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电子说
与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);
(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
G极,不用说比较好认。
S极,不论是p沟道还是N沟道,两根线相交的就是;
D极,不论是p沟道还是N沟道,是单独引线的那边。
判定栅极G:场效应管管脚图接线图将万用表拨至R&TImes;1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。
判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。
①栅极G的测定:用万用表R×100 档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定:用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻,正向电阻约为0.2 ×10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:
a.若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。
b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。
依据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,能够判别出结型场效应管的三个电极。详细办法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。由于对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也能够将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其他的两个电极,测其电阻值。当呈现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其他两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,阐明是PN结的反向,即都是反向电阻,能够断定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,阐明是正向PN结,即是正向电阻,断定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不呈现上述状况,能够互换黑、红表笔按上述办法停止测试,直到判别出栅极为止。
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值能否相符去判别管的好坏。详细办法:首先将万用表置于R×10或R×100档,丈量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),假如测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;假如测得阻值是无量大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无量大,则阐明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则阐明管是坏的。要留意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
详细办法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1。5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发作变化,也就是漏源极间电阻发作了变化,由此能够察看到表针有较大幅度的摆动。假如手捏栅极表针摆动较小,阐明管的放大才能较差;表针摆动较大,标明管的放大才能大;若表针不动,阐明管是坏的。
依据上述办法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,阐明该管是好的,并有较大的放大才能。
运用这种办法时要阐明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档丈量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,实验标明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只需表针摆动幅度较大,就阐明管有较大的放大才能。第二,此办法对MOS场效应管也适用。但要留意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必需用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以避免人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。这是由于G-S结电容上会充有少量电荷,树立起VGS电压,形成再停止测量时表针可能不动,只要将G-S极间电荷短路放掉才行。
首先用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种办法判别出来的S、D极,还能够用估测其管的放大才能的办法停止考证,即放大才能大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种办法检测结果均应一样。当肯定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,普通G1、G2也会依次对准位置,这就肯定了两个栅极G1、G2的位置,从而就肯定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
对VMOS N沟道加强型场效应管丈量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,阐明管的跨导值越高;假如被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。
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