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DS18B20 单线数字温度传感器,多个 DS18B20 可以并联在惟一的单线上,实现多点测温。具体方案主要是以下步骤:
uint8_t rom[8];
void read_rom(void)
{
uint8_t index;
ds18b20_init();
ds18b20_write_byte(0x33);
for (index = 0;index < 8;index++)
{
rom[index] = ds18b20_read_byte();
}
}
uint8_t rom1[8]={0x28,0x0B,0xAC,0x79,0x97,0x16,0x03,0x39};
uint8_t rom2[8]={0x28,0xF2,0x80,0x79,0x97,0x15,0x03,0x51};
uint8_t rom3[8]={0x28,0xFF,0x64,0x79,0x97,0x16,0x03,0x8B};
uint8_t rom4[8]={0x28,0x6F,0x31,0x79,0x97,0x15,0x03,0x28};
uint8_t rom5[8]={0x28,0x1C,0x5C,0x79,0x97,0x15,0x03,0x14};
uint8_t rom6[8]={0x28,0xED,0xD8,0x79,0x97,0x16,0x03,0xD0};
uint8_t rom7[8]={0x28,0x94,0xB0,0x79,0x97,0x15,0x03,0xA4};
uint8_t rom8[8]={0x28,0xAE,0xD5,0x79,0x97,0x16,0x03,0x10};
uint8_t rom9[8]={0x28,0xC0,0xC2,0x79,0x97,0x16,0x03,0xED};
void DS18B20_Matrom(unsigned char a)
{
unsigned char j; //用于循环
ds18b20_init();
ds18b20_write_byte(0x55); //发送匹配ROM命令
if(a==1)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom1[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==2)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom2[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==3)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom3[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==4)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom4[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==5)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom5[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==6)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom6[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==7)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom7[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==8)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom8[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
if(a==9)
{
for(j=0;j< 8;j++)
{
ds18b20_write_byte(rom9[j]);//发送18B20的序列号,先发送低字节
}
}
}
int16_t read_temp(uint8_t rom) //启动温度转换,读取温度
{
u8 tl=0,th=0;
if(ds18b20_init())
return 0x7fff;
ds18b20_write_byte(0xCC);
ds18b20_write_byte(0x44);//启动DS18B20进行温度转换
DS18B20_Matrom(rom);//匹配RAM,适用多个点的情况
ds18b20_write_byte(0xBE);//读DS18B20内部RAM中9字节的温度数据
tl=ds18b20_read_byte();//读低8位
th=ds18b20_read_byte();//读高8位
return (th< < 8)+tl;
}
float get_ntemp(uint8_t rom)
{
float temp=0;
temp = read_temp(rom);
temp = temp*0.0625;
return temp;
}
DS18B20主要由4部分组成:
ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排的循环冗余校验码(CRC=X^8+X^5+X^4+1)。
ROM
ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。
在DS18B20温度转换期间通过寄生电源供电
寄生电源供电
用外部电源对DS18B20供电
外部电源供电
主要以下四个方面:
详细解析如下。
初始化时序
主机首先发出一个480-960微秒的低电平脉冲,然后释放总线变为高电平,并在随后的480微秒时间内对总线进行检测,如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。
uint8_t ds18b20_init(void)
{
uint8_t ack=1;
DS18B20_DQ_OUT();
DQ_L();
delay_us(500);
DQ_H();
delay_us(60);
DS18B20_DQ_IN();
ack=DQ_Read();
delay_us(180);
DQ_H();
return ack;
}
做为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平出现,如果有,在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲,告诉主机本器件已做好准备。若没有检测到就一直在检测等待。
读写时序
写周期最少为60微秒,最长不超过120微秒。写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0,则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束,然后释放总线为高电平。若主机想写1,在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平,一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样,在采样期内总线为高电平则为1,若采样期内总线为低电平则为0。
static void ds18b20_write_byte(uint8_t byte)
{
uint8_t i;
DS18B20_DQ_OUT();
for(i=0 ; i< 8 ; i++)
{
if (byte&0x01)
{
DQ_L();// Write 1
delay_us(2);
DQ_H();
delay_us(60);
}
else
{
DQ_L();// Write 0
delay_us(60);
DQ_H();
delay_us(2);
}
byte=byte > >1;
}
}
对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时隙是从主机把单总线拉低之后,在1微秒之后就得释放单总线为高电平,以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后,便开始送出数据,若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线,然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测,采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程,至少需要60us才能完成
static uint8_t ds18b20_read_byte()
{
uint8_t i;
uint8_t byte; //byte为要接收到的数据
for(i=0 ; i< 8 ; i++)
{
DS18B20_DQ_OUT();
DQ_L();
delay_us(2);
DQ_H();
DS18B20_DQ_IN();
delay_us(12);
byte > >= 1;
if(DQ_Read())
byte |= 0x80;
delay_us(50);
}
return byte;
}
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