碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:34
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对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。
2023-08-05 10:31:47431 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-03 11:21:03198 
金刚石异质外延已发展 30 年有余,而基于 Ir 衬底的大面积、高质量的异质外延单晶金刚石已取得较大进展。本文主要从关于异质外延单晶金刚石及其电子器件两个方面对异质外延单晶金刚石的发展进行了阐述。
2023-07-12 15:22:23333 
随着功率MOSFET和IGBT的出现，双极型晶体管的发展受到一定影响。但在更高电压、更大电流的应用中，随着外延层（或单晶）厚度、电阻率的的增加，MOSFET、IGBT导通压降随之大幅上升。
2023-07-05 11:15:17230 
和高质量的晶体管，它们都需要用到外延晶片。在本文中，我们将介绍这种在晶圆之上由超纯硅构成的超高纯层(也被称为“外延层)的形成过程、用途和特征。
2023-06-26 10:05:29288 
请专业人士帮帮忙，硅单晶严研磨怎样才能控制其TTV
2010-05-16 13:46:19
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43:44346 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:091767 
碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。
2023-05-18 09:54:341314 
氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:328369 外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲，外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造，如集成电路工业的外延硅片。MOS 晶体管
2023-02-13 14:35:477811 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:352246 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:003491 碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于衬底制造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。
2023-02-03 16:30:133482 目前来说，金刚石在半导体中既可以充当衬底，也可以充当外延（在切、磨、抛等加工后的单晶衬底上生长一层新单晶的过程），单晶和多晶也均有不同用途。
在CVD生长技术、马赛克拼接技术、同质外延生长技术
2023-02-02 16:58:14590 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
2023-01-11 11:05:55960 源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。
2022-11-29 16:05:151195 本文通过导模法制备了4英寸β-Ga2O3单晶，晶体外形完整，通过劳厄衍射、高分辨X射线摇摆曲线 分析确认晶体结晶质量较高。采用湿法刻蚀的方法，研究了晶体腐蚀特性及位错密度。通过C-V测试，确 认了晶体电子浓度。
2022-11-24 15:39:581200 、LCD屏的色斑辉点，检测这些缺陷最经典的方法是通过拍摄的表面图像进行分析。这种通过平面图像信息进行缺陷判定是传统表面质量视觉检测技术的方法。但是，仅仅局限于二维信息进行质量分析，并不能完全满足产品、工艺的检测要求。在工业品表面质量检测中，存在一些对3D信息要求的典型应用场景：
2022-11-23 10:02:17974 固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33:527908 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延应用对碳化硅晶片表面质量的要求
2022-10-11 16:01:043047 通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
2022-09-30 15:00:384440 ，单晶圆的多晶硅沉积反应室与单晶圆外延硅沉积反应室类似。下图所示是一个整合了多晶硅和钙硅化物的沉积系统，或称为多晶硅化物系统。
2022-09-30 11:53:00999 控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44:444170 在光电子激光、LED领域砷化镓也占据很大的分量。作为成熟的第二代化合物半导体，砷化镓功率芯片以及光电子芯片均是在砷化镓基板上通过外延生长的手段长出不同的材料膜层结构。
2022-04-07 15:32:575981 
匹配使得块状氮化铝单晶可能适合氮化镓外延生长。此外，高热导率(340W/m·K)和高电阻率使AlN成为大功率器件的理想选择。。AlN具有极性纤锌矿结构，由紧密间隔的六边形层组成，在沿c轴堆叠
2022-02-21 14:00:051653 
摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381516 
/热膨胀匹配使得块状氮化铝单晶可能适合氮化镓外延生长。此外，高热导率(340W/m·K)和高电阻率使AlN成为大功率器件的理想选择。。AlN具有极性纤锌矿结构，由紧密间隔的六边形层组成，在沿c轴堆叠在一起的阳离子(Al3+)和阴离子(N3-)层之间交替。因此，基面可
2022-01-18 15:05:50642 
冠层图像分析仪可以检测什么【霍尔德HED-G20】作物冠层分析是植物生理研究工作中的重要工作，需要利用冠层图像分析仪测定植物冠层中光线的拦截等，对于作物的生长发育、产量品质与光能利用间的关系有重要
2021-09-23 10:09:40209 最近做芯片和外延的研究，发现同样的外延工艺和芯片工艺做出来的芯片性能差别很大，大到改变试验设计的“世界观”。基板衬底的质量好坏很关键。
2021-08-12 10:55:584130 
冠层图像分析仪可以检测什么【霍尔德HED-G20】作物冠层分析是植物生理研究工作中的重要工作，需要利用冠层图像分析仪测定植物冠层中光线的拦截等，对于作物的生长发育、产量品质与光能利用间的关系有重要
2021-07-08 16:40:581315 研集团与电科集团间的业务合作伙伴关系。 硅单晶产品被用于泛林、东京电子设备及台积电产线 有研半导体成立于2001年6月，目前主要从事硅材料的研究、开发、生产与经营，产品包括集成电路用5-12英寸硅单晶及硅片、功率集
2021-06-26 07:37:003032 看到一些新闻，表示某国高科技企业开发了一种新型衬底材料，与GaN晶格匹配，可以良好生长GaN。(备注：GaN体单晶制备难度非常大，因此此处所提的GaN是外延层，此处暴露了外延层存在的意义之一)。那
2021-01-11 11:18:0822712 12月30日消息 根据中欣晶圆官方的消息，中欣晶圆12英寸第一枚外延片正式下线，成为国内首家独立完成12英寸单晶、抛光到外延研发、生产的企业。
2020-12-31 10:57:313634 碳化硅材料半导体，虽然随着技术的发展，目前碳化硅成本下降很多，但是据市场价格表现同类型的硅材料与碳化硅材料的半导体器件价格相差十倍有余。碳化硅单晶体可以制作晶体管（二极管和三极管）。因为碳化硅的禁
