为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案

杨茜 2025-02-06 222

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描述

BASiC基本公司为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案

功率器件

BASiC基本公司针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本公司的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BASiC基本公司低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。
BASiC基本公司推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。

类型	型号	管脚配置
门极隔离驱动芯片	BTD3011R	退饱和短路保护、软关断、欠压保护、副边集成正电源电压稳压器
门极隔离驱动芯片	BTD5350MBPR	米勒钳位功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350MCPR	米勒钳位功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350MBWR	米勒钳位功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350MCWR	米勒钳位功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350SBPR	开通、关断分别控制
门极隔离驱动芯片	BTD5350SCPR	开通、关断分别控制
门极隔离驱动芯片	BTD5350SBWR	开通、关断分别控制
门极隔离驱动芯片	BTD5350SCWR	开通、关断分别控制
门极隔离驱动芯片	BTD5350EBPR	副边正电源带欠压保护功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350ECPR	副边正电源带欠压保护功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350EBWR	副边正电源带欠压保护功能
门极隔离驱动芯片	BTD5350ECWR	副边正电源带欠压保护功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520MAWR	双通道同相输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520MBWR	双通道同相输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520SAWR	双通道同相输入，带禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520SBWR	双通道同相输入，带禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520EAWR	单PWM输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520EBWR	单PWM输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520MAPR	双通道同相输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520MBPR	双通道同相输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520SAPR	双通道同相输入，带禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520SBPR	双通道同相输入，带禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520EAPR	单PWM输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD21520EBPR	单PWM输入，死区配置和禁用功能
门极隔离驱动芯片	BTD25350MMBWR	带禁用功能，死区时间设置，米勒钳位功能
门极隔离驱动芯片	BTD25350MMCWR	带禁用功能，死区时间设置，米勒钳位功能
门极隔离驱动芯片	BTD25350MSBWR	带禁用功能，死区时间设置，开通、关断分别控制
门极隔离驱动芯片	BTD25350MSCWR	带禁用功能，死区时间设置，开通、关断分别控制
门极隔离驱动芯片	BTD25350MEBWR	带禁用功能，死区时间设置，副边正电源带欠压保护功能
门极隔离驱动芯片	BTD25350MECWR	带禁用功能，死区时间设置，副边正电源带欠压保护功能
低边门极驱动芯片	BTL27523R	输入与输出反向，有使能功能
低边门极驱动芯片	BTL27523BR	输入与输出反向
低边门极驱动芯片	BTL27524R	输入与输出同向，有使能功能
低边门极驱动芯片	BTL27524BR	输入与输出同向
正激DCDC开关电源芯片	BTP1521F	正激DCDC开关电源芯片,配套变压器支持正负压输出
正激DCDC开关电源芯片	BTP1521P	正激DCDC开关电源芯片,配套变压器支持正负压输出

BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

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咬住必然，勇立潮头！BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！
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BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

审核编辑黄宇

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