SPICE器件模型：二极管示例其2

罗姆半导体集团 2019-07-02 9889

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本文将继续继上一篇文章“SPICE器件模型：二极管示例其1”之后，以二极管的SPICE器件模型为例，来介绍器件模型。

SPICE器件模型：二极管器件模型的参数调整

器件模型是要设置参数的，所以可以很容易想象如果改写所描述的设置值，其结果会反映在仿真结果中。下面是此前提到的二极管器件模型的VF调整示例。

要调整二极管的VF，需要更改IS值（饱和电流）。IF=IS*exp(Vd/(N*Vt)-1)　这是在“其1”中给出的IF公式，从公式可以看出，IS的增减与IF成正比。曲线图是将IS值调整为10倍和1/10后的IF-VF特性仿真结果。VF＝0.7V的IF是10倍和1/10的值。

要想很好地理解参数和二极管特性之间的关系，需要先了解模型公式和参数。

SPICE器件模型的局限

器件模型基本上表现出来的是模型理论公式的特性。所以，理论公式中无法完全表达出来的特性不会反映在仿真结果中。需要先认清这点再来解释仿真结果。

这个曲线图是不同于刚才的二极管的IF-VF特性。左侧是技术规格书中给出的实际二极管的代表特性，右侧是这个二极管的器件模型仿真结果。

比较一下IF-VF特性的线性度，可以看出仿真结果是基于理论公式的结果。

关键要点

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原文标题：SPICE器件模型：二极管示例其2

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SPICE器件模型：二极管示例 其2