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晶体管是依靠输入电流变化来控制输出电流的器件,但理想的放大器是不应该损耗信号源的输出电流的,所以在一个由晶体管构成的放大电路中,因为有基极电流的存在,不可避免地会对输入信号带来损耗。与晶体管不同的是,场效应晶体管(FET)是一种用电压来控制电流的器件,具有很高的输入阻抗,且温度稳定性好、噪声低。按照结构的不同,场效应晶体管可以分为以下两类:
1. 结型场效应晶体管(JFET)
N型沟道结型场效应晶体管
P型沟道结型场效应晶体管
2. 绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET)
增强型MOS场效应晶体管(N沟道、P沟道)
耗尽型MOS场效应晶体管(N沟道、P沟道)
绝缘栅型场效应晶体管在实际应用中多见增强型MOS管,N型沟道的简称为“NMOS”,P型沟道的简称为“PMOS”,绝缘栅型场效应晶体管的外观如图所示。
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