IGBT传统防失效机理是什么IGBT失效防护电路
2021-03-29 07:17:06
来解决问题。有时候，用一个NPT进行简易并联的效果是很好的，但是与一个电平和速度相同的PT器件相比，使用NPT会造成压降增加。动态特性动态特性是指IGBT在开关期间的特性。鉴于IGBT的等效电路，要
2012-07-09 14:14:57
**Mosfet **和 IGBT 驱动对比的简介简述：一般中低马力的电动汽车电源主要用较低压（低于 72V）的电池组构成。由于需求的输出电流较高，因此市场上专用型的 Mosfet 模块并不
2022-09-16 10:21:27
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
。像图3所示，由于IGBT1的等值电阻较小，对应并联支路电流会较大。不过，英飞凌NPT和沟槽场终止芯片饱和电压在整个分布范围内呈现正态特性，这也源于出色的生产过程和晶圆处理能力。因此，从统计角度，很少
2018-12-03 13:50:08
NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下： (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。 (2
2012-06-19 11:17:58
IGBT模块是由哪些模块组成的？IGBT模块有哪些特点？IGBT模块有哪些应用呢？
2021-11-02 07:39:10
的电流就会下降，英飞凌IGBT模块是按壳温Tc=80℃或100℃来标称其最大允许通过的集电极电流（Ic).对于英飞凌 NPT-IGBT芯片来说，当Tc＜25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但是，随着
2022-05-10 10:06:52
原来没有带N+buffer的则为NPT-IGBT。 一般情况下，NPT-IGBT比PT-IGBT的Vce（sat）高，主要因为NPT是正温度系数（P+衬底较薄空穴注入较少），而PT是负温度系数
2018-10-17 16:56:39
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的内部结构是怎样组成的？IGBT的特点有哪些？
2021-10-15 06:01:58
，而额定电压接近反向击穿电压。PT型IGBT和NPT型IGBT的反偏安全工作区略有不同。PT型IGBT的RBSOA是梯形SOA，NPT型IGBT的RBSO是矩形SOA。如图2所示。可见NPT型IGBT
2017-03-16 21:43:31
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？
2021-10-14 09:09:20
只能用金属蒸发工艺，Ti/Ni/Ag标准工艺。5) 背面Alloy：主要考虑wafer太薄了，容易翘曲碎片。5、IGBT的新技术：1) 场截止FS-IGBT：不管PT还是NPT结 构都不能最终满足无限
2020-08-09 07:53:55
IGBT驱动原理及电路图
2019-11-11 05:16:13
，不想搭建分立的原件，所以想要使用集成的驱动电路。但是网上有IGBT驱动板，IGBT驱动核，IGBT驱动芯，IGBT适配板，IPM，这些到底有啥区别？哪种最为简单？`
2017-10-10 17:16:20
本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
现有IGBT 型号为H20R1202 要设计他的驱动电路，在哪里找资料？或者有没有设计过IGBT驱动电路的，能分享吗？现在有一个驱动MOSFET 的电路，可以用在IGBT的驱动上吗？
2016-04-01 09:34:58
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗？
2019-08-22 15:20:53
，但大多数600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度系数)特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
，而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流输入电流下工作。它可以传导超过MOSFET 70% 的功率。虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600V IGBT都是PT (Punch
2018-09-28 14:14:34
，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体
2020-07-19 07:33:42
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
IGBT在matlab仿真中栅极怎么连接？为什么我画的IGBT的栅极和电源、PWM连接不上？
2018-11-15 13:26:27
输入电流下工作。它可以传导超过MOSFET 70% 的功率。虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度
2017-04-15 15:48:51
江湖，不问世事，英飞凌目前所有的IGBT产品均不使用PT技术。初代盟主——IGBT2特征：平面栅，非穿通结构(NPT)NPT-IGBT于1987年出山，很快在90年代成为江湖霸主。NPT与PT不同在
2021-05-26 10:19:23
600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度系数)特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (栅射
2019-03-06 06:30:00
IGBT的工作原理IGBT极性判断IGBT好坏的判断
2021-03-04 07:18:28
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
解决PT-IGBT的缺点，推动IGBT的技术折衷曲线向原点逼近，20世纪90年代开始下文所介绍的技术逐步出现并商用。3.2 非穿通（NonPunch-through：NPT）IGBT为解决PT-IGBT存在
2015-12-24 18:13:54
改善了饱和压降。此外，FS IGBT的场截止层在关断瞬间可加快多数载流子复合，因此其尾电流远远小于NPT或PT IGBT.由此降低了开关损耗和关断能量Eoff。 图1: NPT IGBT（左）和场
2018-09-30 16:10:52
IGBT是什么？IGBT是由哪些部分组成的？IGBT有哪些特征？IGBT的主要应用领域是什么？
2021-06-18 08:01:12
请问各位大神，空调的PFC电路的IGBT，带FRD跟不带FRD有什么区别？
2017-04-24 09:31:50
IGBT作为集MOS和BJT优点于一身的存在，在经历了这些年的技术发展，从穿通型IGBT（PT-IGBT）、非穿通型IGBT（NPT-IGBT）、沟道型IGBT和场截止型IGBT（FS-IGBT
2020-12-11 16:54:35
20世纪60年代末就提出了IGBT的构想，但直到20世纪80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”（PT）工艺，开关频率可以达到15 kHz，但当多个这样的器件并联时，集电极
