为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

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【产品速报】

深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）, 这两款碳化硅二极管可提供低内置电压偏置以实现在各种负载条件下的最高效率和卓越的鲁棒性，器件具备了高浪涌电流的保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升快充电源的设计能效和可靠性。

650V/4A &650V/6A 这两款功率器件作为SiC二极管中的网红产品，因其显著的高性价比优势和多样化的封装，受到了PD快充、笔电快充、两轮电车快充、LED电源、电动工具快充电源等客户的青睐，森国科这两颗国产化产品的出货量目前位居行业内前列。

森国科KS04065 SiC二极管提供多达七种封装：

EMI干扰

森国科KS06065 SiC二极管提供多达10种封装：

EMI干扰

EMI干扰

PDFN3*3

超小封装，器件具有极低热阻，支持200W以上快充应用。

PDFN5*6

封装具有体积小、厚度薄、散热好、性能稳定、更低的导通电阻等特点，厚度仅为1mm，适合对小体积要求较高的应用。

PDFN8*8

是一种紧凑型表面贴片封装，无引脚器件引脚寄生电感非常小，此特征可以显著提高器件的开关速度。

SMBF

封装的器件具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，很好地满足了“小轻薄”的PD快充对器件尺寸的特殊需求。

SMA

是碳化硅功率器件封装中体积最小的一款，约为4.5mm*2.7mm，也是目前国内少有的封装样式。当在一些电源类产品中替换Si器件来使用时，可以做到稳步提升系统效率，而无须修改电路和PCB设计，大大便利工程师们的操作使用。

TO-220-2L

封装，器件散热效果最佳，但是相对来说占用空间；

TO-252-2L

封装，器件具备优秀的散热能力，体积上也有一定的优势，在应用场景上的利用率较高；

在快充应用中，碳化硅二极管具备无反向恢复电流的优势，在升压PFC电路中使用可以大幅降低反向电流，减小PFC开关管的开通和关断损耗，并减小电路中的峰值电流，从而降低PFC电路的损耗，提高电源转换效率，减小EMI干扰。

常见的3种典型PFC应用电路有：无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可有效的提高电源的功率因数，降低电网的电压波动和电流谐波，提高电源的效率和稳定性。

EMI干扰

单向PFC: D5：电路简单，成本低，初级无电解电容。

EMI干扰

交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。

EMI干扰

森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商（X-FAB积塔等）达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

审核编辑：刘清

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