2020-07-10 11:20:061888 近日，杭州立昂微电子股份有限公司再传佳报，浙江省第一根拥有完全自主知识产权的量产型集成电路用12英寸硅单晶棒在衢州拉制成功。
2019-07-09 10:32:433765 近日，杭州立昂微电子股份有限公司再传佳报，浙江省第一根拥有完全自主知识产权的量产型集成电路用12英寸硅单晶棒在衢州拉制成功。7月2日上午，在立昂微子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司宽阔明亮的现代化
2019-07-06 10:53:5915605 近日，杭州立昂微电子股份有限公司再传佳报，浙江省第一根拥有完全自主知识产权的量产型集成电路用12英寸硅单晶棒在衢州拉制成功。
2019-07-05 17:10:543707 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
2019-06-24 14:46:3117948 
硅（Si）材料是信息技术、电子技术和光伏技术最重要的基础材料。
从某种意义上讲， 硅是影响国家未来在高新技术和能源领域实力的战略资源。
作为一种功能材料， 其性能应该是各向异性的， 因此半导体硅大都应该制备成硅单晶， 并加工成抛光片， 方可制造IC器件， 超过98%的电子元件都是使用硅单晶
2018-11-19 08:00:00
8 晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶
2018-11-19 08:00:0024 （epitaxy）是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。 外延可以生产种类更多的材料，使得器件设计有了更多选择。
2018-08-28 14:44:5915695 
沈浩平在交流中对于呼市市委、市政府长期以来给予的帮助支持表示感谢。他说，中环领先半导体硅单晶产业化项目是中环股份围绕国家战略，解决国家半导体硅材料核心技术缺失的又一次创新，对提升我国半导体产业供应链的整体水平具有重要的战略意义。企业将进一步加快进度，力争早日为地区经济社会发展贡献力量。
2018-07-31 10:12:00619 团队将工业多晶铜箔转化成了单晶铜箔，得到了世界上目前最大尺寸的单晶Cu（111）箔，利用外延生长技术和超快生长技术成功在20分钟内制备出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延单晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:333452 导致哪些方面的问题，最后，我们要研究如何消除这些因素，从而最大程度上使电能接近正弦波。本文为您介绍电能质量的检测与分析仪器设计汇总。 可用于检测单相或三相交流供电系统的电能质量检测分析平台 本文设计的检测平台先
2017-11-15 11:19:407 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片； 外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极
2017-10-19 09:42:3811 在单晶硅生产过程中,硅片的直径大小和晶体生长过程的自动化程度,对生产效率和产品质量有很大的影响。硅单晶生长技术的发展要求设备智能化具备稳定性好、质量可靠、操作使用方便等。最大限度免除认为因素对生
2017-09-30 11:04:4519 在单晶硅生产过程中，硅片的直径大小和晶体生长过程的自动化程度，对生产效率和产品质量有很大的影响。硅单晶生长技术的发展要求设备智能化具备稳定性好、质量可靠、操作使用方便等。最大限度免除认为因素对生
2017-09-30 10:45:022 积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。 绝缘体上的单晶硅（SOI）材料的制造方法 本发明
2017-09-28 16:35:3018 单晶炉配电系统电能质量分析与解决方案_王海涛
2017-01-08 10:24:071 中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品：国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅单晶。
2011-12-26 09:45:27477 外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张 外延片 随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。 半导体制造
2011-09-22 16:38:321133 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:3429 LED 外延片--衬底材料衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技
2010-12-21 16:39:2944 《太阳能电池用硅单晶》国家标准 开化起草全国获奖
笔者昨日从开化县质量技术监督局了解到，全国半导体设备材料标准化
2010-02-05 09:05:13652 介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进，以VC.net 为语言工具编制软件，对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能，完善了
2009-12-23 14:33:5625 公司立足自主创新，攻克了12 英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面金属和颗粒的去除等关键技术难题，形成了从单晶生长到晶
2009-12-21 10:26:4722 QGM600-8XB 单晶硅棒切方滚磨机床是在硅单晶棒数控滚磨机上开发而成，单晶棒数控滚磨机床是我公司独立开发研制的。该产品全部替代了日本滚磨机床，国内很多企业需单晶硅棒
2009-12-20 09:25:3742 6 英寸重掺砷硅单晶及抛光片有研半导体材料股份有限公司1 半导体硅材料在国民经济中的意义在全球信息化和经济全球化的进程中，以通信业、计算机业、网络业、家电业
2009-12-14 11:26:1020 LED外延片代工厂走势分析
延续2009年第2季半导体产业景气自谷底弹升，包括台积电、联电、特许半导体(Chartered)及中芯等前4大外延片代工厂，2009年第3季合计营收达43。3
2009-11-27 11:02:14674 介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进，以VC.net 为语言工具编制软件，对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能，完善了
2009-05-26 10:23:3619 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积
硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 衬底上沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型
2009-03-09 13:23:416010 集成电路工艺专题实验 Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
实验一 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积………………………………………………………3实验二 硅单晶外延层的质
2009-03-06 14:06:565
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