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一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.33 MB | 2018-04-24

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　　目前，产业化的高电压大功率绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新结构设计制造技术，以ABB、三菱、东芝和日立等为代表的国际领先研发制造公司均采用了新结构设计制造技术，如软穿通技术、注入增强门极晶体管（ Injection Enhanced Gate Transistor， IEGT）技术、载流子存储增强技术和平面注入增强技术等。

　　在前期高速绝缘栅双极晶体管（ IGBT）的基础上提出一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管（ CT-IGBT）。该器件沟槽集电极与漂移区的内建电势差感应形成电子沟道而加快关断速度，且集电极沟槽具有不同于传统电场截止层（ FS）的电场截止机制，并引入低浓度N型层以降低集电极沟槽对空穴注入的抑制作用。硅基材料有限元仿真结果表明，新结构CT-IGBT的关断下降时间比传统沟槽FS-IGBT少49%，且前者耐受的雪崩能量比后者高32%。因此，新结构CT-IGBT具有比FS-IGBT更优越的关断速度和强度，可应用于大功率高速电力电子系统。

一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管

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