高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍

无锡新洁能股份有限公司 2025-01-16 241

高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V

JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片，带热敏电阻（NTC）和可选 PressFIT压接针脚技术。

此款IGBT模块推荐用于有源电力滤波器（Active Power Filter，简称APF）及其他三电平应用。APF可广泛应用于工业、商业和机关团体的配电网中，如：电力系统、电解电镀企业、水处理设备、石化企业、大型商场及办公大楼、精密电子企业、机场港口的供电系统、医疗机构等。

产品系列：

● JL3I200V65RE2PN

● JL3I150V65RE2PN

● JL3I100V65RE2PN

产品特点

优异的导通和开关损耗

同类最佳封装，优化外壳结构，更长的爬电距离

采用ZTA基板，更低的结壳热阻，更强的可靠性

模块杂散电感极低

优化接线端子，在大电流下更低的端子温升

可选PressFIT针脚和焊接针

应用价值

出色的模块效率

提高功率密度

系统成本更具优势

提高系统效率

紧凑型设计

竞争优势

● 相同封装拓扑下，最大电流能力能达到200A，同时相应的FRD为满配，最大电流能力也能达到200A，使应用端更具产品优势。

流满配，更适合储能应用。

● 新芯片技术可降低导通和开关损耗，从而提高效率。

应用领域

● SVG

● APF

● 其他三电平应用

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金兰功率半导体（无锡）有限公司成立于2021年，系无锡新洁能股份有限公司（股票代码：605111）子公司，致力于功率半导体模块的研发与制造，应用市场覆盖汽车、光伏及工业等领域。

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