2018-12-03 13:47:00
FF100R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop
2023-01-10 11:29:08
FF100R12RT4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop
2023-01-10 11:33:54
英飞凌IGBT模块FF150R12RT4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止
2023-01-10 13:16:15
FZ600R12KE4FZ600R12KE4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场
2023-01-12 11:28:56
，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT
2023-01-13 09:08:42
英飞凌IGBT模块FF150R17KE4FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-07 09:50:06
英飞凌IGBT模块FF150R17ME3GFF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-07 09:53:36
英飞凌IGBT模块FF200R17KE3英飞凌IGBT模块FF200R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n
2023-02-07 09:58:53
FF200R17KE4英飞凌IGBT模块FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-07 10:42:08
FF300R17KE3 IGBT模块FF300R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加
2023-02-07 10:50:02
FF300R17KE4FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场
2023-02-07 10:53:38
FF300R17ME3 IGBT模块FF300R17ME3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加
2023-02-07 10:57:38
FF300R17ME4FF300R17ME4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场
2023-02-07 11:14:22
FF450R17ME3英飞凌IGBT模块英飞凌IGBT模块是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加
2023-02-07 13:46:10
FF450R17ME4英飞凌IGBT模块FF450R17ME4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-07 13:52:10
FF600R17ME4 IGBT模块FF600R17ME4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加
2023-02-07 13:55:06
FF650R17IE4 IGBT模块FF650R17IE4 是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个
2023-02-07 13:59:30
FF1000R17IE4PrimePACK™3 模块 带有温度检测NTCFF1000R17IE4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底
2023-02-07 14:03:17
FZ400R17KE3 英飞凌IGBT模块FZ400R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-07 14:31:30
FZ600R17KE3 IGBT模块FZ600R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加
2023-02-07 14:36:09
FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为
2023-02-07 14:38:49
FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3 IGBT模块是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-07 14:42:03
英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止
2023-02-24 14:45:08
FF400R33KF2C英飞凌IGBT模块FF400R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-24 14:50:42
FZ800R33KF2CIGBT模块英飞凌FZ800R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-24 14:55:47
BSM100GB60DLC英飞凌IGBT模块BSM100GB60DLC是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加
2023-02-24 15:07:15
F4-50R06W1E3F4-50R06W1E3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为
2023-02-24 15:09:56
FF300R06KE3英飞凌igbt模块FF300R06KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-24 15:28:34
IGBT晶体管基础知识
在技术讲解之前的。回答下列的重要问题，将有助于为特定的应用选择适当的IGBT。 非穿通（NPT）和穿通(
2009-11-06 16:57:13
2776 IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路
2010-02-17 17:21:381855 
华润上华已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
2011-03-31 09:23:061469 利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真，在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降，得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元
2011-12-05 15:28:54
