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布局浪涌抑制电路板的注意事项

描述

关于SiC功率元器件中栅极-源极间电压产生的浪涌,在之前发布的TechWeb基础知识SiC功率元器件应用篇的“SiCMOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”中已进行了详细说明,如果需要了解,请参阅这篇文章。

关于浪涌抑制电路的电路板布局注意事项

浪涌抑制电路的元器件布局和焊盘布局会直接影响浪涌抑制效果,因此为了获得理想的效果,在此介绍几点需要着重注意的问题。首先,请看浪涌抑制电路和电路板布局的示例。该电路图是此前用过的电路图的一部分。电路板上配置了HS和LS两个电路。

电路板

在这块电路板上,桥式结构的HSMOSFET配置在上方,LSMOSFET配置在下方,栅极引脚和驱动器源极引脚被配置在各MOSFET的下方。VGS浪涌电压抑制电路紧靠各栅极引脚配置,是以最短距离连接的。这种精心的布局旨在更大程度地降低寄生电容、电感和电阻。

接下来,请看浪涌抑制电路的焊盘图案布局。

电路板

如果具有多个浪涌抑制电路,那么应当优先确定米勒钳位用MOSFET(Q2)的安装位置。其次时配置负浪涌钳位SBD(D2)及其旁路电容(C2),并按正浪涌钳位SBD(D3)、旁路电容(C3)和误导通抑制电容(C1)的顺序决定配置位置。这样做的原因是由于布线电感的影响,会导致浪涌抑制效果大大降低,尤其是当米勒钳位MOSFET距离只有几厘米时。

另外,非常重要的一点是,要尽量缩短由浪涌抑制电路的回流线(从驱动器源极引脚返回的线)和浪涌抑制电路的布线所形成的环路。由于SiCMOSFET的高速开关,ID中的di/dt会引起较大的EMI,所以其布线环路应尽量避免受ID产生的EMI的影响。这次评估的电路板是4层结构,第2层全为回流线。因此,可以将回流线直接置于浪涌抑制电路正下方,从而可以更大程度地缩小环路面积。

如果来自驱动电源的阻抗足够小,那么就不需要与钳位SBD并设的旁路电容器,但是由于驱动电源通常距离较远,所以需要在SBD附近安装一个旁路电容器,以便SBD能够以低阻抗工作。此外,在选择电容器时,请充分考虑阻抗特性并选择在几十MHz频段上具有谐振点的电容器(0.1µF,1.0×0.5mm尺寸)。

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