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Ⅰ、写在前面
本文主要讲述的内容:基于Keil开发工具下,STM32内部RAM在线调试配置方法,以及每一项配置的详细说明。如需要了解更多相关的文章,可以到我博客,或微信公众号查看。
让程序运行在RAM中调试代码有两优点:1.速度快;2.减少对芯片FLASH读写次数,增加芯片寿命。
本文牵涉的知识比较多,如果弄明白所有细节问题,对自己这方面的技能是一种很大的提升。
本文基于ST公司Cortex-M内核的STM32来讲述其配置方法,其实也适用于其他公司(如:TI、NXP等)的Cortex-M芯片,原理都是一样的。
本文PDF文章可以在我360云盘下载:
https://yunpan.cn/ckvUU7t8vuWbn 访问密码 42b3
关于本文的更多详情请往下看。
Ⅱ、本文要点
1.主要内容
由于本文牵涉的内容比较多,我会按章节来讲述各项内容,大体分为:
l 实现STM32内部RAM调试的配置方法
l 每条配置的详细说明
l 网上配置方法说明及存在的不足
2.工程代码下载
为了方便大家学习,我将配置前(一般常用)工程和配置后工程分别打包上传至360云盘供大家下载参考学习。配置前和配置后工程实现的功能都是一样的。
配置前工程代码STM32F10x_Demo:
https://yunpan.cn/ckvVFJi5e9r26 访问密码 8ffb
配置后工程代码STM32F10x_Demo(RAM调试):
https://yunpan.cn/ckvVYAMWBqNjX 访问密码 418b
3.代码功能描述
上面提供下载的代码实现的功能是一样的,具体如下两点:
l 间隔500ms LED亮灭变化一次,串口打印数据“Demo..”一次。
l 串口中断接收数据,会将收到数据通过串口发送出去。
第一点是为了有一个状态显示,知道程序在运行。
第二点在本文中的作用也很大,就是使用了中断功能。由于RAM调试会牵涉到向量表,中断功能就会使用到向量表,如果没有配置正确,这里就不会响应中断,或者出错。
4.验证配置成功方法
本文提供的“STM32F10x_Demo”是断电后重新上电会继续运行代码;而“STM32F10x_Demo(RAM调试)”是断点之后程序丢掉了,也就是不能运行了【请更加LED及串口打印现象来判断】。
注意:使用RAM调试之前请将FLASH里面的数据擦除掉,否则使用RAM调试断电再上电,程序会从FLASH运行,会认为程序依然在运行,从而影响判断。
Ⅲ、RAM调试配置方法
本节主要讲述配置方法的过程,为什么这么配置,以及配置的原理将会在下一章节讲述。
1.修改内存地址
打开目标配置:Project -> Options for Target -> Target 或“工程目标配置”点击快捷按钮。
将ROM和RAM地址映射到如下图地址。 我们使用STM32F103ZE芯片,该芯片的RAM大小为0x10000 即64KB,我们这里平分RAM,即各自的大小为0x5000。
注意:配置的地址范围不能超过芯片实际的大小。
2.配置向量表
同上,打开目标配置:Project -> Options for Target -> C/C++,使用宏定义VECT_TAB_SRAM。如下图:
这里的宏定义是为了让向量表指向RAM(我们默认是指向ROM),重要的一个目的就是让中断向量表指向RAM,上面“代码功能”中断的意义就是为了验证向量表的正确性。
注意:这里的宏定义是在工具链中配置的,多个宏定义之间需要有“逗号”隔离开来。
其实这里的宏定义配置也可以在源代码中实现,打开system_stm32f10x.c文件下第127行的“VECT_TAB_SRAM”宏定义,如下图:
【个人建议:调试和非调试代码最好一致,也就是源代码不变】
3.调试配置
同上:Project -> Options for Target -> Debug, 这里是关于调试的配置。
第一步:去掉“Load Application at Startup”前面的勾选项
第二步:导入RAM初始化文件。
RAM初始化文件里面内容如下:
FUNC void Setup (void) {
SP = _RDWORD(0x20000000);
PC = _RDWORD(0x20000004);
_WDWORD(0xE000ED08, 0x20000000);
}
LOADObjects\ExecutableFile.axfINCREMENTAL
Setup();
g, main
每一条语句具体意思请见源代码注释,这里提示的是Objects\ExecutableFile.axf
也就是输出路径和输出文件名,它的路径与文件名与你工程配置需对应。
4.调试不更新目标程序
同上:Project -> Options for Target -> Utilities,不勾选“更新”。意思就是在线调试时,不更新芯片(下载FLASH)程序。