31 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:481938 功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供应商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非贯穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新产品
2012-09-13 10:08:171624 
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层
2013-05-06 18:17:0645 高压IGBT关断状态失效的机理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 NPT-IGBT 结构虽然没有缓冲层，但是它的反向阻断能力依然很差，因为芯片的尺寸是有限的，在切割芯片时，如果切割线穿过了承受高压的pn结，晶格损伤和应力会引起很大的反向漏电流，导致击穿电压和长期稳定性的降低。
2018-12-28 15:55:2714571 
本文档的主要内容详细介绍的是SKM 50GB063D超快NPT IGBT模块的数据手册免费下载。
2020-12-03 08:00:000 IGBT芯片：产品升级趋势。IGBT芯片经历了7代升级：衬底从PT穿通，NPT非穿通到FS场截止，栅极从平面到Trench沟槽。随着技术的升级，通态功耗、开关功耗均不断减小。 第一代（PT）：产品
2020-12-09 16:11:4011487 。自二十世纪八十年代初期研制成功以来，其工艺技术和参数不断改进和提高，IGBT已由第三代、第四代发展到了第五代，由穿通型（PT型）发展到非穿通型（NPT型），其电性能参数日趋完善。IGBT模块也在此基础上同步
2021-09-17 09:47:0310 IGBT芯片经历了一系列的迭代过程从PT技术向NPT技术，再到现在FS技术的升级，使芯片变薄，降低了热阻，并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引入；持续降低了Vce，并提高了功率密度；通过表面金属及钝化层优化，可满足车用的高可靠性要求。
2022-08-11 09:55:041781 上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
IGBT单管的封装形式比较简单，只有一个IGBT晶体管，一个反向恢复二极管和一个可选的温度传感器，而IGBT模块的封装形式比较复杂
2023-02-19 16:39:509150 IGCT和IGBT之间的主要区别在于IGCT可以提供更高的效率和更低的损耗，而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪声。此外，IGCT可以提供更高的精度和可靠性，而IGBT可以提供更低的成本。
2023-02-21 15:26:4411867 MOS管、三极管、IGBT之间的因果关系 区别与联系最全解析 大家都知道MOS管、三极管、IGBT的标准定义，但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧，一层一层地分析为什么定义里说IGBT
2023-02-22 14:44:3224 ，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应
2023-02-22 13:59:501 用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
2023-02-23 09:34:200 在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相
似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？
下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！
2023-02-23 09:15:261 ，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型：分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效
2023-02-23 16:03:254 ，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么区别？不看就亏大了
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相
似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:455 PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的，电压规格越高、外延层越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。
2023-02-26 11:19:102578 
，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！1、什么是MOS管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:513005 
igbt和mos管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:013256 igbt和igct的区别是啥？ IGBT和IGCT是两种不同类型的高压开关装置，用于电力电子应用中。IGBT是导电型场效应晶体管集成电路，而IGCT是绝缘栅控双极型晶闸管。 IGBT是一种压降低
2023-08-25 14:57:342926 igbt和整流桥有什么区别？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和整流桥是两种不同的电子元件，它们的功能、结构和应用领域也各不相同。下面将从多个方面逐一
2023-08-25 14:57:402964 igbt单管和双管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又称绝缘栅双极晶体管，是一种特殊的半导体器件。它集成了MOSFET和BJT的优点，具有输入电阻
2023-08-25 15:11:222539 igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36:45369 
可控硅和igbt区别 可控硅和IGBT是现代电力电子领域中常用的两种功率半导体器件。虽然两者都能在电力控制和转换中发挥重要作用，但它们在结构、工作原理、性能特点和应用等方面存在着显著差异。下文
2023-12-07 16:45:323214 igbt与mos管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38792 IGBT过流和短路故障的区别 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，是一种半导体功率开关器件。在工业和电力领域广泛应用，常常用于高压、高电流的开关电源和逆变器中。然而，由于各种原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275
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