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影响VoLTE MOS的主要因素，如何优化？资料下载
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2021-04-25
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▋影响VoLTE MOS的主要因素
VoLTE MOS的优化和基础的无线优化息息相关，主要从以下几个方面进行分析：容量、上行干扰、弱覆盖、切换、RRC重建、故障告警以及UE问题等。
▋VoLTE MOS优化手段
1、容量优化
高负荷场景下由于资源受限会导致VOLTE语音包无法及时调度，增大时延和抖动，严重时还会引起弃包，从而影响MOS值。
大话务导致高丢包最直接有效的优化方法就是负载均衡、业务分担，对于单层网或者周边站点较少的情形，可以根据覆盖场景建立多层网覆盖，提升用户VOLTE语音通话质量以及数据业务感知。负荷分担参数如下：
2、上行干扰
在LTE系统中，由于UE上行功率有限，上行信道容易成为瓶颈。在移动TDD系统中，由于无法应用TTI bundling等技术，上行更容易成为受限因素。
针对干扰小区先进行干扰排查、定位干扰原因，最终清除干扰。从参数层面通过Power Control削减干扰对指标的影响，从 Differential Uplink Power Control、PRACH Power Control、PUSCH Power Control、PUCCH Power Control等方面考虑并修改参数。
开启基于上行质量的ESRVCC切换功能，该功能增加了UL SINR作为第三连接质量检测依据(传统的是DL RSRP和RSRQ),上行SINR比较差时触发门限，切换到更好的其他系统小区。UE在LTE原小区做VoLTE业务, 并向小区边缘移动，进入UL search zone后，当eNB检测当前SINR值低于a1a2UlSearchThreshold门限时，会向UE下发B2测量配置，当UE测量到满足B2门限的GSM 小区后,则会向eNB上报B2事件，报告中会包含测量到的目标GSM小区的频点和BSIC信息，随后eNB会向UE下发B2事件中包含的GSM小区的切换命令, 完成一次成功的SRVCC 切换。修改参数如下：
3、弱覆盖整治
VoLTE语音质量和覆盖密切相关，MOS值与RSRP、SINR以及RSRQ之间呈正相关关系，通过大数据统计以及单小区验证结果相符，增长趋势一致。为了保持VOLTE通话质量优势，保证MOS >3.5，推荐的无线环境参数如下：
RSRP> -105dbm，MOS> 3.5
RSRQ> -13，MOS> 3.5
SINR> 6，MOS约3.5
4、切换优化
切换对VOLTE语音质量的影响，从大的分类来看：
LTE系统内切换
切换过程中，会造成语音包的时延和抖动增大，严重时还会造成丢包，所以会对MOS指标（无论是信令平台还是路测）造成影响。
针对频繁切换区域站点进行互操作参数调整，减少乒乓切换次数，优化MOS。
切换参数以及重选优先级策略：
切换方式策略：
SRVCC切换：
SRVCC切换后UE的MOS体验会下降，因此路测过程中一般都会尽量避免SRVCC；针对高ESRVCC点进行LTE覆盖分析，从故障处理、邻区漏配、室分泄露、天馈优化等方面对LTE弱覆盖问题进行优化。
5、RRC重建立
RRC 重建立的目的是恢复RRC信令连接，减少掉线，但重建过程会带来较长的业务面中断时间，对VOLTE语音质量造成严重影响。
重建的发生往往意味着其他潜在的问题：比如邻区漏配、RRC重配置错误、弱覆盖、重叠覆盖等。因此，重建的优化原则是尽量减少重建的发生，而不是简单提高重建的成功率。
重建问题一般用重建发生率和重建成功率来指示。
Reconfiguration failure：UE在安全模式激活的状态下，收到了重配置消息后如果对于重配置消息内的信元无法匹配或兼容，则发起原因值为“reconfiguration failure”的重建。
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