NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
电子说
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描述
1.概述
NP50P06D6采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的RDS（ON）冲锋。它可以用于广泛的应用。
2.一般特征
VDS=-60 V，ID=-50A
RDS(ON)（典型值）=22 MΩ@VGS=-10V
RDS(ON)（典型值）=27 MΩ@VGS=-4.5V
超低RDS的高密度电池设计
完全特征的雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性高，EAS高
散热性好的优秀封装
3.应用程序
负荷开关
4.包装
pdfn5*6-8L-A
5.示意图
审核编辑 黄昊宇
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