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任何追求高品质音频再现的发烧友都需要一个 Hi-Fi 耳机放大器。强大的混合设计结合了真空管 (LAMP) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 两种强大组件的优点,可提供出色的声音性能。本文通过展示 LAMP 和 MOSFET 混合 Hi-Fi 耳机放大器的原理图电路图,让您了解该音频电路的神奇之处。
LAMP 和 MOSFET 组合式 Hi-Fi 耳机放大器由多种重要部件组成。 LAMP 的基本功能是电压放大器,可产生可识别的温暖且平滑的声音特征。 MOSFET 充当电流放大器,为 LAMP 信号增加了低失真和快速响应时间。
调节音量的顶级电位器是输入级的第一个组件。 LAMP管接收到此音频输入,开始以A类模式工作,以实现最大的线性放大。耦合电容器通过阻止来自 LAMP 的直流偏置来确保耳机仅接收交流音频信号。
之后将充当驱动级的 MOSFET 连接到 LAMP 的输出。根据单独的设计决策,MOSFET 可以在 A 类或 AB 类模式下运行,并提供所需的电流增益。 LAMP 和 MOSFET 的结合确保了音频流的高保真、低失真和忠实于源。
为了提高放大器的稳定性并降低谐波失真,可以使用全局负反馈环路。如果使用的话,这个反馈环路会将输出连接到 LAMP 的反相输入,控制整体增益并针对任何缺陷进行调整。
LAMP 和 MOSFET 组合的 Hi-Fi 耳机放大器电路是有鉴赏力的发烧友的流行选择,它在经典温暖和现代精度之间实现了迷人的平衡。这种巧妙的组合创造了高保真度、良好的音调平衡和更少失真的输出,为耳机用户带来无与伦比的聆听体验。为了获得预期的声音效果,必须充分考虑组件选择、接地和屏蔽,就像任何电子项目一样。发烧友可以以此原理图电路设计为起点,开始一段激动人心的旅程,打造一款高性能耳机放大器,将他们的音乐提升到听觉上的辉煌水平。
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