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江波龙在存储芯片设计领域取得了显著成果,自研SLC NAND Flash累计出货量已突破1亿颗。公司充分发挥芯片设计能力,专注于SLC NAND Flash等存储芯片的设计与开发。
目前,江波龙已推出5种容量的自研SLC NAND Flash存储芯片,涵盖512Mb至8Gb,均采用先进的4xnm和2xnm工艺,并实现量产。这些产品广泛应用于网络通信、安防监控、物联网及便携设备等消费、工业及汽车领域,为客户提供多种电压、封装和接口的存储解决方案。
2024年上半年,江波龙基于2xnm工艺推出了新一代2Gbit SPI NAND Flash芯片,接口速度高达166MHz,并支持DTR功能,数据传输速率显著提升。此外,公司还利用多芯片封装技术,将SLC NAND与LPDDR存储颗粒集成,拓展了多种规格的NAND based MCP产品,包括与LPDDR2和LPDDR4x集成的MCP产品,主要应用于5G通讯模组,并已进入小批量产阶段。
江波龙自研存储芯片产品实施全过程质量管理,确保颗粒级可追溯性,DPPM低于100,性能与稳定性卓越。随着出货量的快速增长,江波龙将继续致力于技术创新,为客户提供更优质的存储解决方案。
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