出新款薄膜贴片电阻 日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,
推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54
676
Vishay
推出6款用于消费电子应用的
FRED
Pt超快
恢复
整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降,在硬
开关条件下的快速
恢复时间只有16ns,在125℃下的典型泄漏电流低
2010-05-31 14:57:48
1425
Vishay宣布对其使用Trench MOS势垒肖特基技术的TMBS®
整流器产品组合进行
大幅扩充。
Vishay今天共发布采用4种封装类型、电流等级从10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:17
1029
8S2TH06I-M是
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)
推出的600V
FREDPtTM
Hyperfast串级
整流器。
2011-04-01 09:36:43
783
VishayIntertechnology, Inc.
推出采用GSIB-5S封装的
新款单相直排桥式
整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:35
1400
VishayIntertechnology宣布,发布34款采用6种功率封装的新型600 V
FRED
Pt®
Hyperfast和
Ultrafast
整流器
2011-07-01 09:07:12
1028
日前,
VishayIntertechnology, Inc.宣布,
推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A~15A的200V和600V的
FRED
Pt
Hyperfast和
Ultrafast
整流器
2011-09-09 09:13:33
3410
FRED
Pt®超快
恢复
整流器。这些
整流器具有超快和软
恢复特性、低泄漏电流和低正向压降,通过AEC-Q101认证,在汽车和电信应用里可减少
开关损耗和功耗。
2014-04-28 14:29:29
1068
日前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出4个采用的小尺寸、低外形SMF (DO-219AB) eSMP®系列封装的新型1A
FRED
Pt®超快
恢复
整流器。
2014-08-18 16:36:27
1718
2015 年 1 月8 日 — 日前,
VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,
推出六款采用小尺寸、超薄、表面贴装SMF(DO-219AB) eSMP® 封装的
新款
整流器。
2015-01-09 11:48:17
817
,电压100V至600V的
新款标准
整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。
2015-02-11 11:59:29
1083
这些
VishaySemiconductors
整流器具有极快和软
恢复热性、低漏电流和低正向压降,在汽车、照明和通信应用里可减少
开关损耗和过热情况,同时为TO-263(D2PAK)封装提供了低高度的替代产品。
2015-04-29 17:09:57
526
FRED
Pt® Gen 4
Ultrafast快
恢复二极管,这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:53
1010
第五代增强型STC自动烧录器资料包。
2016-03-22 14:31:04
8
这些200V器件有汽车级和商用/工业版本,高度小于1mm,可实现最高8A的单阴极结构 日前,
VishayIntertechnology, Inc.宣布,
推出新的200V
FRED
Pt
2018-04-06 11:15:00
4106
来源:新华网 9月15日,
第五代途胜全球首发亮相,全球网友通过云直播、借助CG(特效动画)、AR(增强现实)等新技术全方位地了解这款全新车型。 目前,途胜系列车型全球累计销量超过700万辆,在中国
2020-09-17 16:02:38
1640
年全新
推出的
第五代、车载显示系列新品已经跟大家见过面了,并在上一篇推文中,触想小编已经详细解析过
五代新品的由来。 今天,小编就继续跟大家聊一聊,关于
第五代新品,你们关心的一个核心问题:
第五代新品有哪些最为显著的优势? 与前几代产
2020-11-24 15:51:45
1494
多方消息指出,苹果最快3月发布
第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:24
3196
新型 30 V n 沟道 TrenchFET
第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
VishaySiliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:57
2155
一、
开关损耗包括开通
损耗和关断
损耗两种。开通
损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率
损耗;关断
损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率
损耗。二、
开关损耗原理分析:(1)、非理想的
开关管在开通时,
开关
2021-10-22 10:51:06
11
推出10 款符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车应用的新型
FRED
Pt600 V
第五代
Hyperfast和
Ultrafast
整流器。
VishaySemiconductors
2021-11-05 15:35:36
1798
wifi技术标准第四代是第四代移动通信技术的意思,
第五代就是
第五代移动通信技术,那么这两代之间有什么区别呢?
2022-01-01 16:43:00
32519
Vishay
推出四款新型 TO-244 封装第 5 代
FRED
Pt600V
Ultrafast
整流器。
VishaySemiconductors
整流器
新款240A、300A、480A 和 600A 具有出色导通和
开关损耗特性,能有效提高中频功率转换器以及软硬
开关或谐振电路的效率。
2022-08-25 17:33:11
945
Vishay
推出15 款采用 SOT-227 小型封装的新型
FRED
Pt
第五代600V 和 1200V
Hyperfast和
Ultrafast
恢复
整流器。
2022-09-16 10:52:20
737
Vishay
推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型
FRED
Pt
第五代600V
Hyperfast
恢复
整流器。
2022-10-14 16:11:24
1101
Vishay
FRED
Pt
Hyperfast
恢复
整流器1 A
整流器适用于工业和汽车应用 Q rr 低至 150 nC VF 为 1.10 V 同时
降低寄生电容并提高 E rec
2023-01-19 17:20:05
735
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大
降低
开关损耗、2)
开关频率越高总体
损耗
降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22
676
上一篇文章中探讨了同步
整流降压转换器的功率
开关--输出端MOSFET的传导
损耗。本文将探讨
开关节点产生的
开关损耗。
开关损耗:见文识意,
开关损耗就是
开关工作相关的
损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49
624
Vishay
推出四款新系列200 V
FRED
Pt超快
恢复
整流器,这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00
525
德赢Vwin官网 网站提供《同步
整流器可
降低LLC谐振电源的传导
损耗.pdf》资料免费下载
2023-07-26 10:40:30
0
使用SiC MOSFET时如何尽量
降低电磁干扰和
开关损耗
2023-11-23 09:08:34
333
超快
恢复
整流二极管(
UltrafastRecovery Diode)是一种具有更快
恢复时间的特殊二极管。它的作用在于
降低
开关电源、电流
整流以及频率较高的电路中的功耗和
损耗。
2024-02-01 18:25:39
915
据悉,
第五代超级电池既继承前四代智能电池的优势,又在重要技术升级中取得突破,包括能量密度和放电倍率等指标。相较于第四代智能电池,
第五代超级电池能量密度显著提升 20%。
2024-02-22 14:14:25
220
Vishay
推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET
第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08
356
全球知名半导体解决方案供应商
Vishay日前宣布
推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®
第五代功率MOSFET——
VishaySiliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
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