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Robert Dobkin
已经开发出新的RS232接口芯片,与1488和1489等旧设备相比具有显着优势。与旧器件相比,新型 RS232 接口 IC 提高了速度、功率、电压电源要求和保护功能。此外,新芯片更易于使用,需要更少的外部元件,并且可以关闭到“零”电源电流条件,以用于电池供电系统。
新的RS232驱动器采用单片双极技术实现。设计了一个独特的输出级,可提供较大的输出摆幅,最大限度地降低电源电压要求,同时保留出色的过载保护功能。输出可以驱动到超过电源电压,而不会吸收过多的电流或迫使电流回电源。当然,还包括电流限制以防止短路情况。
对实现RS232接口的技术的初步考虑可能包括CMOS作为此类应用的可能技术。电源要求低,输出电压摆幅高,并且提供更高电压的CMOS技术,允许工作电压高达±15V。考虑与CMOS相关的一些问题会降低其对RS232驱动器的吸引力。
CMOS结构固有的是CMOS器件的漏极和源极与电源之间的二极管,如图1所示。RS232接口的一个要求是能够承受施加到输出引脚的电压。对于CMOS输出级,这是通过与输出串联的300Ω电阻来实现的。(电阻器类似于旧驱动器中包含的电阻器。它可以保护接口芯片,但仍允许损坏由相同电源供电的其他设备。
图1.CMOS线路驱动器显示电源的寄生二极管。
当由 5V 逻辑电源供电的驱动器的输出连接到 RS12 规范允许的外部 15V 或 232V 电源时,会出现问题。外部电流流过300Ω限幅电阻,流过CMOS结构中的二极管,进入电源。这会迫使电源电压降至 12V 和 15V,从而损坏连接到电源的 5V 逻辑。当外部RS232信号将电压馈入电源时,如果逻辑电源关闭,则此问题甚至会导致闩锁。这个问题在过去通常不存在,因为RS232接口由单独的±12V电源供电。
ESD损坏可能是接口芯片故障的最常见原因。双极器件相对坚固,但仍可能被ESD损坏,系统对ESD的要求可能高达20kV。没有外部保护,任何IC都无法承受如此大的电压。
RS232规范的要求是能够承受±25V输入信号。用作 RS1045 接收器的 CMOS LTC232 设计用于采用与输入串联的外部电阻器工作。这些电阻允许输入引脚上的电压摆幅非常大,并为IC提供ESD保护。使用片内电阻会妨碍使用最佳的ESD保护结构,因此CMOS器件可能对输入端的ESD破坏更敏感。
双极性驱动器的输出级如图2所示。相对的集电极NPN和PNP晶体管提供尽可能宽的输出摆幅。PNP 晶体管的摆幅将摆幅在正电源的 200mV 以内,而 NPN 晶体管及其相关的肖特基二极管将在负电源的约 900mV 范围内摆动。如果输出电压被迫高于正电源,则PNP晶体管的发射极基极结反向偏置,并且没有电流流入电源。该器件不受外部电压直至晶体管击穿电压的影响。如果输出被迫低于负电源,肖特基二极管反向偏置并阻止永恒电流流入芯片。电容器 C1 用于控制输出压摆率,因此无需频率补偿元件即可满足 RS232 规范 4V/μs 至 30V/μs。
图2.新型双极性驱动器输出级。
通常,这些驱动器的压摆率约为8-10V/μs。这使得它们可以成功使用到大约64k波特。双极性驱动器的输出压摆率由内部电容器很好地控制,并且相对不受负载电阻或电容的影响。双极性接收器相对简单,利用具有迟滞的液位检测器来设置跳变点。标称跳变点设定为约1.5V,迟滞为200mV。接收器在输入开路时进入高输出状态。接收器输出与TTL和CMOS兼容。
驱动器和接收器的最新进展是片上电源生成。LT1080 和 LT1081 等器件包括一个振荡器、容性倍压器和容性逆变器,以从 9V 电源产生 ±5V。电荷泵电源发生器仅需 1 个 232μF 电容器即可从 5V 逻辑电源产生 RS3 通信电平。图 1080 示出了 LT1080 的典型连接。片内电源发生器产生的功率超出 LT232 的要求,因此另一个 RS1039 通信器件 (如 LT1) 可由同一电源发生器供电。表 232 给出了用于 RS<> 通信的所有凌力尔特驱动器/接收器设备的典型性能。
图3.5V 供电的 RS232 驱动器/接收器。
装置 | DRVS | 记录 | 关闭 | 电源发电机 | 言论 |
LT1030 | 4 | X | 低成本 | ||
LT1032 | 4 | X | 兼容 RS423 | ||
LT1039 | 3 | 3 | X | ||
LT1039N16 | 3 | 3 | 兼容MC145406 | ||
LTC1045 | 6 | X | 微功耗 | ||
LT1080 | 2 | 2 | X | X | |
LT1081 | 2 | 2 | X | ||
LT1130 LT1131 LT1132 LT1133 LT1134 LT1135 LT1136 |
5 5 5 3 4 5 4 |
5 4 3 5 4 3 5 |
X X |
X X X X X X |
|
LT1180 LT1181 |
2 2 |
2 2 |
X |
0.1μF 电容 0.1μF 电容 |
审核编辑:郭婷
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