42V、2A/3A峰值同步降压型稳压器,具有2.5μA静态电流和超低EMI辐射

描述

LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是同步单芯片降压型稳压器,具有3 V至42 V宽输入范围。该器件系列针对需要低 EMI、高效率和小解决方案尺寸的应用进行了优化,适用于要求苛刻的汽车、工业、计算和通信应用。该系列中的所有稳压器都具有相同的2 A连续、3 A瞬态(<1秒)负载电流能力。表1总结了它们的特性。

部分 bag 性能 操作模式
LT8609 10 引脚 MSE 高效率 突发模式操作、脉冲跳跃模式、扩频模式、同步模式
LT8609A 10 引脚 MSE 针对效率和 EMI 性能进行了优化 突发模式操作、脉冲跳跃模式、扩频模式、同步模式
LT8609B 10 引脚 MSE 高效率 脉冲跳跃模式
LT8609S 16 引脚 LQFN 采用静音切换器 2 技术,具有最佳效率和 EMI 性能 = 0.444 突发模式操作、脉冲跳跃模式、扩频模式、同步模式

LT8609、LT8609A和LT8609S具有2.5 μA超低静态电流,这对于电池供电系统非常重要。凭借集成的顶部和底部 N 沟道 MOSFET,这些稳压器表现出令人印象深刻的轻负载效率。LT8609B 仅在脉冲跳跃模式下工作,其静态电流高于其他器件,并且在轻负载操作期间提供较低的纹波。

所有这些器件都可以通过CISPR 25 5类辐射EMI调节,这是汽车设备最严格的EMI标准。此外,LT8609、LT8609A 和 LT8609S 具有扩频频率操作功能,以降低 EMI 峰值。LT8609S基于其专有的静音开关2技术,在该系列中表现出最令人印象深刻的EMI性能,如下所述。®

5.5 V 至 42 V 输入、低 EMI、高效率 5 V、2 A 电源

5.5 V至42 V输入至5 V/2 A输出电源如图1所示。该解决方案采用16引脚LT8609S稳压器,开关频率为2 MHz。完整解决方案只需要几个元件,包括电感L1和一些无源元件。图2显示,该解决方案可实现92.9%的峰值效率。

MOSFET

图1.超低EMI辐射LT8609S 12 V至5 V同步降压转换器。

MOSFET

图2.LT8609/LT8609A/LT8609S基于12 V的效率与负载电流的关系在至 5 V外降压转换器。

突发模式操作可提高轻负载效率

在轻负载操作和空载待机模式下,高效率和低空闲电流对于电池供电应用非常重要。LT8609、LT8609A 和 LT8609S 在突发模式下具有 2.5 μA 的低静态电流。在轻负载和空载条件下,开关频率逐渐降低,大大降低功率损耗,同时保持输出电压纹波相对较低。图2显示,轻负载效率保持在85%以上,而最小负载下的功率损耗接近于零。®

高开关频率,具有超低EMI辐射和改进的热性能

EMI 合规性是许多环境(包括汽车系统)中关注的问题。凭借集成的MOSFET、先进的工艺技术和高达2.2 MHz的工作频率,该系列中的所有器件都可以实现较小的解决方案尺寸,同时满足最严格的EMI标准。除LT8609B外,所有器件均提供扩频频率操作,可降低EMI峰值。此外,LT8609S还采用了静音切换器2技术。静音开关 2 器件具有集成的热回路和暖回路电容,使 EMI 性能对电路板布局和电路板层数不敏感。可以使用层数较少的电路板来降低制造成本,而不会牺牲EMI和热性能。

图 2 显示,LT8609S 具有该器件系列中最佳的峰值和满负载效率。图 3 和图 4 显示了图 25 解决方案在 1 层和 2 层板上的 CISPR 4 EMI 和热性能比较。

MOSFET

图3.CISPR 25 图 2 电路的 4 层和 1 层板之间的辐射 EMI 性能比较。

MOSFET

图4.图2所示电路的4层和1层板之间的热性能比较。

结论

LT8609 系列中的器件是易于使用的单片式降压型稳压器,具有集成功率 MOSFET 和内置补偿电路。它们针对具有宽输入电压范围和低 EMI 噪声要求的应用进行了优化。2.5 μA的低静态电流和突发模式操作使其成为出色的电池供电降压转换器解决方案。200 kHz至2.2 MHz的开关频率范围使其适合大多数低功耗至微功耗应用。集成 MOSFET 和高达 2.2 MHz 的开关频率能力最大限度地减小了解决方案尺寸。CISPR 25扫描结果显示出出色的辐射EMI性能,符合最严格的EMI标准。LT2S 中的静音切换器 8609 技术使其性能不受布局和层层变化的影响,从而大大降低了开发和制造成本。

审核编辑:郭婷

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