至此,STM32内部RAM在线调试配置方法就完成了,连接开发板就可以使用RAM在线调试代码了。
网上相关的问题还有其他无关的配置,我会在下面单独说明一下为什么不用配置那些。
Ⅳ、配置说明
上面配置过程已经知道了,这一节讲述一下为什么这样配置,以及这么配置的意思。
1.修改内存地址说明
内存地址为什么ROM设置为0x20000000,RAM设置为0x20005000。原因在于芯片的RAM其实地址就是0x20000000(没有猜错的话Cortex-M那芯片RAM起止地址都是0x20000000)。
至于大小嘛,就是看芯片型号了,我们这里平分大小,也可以不用平分大小。
这里分配的地址会直接影响输出的文件“ExecutableFile.sct”,也就是我们链接的时候需要使用到的“ExecutableFile.sct”文件。
查看“ExecutableFile.sct”文件的方法:Project -> Options for Target -> Linker,如下图。【需要编译之后才能输出“ExecutableFile.sct”文件,即编译后才能查看】
对比没有配置RAM调试(也就是没有修改地址)的工程如下图:
网上配置教程说要修改Linker下的地址,其实是多余的,详情请见下一章节。
2.配置向量表说明
爱思考(或者会寻到问题)的朋友可能会发现,我不宏定义VECT_TAB_SRAM这个参数,程序照常可以运行(LED变化、串口打印数据)。
其实这里的配置主要是针对“向量表”,比如中断向量表。如果当我们不宏定义VECT_TAB_SRAM这个参数,测试串口中断的时候,程序就会跑死,(暂停)程序会指向一个非法的地址,如下图:
3.调试配置说明
这个地方的配置很好理解,就是我们要将程序指针指向我们特定的地址(RAM)区域,这样好让程序执行我们指定地址里面的程序。
我们加载文件“CpuRAM.ini”,因此不需要勾选“Load Application at Startup”这个选项。
加载文件的名称“CpuRAM.ini”和网上一些教程命名一样,可以自己命名,只要后缀名一样就行。
4.调试不更新目标程序说明
这个地方其实就是在调试的时候更新(下载)芯片FLASH的代码,由于我们没有修改FLASH的烧写算法,这里就不勾选次选项。
当我们修改了FLASH的烧写算法(程序指向RAM),这里可以勾选上。
相比两者,我们选择不勾选该选项简单一点,因此这里选择不勾选。
Ⅴ、网上配置说明
笔者开始学习RAM调试的内容时,也是参考网上很多的教程,但是经过笔者亲自,并且多次测试发现网上的有些教程存在不足之处。本节主要是提出网上某些教程存在的不足或者多余之处。【若有不对之处敬请谅解】
1.修改Linker地址
Project -> Options for Target -> Linker
网上的配置,这里的地址基本上都是修改了的。
1.去掉勾选; 2.再次修改地址。
我刚开始学习配置时也是修改了的,但后面我再次配置时发现一个问题:地址前面为勾选。什么意思呢,就是没有使用这个配置的地址。
于是我就不配置(不修改)这里的地址进行验证,结果还是可以在RAM中调试,大量测试也没发现什么问题。
我再次查看Scatter File文件ExecutableFile.sct,发现不修改地址也是一样的。其实“ExecutableFile.sct”文件的地址是我上一章节里面说的,由Target里面的地址决定的。
因此,网上所配置的这里其实是多余的配置。
2.配置向量表
有很多教程使用了在main函数开始配置向量表,也就是在main函数开始出增加一条语句:NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_RAM, 0x0);
这条语句其实是system_stm32f10x.c文件里面第265行的:SCB -> VTOR = SRAM_BASE | VECT_TAB_OFFSET;一样的意思。
因此,我个人觉得,项目中的调试代码和真正运行的源代码不能有差异。定义了VECT_TAB_SRAM这个宏定义,就没必要还在main函数里面增加一条语句。
细心的朋友可能会发现,我在“Ⅲ、RAM调试配置方法”这一章节中没有修改源代码,只是修改了配置。这样就保证了代码的一致性。
3.修改编程地址
网上有很多教程是修改了下图中编程的地址,也就是修改了编程算法。
作为调试,本来就是运行在RAM中,再在这里配置,我觉得是多次一举。因此我们上面讲述的是没有勾选:Update Target Before Debugging.
Ⅵ、说明
STM32内部RAM调试代码时,复位不起作用,需要复位请重新链接运行。关于RAM在线调试配置还有许多未讲述完,请亲自配置并测试验证,你或许会明白更多有用知识。
以上总结仅供参考,若有不对之处,敬请谅解。
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