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什么是场效应管
场效应管,即场效应晶体管(简称FET),是一种电压控制型半导体器件。
场效应管具有以下特点:
1.高输入阻抗:场效应管的输入端几乎不流入电流,因此它的输入阻抗非常高,这使得它们在电路中不易受到外界干扰。
2.低噪声性能:由于其高阻抗的特性,场效应管在信号放大时产生的噪声较小,适合用于高灵敏度和低噪声的电路。
3.热稳定性好:场效应管受温度影响较小,因此在温度变化的环境中能保持较好的工作性能。
4.安全工作区域宽:场效应管没有二次击穿现象,这意味着它们在电路中的安全工作范围较宽。
场效应管主要有两种类型:
结型场效应管:简称JFET,它通过一个p-n结来控制导电通道的宽度。
金属-氧化物半导体场效应管:简称MOSFET,它使用一个绝缘层来控制导电通道。
这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极,分别为栅极G、源极S和漏极D,其中栅极G为控制端,源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示:
PMOS的衬底为N型半导体,在VGS《0时,会形成P沟道,所以叫做P沟道MOS;而NMOS的衬底为P型半导体,在VGS》0时,会形成N沟道,所以叫做N沟道MOS。
MOS管是电压驱动型的器件,主要用作可控整流、功率开关、信号放大等,应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平,对于NMOS而言,VGS 》0时,NMOS导通,否则NMOS截止;对于PMOS而言,VGS《0,PMOS导通,否则截止。
▲ MOS场效应管的电路符号
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